박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거 (반도체 식각)

소개글

화학공학전공과정의 공업화학실험 중, 반도체 식각과정 실험예비레포트 입니다.

목차

(1)플라즈마의 정의와 이용분야
(2)Lithography의 정의와 과정
(3)반도체의 정의와 반도체 제조 공정
(4)식각(etching)의 정의와 종류
(5)최근 각광받고 있는 메모리 소자의 원리와 구조
(6)화학공학 전공자가 반도체 산업에서 필요한 이유
(7) 참고문헌

본문내용

(2)Lithography의 정의와 과정
①정의
리소그래피(Lithography)는 원래 석판화를 의미하는 프랑스어에서 온 말이다. 반도체에서는 그 소자형성에 마이크론()단위의 가공정도가 필요하게 되므로 사진기술로 원판을 만들고 이를 마스크로 하여 유기감광제를 노출시켜 감광제에 의한 미세한 패턴을 형성한다. 이것을 리소그래피 기술 이라 부르고 있다. 이 리소그래피 기술과 미세 에칭 기술은 현재의 LSI제작에 있어서는 10수회 반복하여 사용하는 중요 기술이며 이들 기술의 정도, 위치 맞추기 정도 및 불순물 유입정도가 LSI의 집적도를 결정하고 있다고 말할 수 있다. 이 리소그래피 기술의 기본적인 방법을 (그림 3) 에 나타내었다. 사진공정은 크게 광 노광기술(optical lithography)과 방사 노광기술(radiation lithography)로 구분되며, 광 노광기술에서는 자외선(UV)이, 방사 노광기술에서는 X-선이나, 전자빔 또는 이온빔 등이 사용된다. 사진공정에서는 광화학적(photochemical) 반응이 회분식 반응기들에서 일어나므로 사진공정은 반응공학적인 측면에서 볼 때 불균일 회분식 반응계로 볼 수 있다.
②과정
(ⅰ)기판 이란 식각하고자 하는 재료를 말한다. 리소그래피에 임해서는 먼저 그 기판을 잘 세척하고 오염물을 제거해야 한다. 특히 를 식각하려고 할 때에는 700~800℃로 가열처리한 후에 세척하고 건조시킨다. 다음에 감광성 유기 고분자 (포토레지스트)용액을 떨구어 기판을 1000rpm속도로 회전 시켜서 약 1 의 두께의 막으로 한다. 다시 85℃로 약 10분간 가열한다.

참고 자료

플라즈마 전열 /A.kanzawa 저/박동화 역 /인하대학교 출판부, 1999.
반도체 디바이스/Adir Bar-Lev 저 /김수원 역/喜重堂, 1996.
반도체 공학 /김홍배, 김충원 저/技多利, 1990.
반도체 공학 /강기택외 2 공저/한올출판사, 1997.
반도체 공학 /류장렬외 2 공저/형설출판사, 1999.
(기초)반도체 공학/ 연규호 편저/尙踪社, 1994.
플라즈마 중합과 플라즈마 에칭을 이용한 나노미터 단위의 리소그래피 /김성오 /1998.2
유도 결합 플라즈마를 이용한 자성 박막의 반응성 이온 식각 / 신별 /2005.8
핵융합 연구센터 http://www.knfp.net/
PUCOTECH http://www.pucotech.com/
한국화학공학회 홍보사이트 http://www.withche.com/