CABIE-dry etching
- 최초 등록일
- 2010.12.04
- 최종 저작일
- 2010.05
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소개글
반도체 공정중 드라이에칭중에 CABIE를 대한 리포트이고
이온빔밀링의 설명과 다른에칭공정과의 차이점입니다.
목차
식각(Etching) 이란?
건식 식각(Dry Etching) 이란?
이온 식각(Ion Etching) 이란?
이온빔 식각(Ion Beam Etching) 이란?
CAIBE 방식 이란?
CAIBE 방식의 원리
CAIBE 방식의 반응 매커니즘
CAIBE 방식의 System
CAIBE 방식의 특징
CAIBE 방식은 어디에 이용되는가?
CAIBE 방식의 장/단점
질문하세요.
본문내용
CAIBE 방식 이란?
Chemical Assistant Ion Beam Etching. 화학 보조 이온빔 식각이라 한다.
Ar 등과 같은 비활성 기체(Inert Gas)를 반응성(혹은 활성) 기체(Reactive Gas)로 변환하여 이때 형성된 Ar+ 를 이온빔으로 쏘아주는 물리적인 방식과 Cl2와 같은 할로겐 분자를 첨가하여 기판과 반응하는 화학적 방식(화학 보조 방식)이 결합된 방식이라 할 수 있다.
IBE, RIBE 등과 같은 다른 이온빔 식각 방식들에 비해 식각 표면의 거칠기가 거의 없어서 양자점 제조에도 응용될 수 있다.
IBE, RIBE 를 차례대로 수행한 다음, 최종적으로 수행되는 식각 단계라 할 수 있다.
이온빔의 입사각에 따라 식각 효율의 차이가 발생하므로 기판을 기울이는 각(tilt angle)과 기판의 회전(rotation)이 중요한 요소이다.
참고 자료
없음
