[전기화학 실습]알루미늄(Al)의 식각(etching) 실험

소개글

정류기를 이용한 알루미늄의 식각(etching)공정

목차

없음

본문내용

◈ 제 목
알루미늄의 Anodizing 및 식각(etching) 실험
◈ 작성자 및 실험일자
작성자: 생명화학공학과 200_______ 홍길동 O조
실험일자: `10년 11월 4일 목요일 (Ti Oxidation과 같이 실험을 병행)
◈ 실험목적
식각공정은 산업적으로 반도체 공정 간에 사용되고 있고 또 표면적을 넓힘으로 인한 높은 정전용량을 갖는 capacitor를 제조하는데 이용되고 있다. 이번 실험을 통해 위와 같이 넓은 이용분야를 갖는 식각공정을 이해하고 숙지하도록 한다.
◈ 실험이론
1.Al의 식각공정
알루미늄은 자연상태에서 표면 위에 치밀한 보호 산화막을 형성하고 있다. 하지만 할로겐 이온을 함유한 용액 내에서는 산화막이 파괴되고 알루미늄이 용액 내로 녹으면서 형성된 국부부식이 관찰된다. 즉 이로써 etching이 진행되어 표면적이 증가하게 되고 이런 방법을 이용하여 반도체 제조 공정간 웨이퍼의 산화막을 에칭하는데 사용하고, 또 고용량의 전해 capacitor를 제조하는데 이용하기도 한다. 본 실험에서는 NaCl의 염소이온으로 식각 실험에 이용하고자 한다.
2.Anodizing(양극산화법)

참고 자료

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