산화,확산,주입

소개글

산화, 확산, 주입 공정 전반에 관한 자료 입니다.

목차

1. What’s the Semiconductor?
2. Intrinsic Semiconductor?
3. Extrinsic Semiconductor? P-type Semiconductor
4. 반도체 제조 공정
5. 산화막의 필요성
7. 산화 과정
8. 산화막 공정이 진행되는 동안 실리콘의 소비
9. 실리콘 산화 성장률 비교
10. 산화 속도에 영향을 주는 인자
11. 불순물 도핑
12. 확산 (Diffusion)
13. 반도체 에서의 확산
14. 확산 기술의 발전
15. 확산의 두가지 모델
16. 선 확산
17. 후 확산
18. 확산의 원리
19. 기본 확산 방법
20. 확산 소스
21. 기체원 확산 과정
22. 액체원 확산 과정
23. 고체원 확산 과정
24. 확산 장치
25. Ion Implantation
26. Summary

본문내용

기본 확산 방법
증기 또는 박막에서의 직접 확산
유리질 또는 산화물의 형성과 열처리에 의한 확산
도펀트 이온의 가속에 의한 주입
저농도의 도펀트 주입,p웰영역의 형성,고농도의 얇은 접합의 형성.
결함의 발생이나 가격요소등을 고려해 열확산도 많이 사용.

석영관 로(quartz-tube furnace) 사용- Dopant가 포함된 혼합가스를 주입.
공정온도- Si ; 800 ℃ ∼ 1200 ℃ / GaAs ; 600 ℃ ∼ 1000 ℃
확산된 원자의 수 ∝ 혼합가스 내의 dopant의 분압.
Si 내로의 확산
P형 불순물 ; 주로 붕소(B) 이용.
N형 불순물 ; 주로 비소(As) 또는 인(P) 이용.

<중 략>

Annealing
격자결함, 격자손상 덩어리(Cluster)에 의해 carrier이동도, 수명시간 감소
응력에 의한 dislocation생성 => 누설전류 증가
->주입된 불순물의 비활성화 등으로 인하여 Annealing이 필요 (T=400~1000℃)
->RTA, Furnace 등의 열처리에 의하여 경계면으로 부터 에피층이 성장함. 즉, Solid phase Epitaxy(SPE)

참고 자료

없음