습식식각공정

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본문내용

식각 공정의 정의
사진공정에서 감광액(Photo Resist)을 이용하여 형성된 MASK 지역 이외의 드러난 막질(POLY,OXIDE,METAL)을 식각 물질(GAS,CHEMICAL용액 등)을 이용하여 제거하는 것
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막질 증착
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실리콘 웨이퍼
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사진 공정에서
감광물질 도포
(PHOTO RESIST)
식각 공정을 통해
원하는 부위의 막질을 선택적으로 제거
식각 공정 후 불필요한 감광물질을 제거하고 식각 공정에서 발생한 부산물 등을 깨끗이 세정
습식식각은 화학용액에 웨이퍼를 일정시간 담구어 식각하고자 하는 막질을 필요한 만큼 제거하는 방법이다.
원하는 막질만 선택적으로 제거하는데 선택비가 높은 것이 장점이다.
* 선택비 - 식각중 드러난 서로다른 막질이 식각되는 비율로 선택비가 높을수록 Over Etch해도 별문제가 없어 좋다.
습식식각은 식각공정 중 등방성 식각이라고 할 수 있다.
등방성 식각이란 주로 화학 용액 등으로 습식식각을 할 경우 식각하고자 하는 막질이 드러난 부분에는 모두 용액이 침투하여 식각되는 특성을 갖는다.
습식식각의 장,단점
장점 - 건식에 비하여 생산성(THROUGHPUT)이 매우 좋다.
선택성(SELECTIVITY)이 건식에 비하여 매우 좋다.
단점 - 폐액처리가 어렵다. 화학물질에 담가두어 식각을 진행시키기 때문에 화학물질의 처리가 어려움
등방성 식각으로 측면식각이 심하게 나타나므로 미세한 PATTERN의 가공에는 한계가 있다.
감광액의 밀착성 상태에 영향을 심하게 받는다. 기포나 이물로 인하여 식각이 진행되지 않는 부분이 발생
식각의 종료점을 확인하기가 어렵다. 온도조절장치로 온도를 조절하나 그 조절에 한계가 있음
수세
식각을 하면서 웨이퍼에 묻어 있는 식각액을 씻어내는 과정이다.
이때 순수를 사용하게 되는데 순수의 깨끗함의 정도를 마지막 수세조에서 확인을 한다.
이는 순수내의 불순물에 의한 비저항 값의 변화를 이용하여 알아낸다.

참고 자료

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