7주차 결과 전자전기컴퓨터설계실험3(2014.05.02.)
- 최초 등록일
- 2014.07.01
- 최종 저작일
- 2014.03
- 13페이지/
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목차
1.Introduction.
(1)Purpose of this Lab
(2)Essential Backgrounds for this Lab
2.Materials & Methods
(1)Procedure of Lab
(2)Materials of this Lab
3.Supposed Date and Results of this Lab
4.토론(Discussion) 및 결론(Conclusion)
5.Reference
본문내용
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 줄여서 MOSFET의 구성과 특징을 이론적으로 살펴보고 기본적인 회로 실험을 통해 MOSFET에 대해 알아본다.
(2)Essential Backgrounds for this Lab
-MOSFET
금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 (MOS field-effect transistor)는 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적인 전계효과 트랜지스터 (FET)이다. 줄여서 MOSFET (한국어: 모스펫)이라고도 한다. 모스펫은 N형 반도체나 P형 반도체 재료 (반도체소자 참조)의 채널로 구성되어 있고, 이 재료에 따라서 크게 엔모스펫 (NMOSFET)나 피모스펫 (PMOSFET), 두 가지를 모두 가진 소자를 씨모스펫(cMOSFET, complementary MOSFET)으로 분류한다. (또한 일반적으로 nMOSFET, pMOSFET, NMOS FET, PMOS FET, nMOS FET, pMOS FET. etc..라고도 함)
MOS : metal-oxide-semiconductor
금속 산화막이란 이름이 붙은 것은 초기에 게이트로 금속을 이용하였기 때문이나, 현재는 폴리실리콘 게이트를 사용하여 금속이란 이름은 그저 관습적인 표현이 되었다. 저항층 게이트 전계효과 트랜지스터 (insulated-gate field-effect transistor, IGFET)는 모스펫과 거의 동의어이며 산화되지 않은 게이트 저항층을 갖는 전계효과 트랜지스터를 가리킨다. 폴리실리콘 게이트를 갖는 소자를 가리킬 때 "IGFET"의 사용을 선호하지만, 아직도 대부분은 모스펫이라고 부른다.
참고 자료
Sedra micro electronic circuit 6TH
http://sun.uos.ac.kr/~exp3/ Mosfet1k
http://ko.wikipedia.org/wiki/MOSFET
2014 전자회로1 교안 문용삼교수님
