Common-Gate & Common-Drain Amplifiers 12주차 결과보고서(점수 10+2/10)

소개글

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목차

I. 서론
A. 실험 목적
B. 실험 이론

II. 실험 결과 및 분석
1. Common-gate amplifiers
2. Source-follower
3. 오차에 관하여

III. 결론

본문내용

I. 서론
A. 실험 목적
MOSFET을 이용한 Common-gate 및 Common-drain amplifier에 대한 이해
B. 실험 이론
Common-gate amplifier란 MOSFET의 gate terminal을 ground와 연결하고, 이를 input voltage와 output terminal과 common시킨 amplifier이다. 이와 달리Common-drain amplifier는 Drain terminal을 common 시킨 amplifier 이다.

II. 실험 결과 및 분석
Common-gate amplifiers와 Source-follower의 실험에 앞서 지난 실험에서 진행했던 3.3.1. MOSFET quick parameter estimation을 반복할 필요가 있다. MOSFET은 각각의 소자가 약간이지만 고유의 값을 가지기 때문이다.

Figure 1과 같이 Vdd를 Gate와 Drain 쪽에 연결한 회로를 설계하여 값을 측정한다. 이 실험으로 얻어진 값은 다음과 같다. 지난 실험의 과정이므로 상세한 내용은 생략하도록 한다.

Vth=2.14V, kn=0.069767
이를 토대로 해서 이번 실험을 진행하도록 한다.

참고 자료

없음