"웨이퍼" 검색결과 181-200 / 238건

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  TFT 제작실험

  TFT (Thin Film Transistor)CONTENTS1. Introduction2. Experimental Process3. Experimental Results4. ReferencesCONTENTSExperimental ResultsIntroductionEx..

  리포트 | 32페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.08

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  [반도체] 반도체process

  1. 모래에서 회로까지의 실리콘 제조공정실리콘은 지구상의 가장 풍부한 원소중의 하나로서 모래에서 추출된 실리콘은 반도체 소자나 회로가 되는 것이다.IC 제조 공정을 크게 나누면 다음과 같이 네가지로 나눌 수 있다.1. 고순도 Polysilicon2. 웨이퍼 제조과정3...

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.05.24

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  세계태양광산업

  목차1. 세계태양광산업11-1. 세계 태양광 산업 동향 11) 세계 태양광 산업 투자 및 M&A 동향12) 태양광 시장 전망2(1) 태양광산업의 리스크 요인4(2) 전략적 시사점71-2. 국내 태양광 산업 현황81) 본격적인 성장 국면에 진입82) 업계 동향93) 국내..

  리포트 | 26페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.09.30

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  증착기를 이용한 반도체 공정

  재료 공학 실험증착기를 이용한반도체 공정에 대하여...◎ 증착기를 이용한 반도체 공정Ⅰ. 증착- 금속 또는 비금속의 작은 조각을 진공 속에서 가열하여 그 증기를 물체면에 부착시키는 일.고진공에 놓은 용기 속에 피복(被覆)될 물체와 그 표면에 부착시키려는 금속 등의 입자..

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.09.21

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  [반도체] VLSI 대규모 집적 회로 생산

  APPENDIX A (VLSI Fabrication Technology)A.1 {IC FABRICATION STEPS1) 실리콘 웨이퍼 제조{규석 산화물, 규산염 (지표의 28%)전기로{다결정 실리콘Czochralski 성장법Float Zone 성장법{단결정 실리콘잉고..

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.24

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  포토리소그라피(photolithograpy)공정의 기본과 금속배선공정인 무전해, 전해도금의 기초 및 원리

  Photolithography 와 금속 배선기술Photolithography and electrochemical deposition techniquesAbstract본 보고서에서는 TFT-LCD의 제조 공정의 기초 단계 중 하나인 Photolithography 공정에 ..

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.17

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  숙제4(확산)_2012

  숙제4[240]1. 실리콘에서 두 가지 확산 기구는 무엇인가? 붕소 및 중금속의 확산은 이 중 어느 것에 해당하는가?[20]① 틈새 위치 확산(Interstitial site diffusion): 원자가 틈새 위치에서 다른 틈새 위치로 이동하는 것. 실리콘 내에서 중금..

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.07.12

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  박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거

  1. 실험제목박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거2. 실험목적여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 세 가지 공정으로 나눠지는데 첫째로 증착공정 둘째로 마스크의 패턴형성 그리고 셋째로 식각공정으로 나눠진다. 이러한 공정 가운데서 중요..

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.12.18 | 수정일 2014.02.04

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  반도체 제조공정 이론 정리

  1. 반도체에서 오염이란?반도체 제조공정에서 발생하는 Particle, 유기물, 무기물, Byproduct 등 공정 내적인 것과 사람의 피부, 땀, 침 등의 공정 외적인 것을 총칭. 원하지 않는 형태의 이물질, 원자, 분자, 이온 등 은 수율에 크게 영향을 주므로 반드..

  시험자료 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2016.06.24 | 수정일 2022.10.17

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  [반도체] 반도체 재료 및 공정

  < 반도체 재료 및 공정 >1.반도체의 정의1-1.반도체란 무엇인가?전기가 반쯤 통하는 성질, 전기를 잘 통하지 않게 하는 이와 같은 것들을 부도체 또는 절연체 전기를 잘 통하게 하는 양도체,간단히 도체라고 부른다. 그런데 이 세상에는 제작자의 의도에 의해 도체도 될 ..

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.09.23

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  [반도체공학] 반도체 공정 및 스퍼터링

  반도체공정 Sputtering 결과반도체 제조 과정 11. 단결정성장 고순도로 정제된 실리콘 용융액에 시드(Seed) 결정을 접촉, 회전시키면서 단결정규소봉(Ingot)을 성장시킴. 실리콘 단결정의 제조 - 초크랄스키법(Pulling Method=인상법), 플롯존법(F..

  리포트 | 22페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.05

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  잉곳, 반도체, 박막 제조 공정

  실리콘 단결정(single crystal)- 초크랄스키법(CZ법)그림 5.2.1. 초크랄스키 결정 성장기의 구조.CZ법에서 단결정 실리콘덩어리(ingot)는 단결정 실리콘 종자(seed)를 용융된 실리콘과 접촉시킨 후 천천히 위로 끌어올리면서 냉각 고화하여 성장된다. ..

  리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.12.27

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  Materials for MEMS

  Materials for MEMS and Microsystems Korea University Electrical Engineering Prof. Jungho PakOutline Introduction Substrates and Wafers Active Substrat..

  리포트 | 48페이지 | 4,000원 | 등록일 2008.03.29

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  태양전지제조공정

  목차1. 태양전지의 종류2. 결정질 태양전지 구분3. 결정질 태양전지 제조 공정3.1 단결정 태양전지 제조 공정-실리콘 단결정 제조 방법-재료의 결정면3.2 다결정 태양전지 제조 공정 및 방법4. 웨이퍼의 가공5. TEXTURING6. P-N JUNCTION 제조 방법..

  리포트 | 38페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.11.25

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  반도체 제조 공정

  1. 단결정 성장 방법단결정 성장은 실리콘 웨이퍼 제조를 위한 첫번째 공정입니다. 고순도의 일정한 모양이 없는 폴리 실리콘이 고도로 자동화된 단결정 성장로 속에서 단결정봉으로 변형됩니다. 고진공 상태에서 섭씨 1400도 이상의 고온에 녹은 폴리 실리콘은 정밀하게 조절되..

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2003.04.19

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  [반도체] defect inspection

  이 논문은 결함 관찰방법과 elastic light scattering을 사용하여 반도체 wafer를 평가하는 기구들을 개관한다. 이 논제의 초점은 앞으로 소개되는 기구들의 특징: 부착물의 최소 관찰 크기,관찰량,미시적거침정도의 관찰력, 체적과 subsurface에서의..

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.12.26

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  [반도체 제조] 반도체 제조 공정

  반도체 제조 공정971235 채종원 971208 김용기 971230 정영운 00140056 이장묵반도체 특성도체와 부도체의 장점을 다 지님. 전기전도도의 조절 용이성이 바로 반도체의 무한한 가능성을 의미. 첨가되는 불순물의 양을 조절함으로써 전기전도도를 조절.반도체 집..

  리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.10.17

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  태양전지제조공정

  태양전지 제조공정전계 (BSF) 및 전극 형성 모듈 (MODULE) 제조 공정 반사방지막 (ARC) 형성 TEXTURING Cell 제조 공정 태양전지 구분 OUTLINE화합물 계 기 타 실리콘 계 단결정 Si (c-Si) 다결정 Si (mc-Si) 비정질형 Ⅲ-Ⅴ 형..

  리포트 | 27페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.11.25

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  반도체 공정의 이해

  반도체 공정의 이해 Prepared by ○○○ 2011.11.18( 금 )One chip 을 만들기까지 …. Design spec 결정 Design schematic Layout FabricationSchematic vs layout vs wafer A B A cro..

  리포트 | 29페이지 | 3,500원 | 등록일 2011.11.18

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  반도체 공정

  Trust Technology원자전기적 인력 = 관성 가전자 : 가장 외곽에 있는 전자(바깥 전자가 모든 것을 결정) Ex.) Mg : 1s22s22p63s2 원자가 = 2반도체 재료 및 결정구조SiC:Silicon carbon GaN:Gallium nitride In..

  리포트 | 50페이지 | 5,500원 | 등록일 2011.03.31

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