"E-beam Evaporator" 검색결과 181-200 / 202건

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  [금속재료공학]스퍼터링

  박막증착은 특히 반도체산업에서 핵심적인 분야인데 그동안 이온 빔(ion-beam), 전자 빔(electron-beam) 또는 RF(Radio-Frequency) 스퍼터링(sputtering ... 공정이 저 진공상태에서 수행되므로 다른 불순물에 의한 오염 가능성이 있다.(4) 스퍼터율( s p u t t e r y i e l d )스퍼터율(sputter yield)은 “하나의 ... 합금 물질의 조성은 evaporation에 의해 제조된 박막보다 더 정확하게 조절이 가능◇ 단점가. 높은 설치비용이 든다.나.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.15

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  [증착법] 증착법

  (단점) - X-ray 발생- e-beam source 위에 원자의 농도가 크므로 와류 또는 discharge가 심하다.3(adhesion)이 좋다.- 금속, 합금, 화합물, 절연체 ... .)의 증착에 유리하며, 증착속도는 filament에 공급하는 전류량을 조절함으로써 변화시킬 수 있다.2) Electron Beam Evaporation전자 beam을 이용한 증착방법은 ... 적합한 electron beam이 있다.W(m.p. : 3380℃, {{ 10}^{-6 }Torr에서는 2410℃)Mo(m.p. : 2510℃, {{ 10}^{-6 }Torr에서는

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.10.07

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  유기물 절연체를 이용한 고성능 플렉시블 박막 트랜지스터

  그리고 마지막으로 Lift-off 공정을 이용하여 실리콘의 소스, 드레인 부분에 크롬 3nm, 금 100nm의 두께로 전극을 형성하였는데, 이 때 금속 증착은 E-beam evaporation ... 그러나 .최근에는 wafer-based circuit 수준에 근접하는 성능을 지닌 플렉시블 소자를 만들기 위해서 플라스틱 기판 위에 single-crystal wafer를 선택적으로 ... .2) Nano Transfer Printing- PDMS 패턴위에 금속을 미리 증착한다.- 원하는 기판 (여기서는 GaAs) 위에 금속과 공유결합을 해서 접착력이 강한 표면 SAM

  리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.06.20

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  PLD에 대하여

  by Stimulated Emission of RadiationKrF reactions ① Ionization e- + Kr  Kr+, Kr*, Kr2+ e- + F2  F- ... 입사 ① Electronic excitation ② Evaporation Ablation Plasma 형성 Exfoliation  원자, 분자, 전자, 이온, Cluster, 미세입자 ... PLD의 원리① Excimer Laser beam 의 에너지 ② Target 표면에서 ablation 현상이 발생 ③ Target 물질이 기판부위에 이동하여 증착2.1 Excimer

  리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.11.09

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  PDP

  그리고 ITO와 같은 투명전극과 Mgo와 같은 보호막은 대부분 Sputtering이나 E-beam evaporation과 같은 박막 중착 기술에 의해 만들어진다. ... AC-PDP는 정현파 교류전압 또는 펄스 전압으로 구동되고, DC-PDP는 직류 전압으로 구동된다. ... PDP의 분류PDP는 일반적으로 방전셀에 인가하는 구동전압의 형식에 따라서 크게 AC-PDP(간접 방전형)와 DC-PDP(직접 방전형)으로 분류된다.

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.01.05

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  [반도체공학]박막증착

  lithography)자외선(UV)노광묘화선(e-beam)노광X선노광박막가공(patterning)습식식각건식식각-플라즈마식각스퍼터 식각반응성 이온 식각(RIE)박막처리(pre/post ... Example of a sacrificial etch-release for a cantilever beam. ... 디스플레이의 박막트랜지스터의 제조ㆍ열증착(evaporation), 스퍼터링(sputtering)으로 증착ㆍ저온(300oC)에서 공기중 CVD, LPCVD에 의해3-2 Single-Crystal

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.23

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  [전자재료실험]MOS캐패시터

  PVD에 해당하는 증착법에는 스퍼터링 (Sputtering), 전자빔증착법 (E-beam evaporation), 열증착법 (Thermal evaporation), 레이저분자빔증착법 ... 증발 → PR의 고형화)④ 노광공정(UV-exposure) - 8초⑤ 현상(development)⑥ hard bake4) Pt sputter 공정5) C-V 및 I-V 측정4. ... 절연층으로서 산화막()이 쓰이는 경우가 많으므로 MOS(metal-oxide-semiconductor) 트랜지스터라고 한다.

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.06.20

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  반도체 조립(신뢰성 문제로서의 Passivation, stress migration)

  이런 여러 배선재료의 특성에 passivation 효과를 알아보도록 한다.① Dielectric overlayer passivation- magnetron sputter와 E-beam ... evaporator를 이용하여 반도체 배선을 제작하고, RF sputter를 이용하여 3000Å의 SiO2의 절연보호막을 형성하였다. ... (a)기판온도변화 (b)SiO2 절연막 형성에 따른 변화(기판온도 150℃)->그림13 (a)에서는 Al-alloy 배선의 기판온도가 .

  리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2006.12.22 | 수정일 2017.11.04

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  박막증착

  이온화 시킨다.Ar + e-(primary) = Ar+ + e-(primary) + e-(secondary)-. ... XMrgl PVD는 CVD에비해 작업조건이 깨끗하고, 진공상태에서 저항열이나 전자beam, laser beam 또는 plasma를 이용하여 고체상태의 물질을 기체상태로 만들어 기판에 ... 이 박막을 증착 시키기 위한 대표적인 방법으로는 물리적으로 증착시키는 Evaporation, Sputtering, SOG( Spin on Glass ) 등과 화학적인 반응을 이용한

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.10.24 | 수정일 2017.07.17

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  [박막공학] Sputtering

  종류에는 Thermal and E-Beam Evaporation, DC-diode Sputtering, RF Sputtering, Trided Sputtering, Magnetron ... Sputtering, Bias Sputtering, Ion Beam Sputtering 등이 있다.Vapor-phase epitaxy의 발전을 위한 많은 기술과 시스템들이 발전을 ... Deposition)으로써, evaporation, sputtering 과 같은 물리적인 힘(증발, 승화, 이온충돌 등)을 이용하여 시편에 증착을 시키는 방법이다.

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.22

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  진공증착 (Evaporation)

  증발(Arc Evaporation)4) 마그네트론 증발(Magnetron Evaporation)5) 이온빔 증발(Ion-beam Evaporation){(이온도금 과정). ... 이온도금(Ion Plating)1) 열증발(Thermal Evaporation)2) 고전압 전자빔 증발(High Voltage Electron Beam Evaporation)3) 아-크 ... Ar + e-(primary) = Ar+ + e-(primary) + e-(secondary)* Ar이 excite되면서 전자를 방출하면, 에너지가 방출되며, 이때 glow discharge가

  리포트 | 11페이지 | 2,500원 | 등록일 2002.04.10

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  [광전자]RBS analysis in thin film

  분석∆E=[S]t 로 부터 해당원소의 박막두께의 t를 추정 ∆E : 실험결과로 부터 ∆E측정 [S] (에너지 loss factor) : 각 원소를 He이온에 대한 [S]를 참고문헌에서 ... Ions by Cesium Sputtering) ion source원리 : 진공중에서 Cs 을 오븐으로 가열  evaporation  surface ionization emitter ... such that the rows of atoms are exactly parallel to the incident beam direction as depicted fig.

  리포트 | 34페이지 | 10,000원 | 등록일 2004.05.10 | 수정일 2018.09.16

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  [반도체] 스퍼터링

  Target의온도가 높으면 sputter yield가 증가하는데 그 이유는 어느 정도 thermal evaporation이 기여하기 때문이다.⑤ 튀어나오는 원자으며 Maxwell-Boltzmann ... ※sputter yield 특징① Sputter yield는 target 원소의 heat of evaporation에 의존하는데, heat of evaporation이증가하면 sputter ... Sputtering yields for Ni and Au versus incident angle of light ions (θ is the angle between the ion beam

  리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.12.08

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  [공업화학실험] 박막재료의 표면 처리 및 식각 공정

  금속층은 다음의 방법에 의해서 wafer에 vacuum - deposit 된다.1) Filament Evaporation2) Flash Evaporation3) Electron-beam ... 인가된 자기장을 상쇄하는 방향으로 운동을 하는 반자성적 성질 (Diamagnetism)을 가지고 있다.플라즈마 발생 및 장치1.플라즈마의 발생플라즈마의 생성은 하전입자(전자)를 전장 E-field ... Evaporation4) Sputtering◎식각식각 공정은 웨이퍼 표면의 선택된 부분을 제거하기 위해 사용되는 공정이다.

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.01.20

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  [반도체공학] 반도체 제조공정

  반사경을 조절 E-beam pattern generator CAD의 패턴 스케치 정보 인식 노출된 광막의 화학적인 변화와 산화를 위해 e-beam 사용UV light : 노출된 광막으로 ... 확산 확산하는 원자들과 관련하여 n형, p형의 성격을 지니게 된다.Device processAcid Etch 하나의 pattern에서 원하는 부분만 제거Dry Etch : gas, e-beam ... Bunny, 웨이퍼 카셋의 색깔을 달리 사용 - 칩 차원 = 구리를 확산방지막(Ta/Ta-N계, 실리콘 질화막)에 가두는 방법 DaessMetal Deposition - Evaporation

  리포트 | 29페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.01.02

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  [PDP]PDP정의,특성,작동원리,종류,제조공정소개

  전극을 보호, Condenser역할Seal재 형성DispenseFire소재 : 저융점 Frit GlassMgO보호막 형성증착소재 : MgO공정 : 박막공정(Sputtering, E-Beam ... Evaporation 등)역할 : 유전층 보호, 2차 전자 방출계수를 증가그림 11 상판패널의 제조공정9.2 하판 제조공정공정상세업무기타Glass 투입Glass투입Cleaning소다라임 ... )- EL(Electro Luminescence)- PDP(Plasma Display Panel)2) Non-Emissive디스플레이 : 스스로 발광하지 못하는 소자- LCD(Liquid

  리포트 | 16페이지 | 5,000원 | 등록일 2005.07.08

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  [물리학(가속기)] 집속 이온빔 장치의 구조 및 기능

  집속 이온빔 장치(Focused Ion Beam System)2.1.1. ... Deflector에 의하여 주된 이온빔에 의하여 발생되는 이차 이온이나 전자를 CEM으로 검출하여 이를 pre-amp로 증폭하나 후에 display의 Z축에 보내어 X-Y의 좌표에 ... (adsorption)된 원자나 이온들이 그대로 전계방출되는 현상을 전계추출(field desorption)이라고 하고, 금속표면 자체로부터 전계방출되는 것을 전계기화(field evaporation

  리포트 | 25페이지 | 1,500원 | 등록일 2001.11.08

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  [반도체]열CVD 와 플라즈마CVD

  고체의 증발은 전기적 가열 이외에 전자선(electron beam)이나 레이저 등이 쓰이는 경우도 있다. ... 같은 목적의 재료공정으로 증발법(evaporation)이 있다. 증발법은 고체를 열적으로 증발시켜 증착하고자 하는 물질 위에 막을 형성하거나 또는 공간에서 미립자를 발생시킨다. ... 단 로렌쓰 근사화가 성립하는 것은 유효전계 E/N(전계E, 기체밀도N)가 낮은 경우이다. 전자에너지 분포로부터 예컨대 이온화 주파수 vl를 구하기 위하여는 다음식을 이용한다.

  리포트 | 35페이지 | 4,000원 | 등록일 2003.01.10

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  반도체 제조 공정

  구성 각층의 모양은 'reticle'이라 불리우는 층을 가짐 reticle은 실제 그들이 만들어지는 크기의 약 1~10배입니다.STEPPER EXPOSURE사실상 레이저패턴발생기와 e-beam패턴발생기는 ... + Ar -- 2e + Ar+IonizatioA* A* + e + AA* : 전자 여기된 meta-satble보통 : 10-8 sec O 족 : 10-3 sec 으로 여기된 상태로 ... 원자들의 일련의 충돌, 밖으로 튀어 나옴 (Sputtering , etching)METAL DEPOSITIONAl이나 Au 혹은 W등의 금속은 소자에 전도층을 형성 이베포레이션(Evaporation

  리포트 | 36페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.09.23

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  Synthesis of Few-Layer MoS 2 Nanosheet-Coated TiO2 NanobeltHeterostructures

  실험실 보유 장비E-beam evaporator, Electrospining, Sputter, PLD(pulsed laser deposition), Mask aligner, Tube ... 주제Synthesis of Few-Layer MoS 2 Nanosheet-Coated TiO 2NanobeltHeterostructures.2. ... stainless steel autoclave로 옮겨 180, 48h 가열 후,상온에서 air-cooling.여과를 통해 얻은 Na2Ti3O7powder를 deionized water로

  논문 | 2페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.06.26

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