"tin oxide" 검색결과 181-200 / 438건

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  유기디스플레이 투명전극용 전도성 고분자

  oxide)으로 투과도가 우수하고 저항값이 낮기 때문에 투명전극 재료로 가장 널리 쓰이고 있다. ... Oxide)가 대부분 사용되고 있다.대표적인 평판디스플레이인 LCD의 경우 아래 그림에서 보여지는 것처럼 공통전극 및 화소전극에 사용되며 TFT를 통하여 인가된 신호전압을 액정 셀에 ... 사용되는 투명전극 재료는 전기적 특성 및 에칭 특성이 우수하고 광투과도가 우수한 재료가 필요한데 현재는 지금까지 개발된 재료 중 가장 우수한 물성을 나타내고 있는 ITO(Indium Tin

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.12.18

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  [발광디스플레이 실험] TCF의 전기적광학적특성

  사용되지만 위에서 언급했던것과 같이 높은 온도의 공정으로 인한 문제발생과 Indium의 희소성으로 가격이 비싸다는 점은 극복해야 할 문제이다.- FTO (Fluorine doped Tin ... semiconductor 물질이기 때문에 oxide가 붙는다. ... 보통은 줄여서 TCO(Transparent Conductive Oxide), 우리말로는 투명전극이라는 단어를 사용하기도 한다.

  리포트 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2011.12.28

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  고분자유기태양전지실험

  ITO ( Indium-Tin Oxide ) : 산화인듐주석-----------------------51-4.

  리포트 | 25페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.10.02

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  직업 병리 요약본

  dust, tin dust, barium dust, calciume, …..CollagenousThis disease type involves permanent disfuction ... mixed rxn = combination of aboveFVC : FEV < 75% we can measure asthmno fivrosis is ovservedEx) iron oxide

  시험자료 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.07.13

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  [무기화학실험]주석(朱錫)의 산화 반응

  주석(朱錫)의 산화 반응- The Oxidation states of Tin -실험 목적주석의 특성을 이해하고 산화 상태를 비교해 봄으로써 요오드화 주석 (Ⅳ), (Ⅱ) 을 제조해본다주석의

  리포트 | 12페이지 | 4,000원 | 등록일 2014.09.24 | 수정일 2020.07.27

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  ITO 투명전극과 TCO

  그리고 더 미세하게 만들기 위해 이멀전법을 사용하는 경우도 있습니다.근데 저희가 수입하는 ITO(Indium Tin Oxide)는여.. ... ITO는 Indium-Tin Oxide(산화인듐주석)로 전기전도가 우수하면서 Band-gap이 2.5eV이상으로 가시광역에서 투명하기 때문에 디스플레이의 투명전극에서 많이 쓰입니다. ... 다른 투명전극 재료에 비해 전극 패턴 가공성이 우수하고, 화학적 열적 안정성이 뛰어나며 Coating시 막 저항이 낮습니다.ITO 재료의 특징ITO는 indium-tin oxide로

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.29

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  아주대학교 통합설계프로젝트1 OLED 최종보고서

  oxide (ITO) is commonly used as the anode material. ... obtaining emission from both singlet and triplet states and improving the internal efficiency.Indium tin ... However, the problem with aluminum connection’s oxide have be

  리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.06.25

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  2009 IEDM 주요 반도체업체 차세대 반도체 기술전망(IEEE International Electron Devices Meeting)

  Ti 증착으로 높은 층덥힘과 돌출최소화 문제가 있음- CVD TiN Barrier? ... 제거가 가능하나 oxide나 nitride가 제거되지 않음- PVD Ti를 이용하여 컨택하부에서 C, O등 잔류가스를 제거함으로서 Rc를 높이는 방법이 일반적임? ... TiN이 Barrier와 접착층으로 쓰이고 있으나 Barrier volume과 두께를 최소하하는 문제가 있음o 구리배선공정을 위한 Dielectric Films- Pitch의 미세화로

  리포트 | 23페이지 | 3,500원 | 등록일 2010.05.07

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  OLED PL-실험 EL-실험

  Oxide) 에칭과정ITO Glass를 가로, 세로 2cm 가 되도록 유리커터기를 이용해서 자른다. ... 제작EL(Electro Luminescence)는 글래스에 전극과 증착되어지는 Al 가 서로 애노드와 캐소드의 역할을 하여 전류가 흐르면 발광되는 패널이다.1) ITO(Indium Tin

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.10.05

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  sputtering

  SnO2SnO2 (tin oxide)는 ITO에 비해 값가격이 싸며 화학적으로 안정한 재료이지만 전극 패턴 형성 시 에칭에의 난점과 고저항의 단점을 지닌다. ... 투명 전도성 산화물(Transfer Conductive Oxide)이라 불리는 TCO박막은 LCD Display panel을 비롯하여 모바일, 태양전지 등 다양하게 쓰이고 있다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.25

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  TCO,ITO

  SnO2SnO2 (tin oxide)는 ITO에 비해 값가격이 싸며 화학적으로 안정한 재료이지만 전극 패턴 형성 시 에칭에의 난점과 고저항의 단점을 지닌다. ... 투명 전도성 산화물(Transfer Conductive Oxide)이라 불리는 TCO박막은 LCD Display panel을 비롯하여 모바일, 태양전지 등 다양하게 쓰이고 있다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.25

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  상보 기업보고서

  .□ 탄소나노튜브(CNT) 투명필름 및 터치센서현재 터치스크린용 투명전극은 희귀금속인 산화인듐주석(각종 평판 디스플레이의 투명전극소재, Indium Tin Oxide, 이하 "ITO

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.01.14

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  임베디드 소프트웨어 프로젝트 - 샤프심뽑기 [소스코드 해석 포함]

  ITO는 반도체도 아니고 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide)라 부르는 화합물입니다.이 물질을 유리위에 얇은 진공 증착(코팅)을 하면 전기가 통하는 전도 물질이 됩니다.인터럽트

  리포트 | 24페이지 | 4,000원 | 등록일 2012.05.22

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  협력업체선정감사체크리스트(자동차-PCB부문)

  온/습도:온도21±2˚C,습도 50±5% :온습도 변화에 따른 필름 수축율 변화 민감함50온도관리는금도금,TIN)두께전산 측정 및 관리 실시통계적 기법 활용방안 계획수립 및 활용상태 ... 공정MLB Oxide 재처리 기준은 표준화되고 표준이 준수되는가? ... : P/P 와 내층 적층면과의 접착력을 향상목적동박 두께별 Oxide 재처리횟수 표준화: 1/3 온스 , 1/2 온스, 1 온스별로 재처리 횟수 기준 수립10ETCH Rate 관리

  서식 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.10.02

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  ITO glass 의 개발과 용도

  Indium-Tin Oxide(In2O3 : SnO2(90/10))의 줄인 말로 투명하면서 전기가 통한다.모든 디스플레이에서 필요한 것이 아니라 매트릭스 방식으로 구동되는 PDP,

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.04

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  Spectroelectrochemical Study of Benzyl Viologen

  oxide, ITO))보조전극 (auxiliary electrode (Pt wire))기준전극 (reference electrode (Ag/AgCl))전기화학실험을 위하여 Electrochemical ... spectrometerThree-electrode electrochemical cell은 다음과 같은 전극들로 구성된다.작업전극 (working electrode (glassy carbon, GC and indium tin

  리포트 | 9페이지 | 5,800원 | 등록일 2013.12.22 | 수정일 2017.11.06

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  전전컴설계실험1-1주차결과

  첫번째 저항 : 50*10^0Ω, 허용오차 : 5%- Metal Oxide Film resistor(산화금속필름저항)세라믹 로드에 금속산화물의 도전성 박막을 코팅하여 저항체를 형성하고 ... 있습니다.Thin Film Chip resistor박막형 칩 저항기는 후막형 칩 저항기와 거의 같은 모양을 가지고 있지만 저항체 막의 두께가 훨씬 얇고 저항체 금속으로 Ni-Cr계, TiN

  리포트 | 18페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.03.28 | 수정일 2014.04.15

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  폐기물 원소분석

  Detector로 검출한다.CHN/CHNS와 Oxygen의 분리기술은 다음과 같다.(2)CHN/CHNS의 분석① 시료는 Tin container에 정확한 무게로 달아 Helium gas로 ... container에 정확히 달고 1070℃로 온도 조절되는 반응로에서 분해시킨다.② 정량적으로 변화된 Oxygen은 Nickel coated carbon 촉매층을 통과하면서 carbon Oxide

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.30

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  NMOS 제조과정(공정,장비,조건등) 올컬러

  planarization)11)■ PR 코팅 후 노광하여 Contact hole patterning.12)■ Dry etching 이용하여 Metal contact hole 형성.13)■ Ti, TiN ... (Si3N4는 Active area 보호)3)■ Wet oxidation으로 3000Å의 LOCOS(Local oxidation of Silicon) 공정 후,Wet etching으로 ... 300Å SiO2 박막 형성■ LPCVD로 Si3N4 증착 후 PR 코팅2)■ 노광 후 Si3N4를 Dry etching하여 Field oxidation patterning.

  리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.12.31

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  The principle of display

  층 : 전자와 정공의 결합으로 빛을 방출 정공 운송 층 : 정공주입층의 정공을 유기발광층까지 전달 정공 주입 층 : 양극에서 정공을 용이하게 방출하도록 함 ITO (Indium Tin ... Oxide) : 유기EL과 직접 접하는 양극OLED (Organic Lighting Emitting Diode)의 구조OLED (Organic Lighting Emitting Diode

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.10.21

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