"tin oxide" 검색결과 381-400 / 435건

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  [재료공학] 초음파 분무 분해법의 종류와 박막증착

  The electroreduction of O2 on pure thin oxide films of composition NixCo3-xO4 (0 x 1.8) deposited onto ... The optimum substrate temperature and fluorine to tin atomic ratio in the solution were found to be 450oC

  리포트 | 23페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.12

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  [반도체 제조공정] 반도체 제조공정

  →마스크의 pattern을 그대로 PR에 옮기는 과정노광시간은 8의 절연막, 폴리실리콘막 및 W 등의 금속막은 CVD법에, A1, TiN 등의 금속 또는 도전성 막은 PVD법인 스퍼터링 ... Si ( n-type ) wafer→ SiO₂를 성장시킨 waferd위에 Metal과 Oxide의 adhesion을 좋게 하기 위해 TiO₂를 증착2. ... ABO3 구조(a)(b)그림 2 강유전체의 분극원리(a) 전계를 가한 상태의 페로브스카이트 구조(b) 강유전체의 이력곡선이러한 강유전체의 분극특성을 이용하여 MOSFET(metal oxide

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.11

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  나노 powder 기술

  Oxide (In2O3 와 ZnO2 Chamber : SiO2/Si Quartz glass기판가열 / 열처리XRD 분석나노 분말 기술의 응용 분야- ITO nano powder를 ... - CVD, Evaporation, Sputter, Spray 등나노 분말 기술의 응용 분야- ITO nano powder를 이용한 투명전도막ITO nano powderIndum Tin

  리포트 | 47페이지 | 2,500원 | 등록일 2006.12.20

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  [공학] LCD 작동원리 생산공정 및 시장동향

  Oxide)가 증착된 형태로 구성된다. ... (BM)으로 Pixel 과 Pixel 사이를 광차단막을 형성한 수 R(Red), G(Green), B(B lue)의 Color Filter 층 위에 공통전극으로 ITO(Indum Tin ... .● TFT란 전계효과 트랜지스터(FET:Field Effect Transistor)인 MOS(Metal Oxide Semiconducter)FET의 일종으로 유리기판위에 아모퍼스

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.11.02

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  LCD와 VFD

  Oxide,투과성 CF 기판을 정밀하게 합착시킨다. ... 앞서 했던 2가지 공정과는 약간 다른 공정으로 증착, 세정 과정이 필요 없이 컬러를 갖는 감광 물질을 도포하여 노광, 현상의 공정을 거치면 된다.③ITO 공정- ITO(Indum Tin

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.09.27

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  [실험자료]원자층 단위 증착(ALD) 공정의 기본 원리

  .- 경제적인 효과ALD에 의한 ZnO 에피성장기술은 국내 광전자 소자제조업체들에, Al₂O₃ 및 TiN 박막 증착 기술은 국내 반도체 및 디스플레이 제조회사들에 기술이전되어 국내 ... Rinsing 한다.- 자연 산화막과 금속성 불순물을 제거. wafer 표면은 소수성이 됨.③ 불활성 기체(N2, Ar 등)로 blowing하여 Drying한다.(2) Silicon Oxide

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.07

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  touch screen

  Oxide)- ITO(Indium Tin Oxide)는 전류를 흐르게 하기 위해 증착 시키는 금속으로써 투명도전재료로 전자기기 특히 DISPLAY분야에서 널리 사용되고 있다. ... CONTROLLER단에서 SERIAL/PARALLEL방식으로 X,Y좌표 전송3-2 구성 요소□ ITO Glass □ 양면 Tape□ ITO Film □ FPC or HSC※ ITO (Indium Tin

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.12.12

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  [display]LCD 모듈

  Oxide)가 증착된 형태로 구성된다.① Passive Matrix, Active Matrix- Passive Matrix -? ... (BM)으로 Pixel 과 Pixel 사이를 광차단막을 형성한 수 R(Red), G(Green), B(Blue)의 Color Filter 층 위에 공통전극으로 ITO(Indium Tin

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.11.19

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  [디스플레이] LCD의 전반적인것에 대하여

  (BM)으로 Pixel 과 Pixel 사이를 광차단막을 형성한 수 R(Red), G(Green), B(B lue)의 Color Filter 층 위에 공통전극으로 ITO(Indum Tin ... 력은 같은 화면 크기 의 CRT에 비하면 30-40%정도이며, 발열량도 작다.TFT란 전계효과 트랜지스터(FET:Field Effect Transistor)인 MOS(Metal Oxide ... Oxide)가 증착된 형태로 구성된다.(1) TN- Cell의 설계TN 액정에 있어서 Normally Black Mode(NB Mode)과 Normally White Mode(NW

  리포트 | 19페이지 | 3,000원 | 등록일 2004.10.29

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  [액정디스플레이] LCD 부품 정리와 보고서

  액정 표시용 투명전극은 산화인듐(ITO : Indium Tin Oxide)막과 산화주석(SnO2)막 등이 있다.

  리포트 | 35페이지 | 3,000원 | 등록일 2005.09.27

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  [반도체]CVD

  기판과의 화학반을에 의해 박막이 형성되므로 단차 피복성(Step coverage)이 매우 우수하다.TiN - 마찰계수가 작아서 절삭공구 등의 표면처리에 광범위하게 응용 TiAlN과 ... 반응 2AX(g) + 3H2(g) → 2A(s) + 2HX(g) Ex) WF6(g) + 3H2 → W(s) + 6HF(g) 2BCl3(g) + 3H2 → 2B(s) + 6HCl(g)Oxidation

  리포트 | 21페이지 | 2,500원 | 등록일 2003.04.19

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  수소 열처리 온도에 따른 AZO(Al-doped Zinc Oxide)의 구조적, 광학적, 전기적 특성 변화

  유기발광소자 및 태양전지에서 전도성 투명전극으로 Indium-tin-oxide (ITO)가 일반적으로 많이 사용되고 있지만 Indium의 희소성, 유독성 및 높은 가격으로 인하여 Indium의 ... 투명전도성산화물 박막 (Transparent Conducting Oxides, TCOs)인 ZnO는 우수한 전기적 및 광학적 특성을 가지기 때문에 유기발광소자, 광다이오드 및 태양전지와

  논문 | 1페이지 | 5,000원 | 등록일 2014.07.17 | 수정일 2016.11.25

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  [신소재]복합재료

  Oxide,투과성과 도전성이 좋으며 화학적, 열적 안정성이 우수한 투명 전극 재료)를 BM공정처럼 패턴 공정을 통해 생성한다. ... 했던 2가지 공정과는 약간 다른 공정으로 증착, 세정 과정이 필요 없이 컬러를 갖는 감광 물질을 도포하여 노광, 현상의 공정을 거치면 된다.3)-3 ITO 공정ITO(Indum Tin

  리포트 | 85페이지 | 4,000원 | 등록일 2006.06.28

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  [PDP]PDP공정

  한편 상판에는 방전유지를 위한 X전극과 Y전극이 투과도를 고려하여 ITO(Indium Tin Oxide)로 형성되고, 전극의 가장자리에는 ITO의 높은 저항을 보상하기 위하여 Ag,

  리포트 | 80페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.06.10

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  반도체 공정

  이런 현상을 막 기 위해 Si과 Al 사이에 완충물질로 silicide위에 W, TiN, TiWN 등을 사용한다.6.1 금속박막을 입히는 방법(1) Sputteringplasma 상태의 ... Pad oxide- Implantation과 확산의 마스크 역할- 소자의 분리(Field oxide)- Surface Passivation4. ... Oxidation(산화공정)-산화막을 만드는 공정4. Diffusion(확산공정)-반도체에 불순물을 첨가하는 공정5.

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.09.06

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  [디스플레이] 유기EL, TFT LCD, PDP 디스플레이

  전면 전극은 일반적으로 PET 기판 위에 Indium tin oxide(ITO)가 스퍼터링되어 있다. ... TFT란 전계효과 트랜지스터(FET:Field Effect Transistor)인 MOS(Metal Oxide Semiconducter)FET의 일종으로 유리기판위에 아모퍼스 실리콘

  리포트 | 24페이지 | 3,000원 | 등록일 2004.08.18

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  [박막공학] CVD의 모든것

  (c) 25 ㎛/hr.증착한 박막의 X-선 회절결과 증착속도가 1 ㎛/hr.이하로 느린 경우 TiN은 예외없이 (200) 우선방위를나타내었다. ... 아래 결과는 저온 열화학 증착법으로 제조한 TiN 박막의 증착속도 변화에 따른 우선방위의 변화에 대해서 간단히 소개하였다.각각의 박막의 증착속도는 오른쪽과 같다. ... and Hydrolysis 반응oxidation 과 hydrolysis 는 산화물을 형성하기 위해 사용되는 두 개의 중요한 반응이다.

  리포트 | 12페이지 | 4,000원 | 등록일 2002.07.20

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  [박막공학] MOCVD,CVD.VPE

  the saturation mechanism - Thickness is controlled the # of reaction step ▣ ALD Process Application Oxides ... : Al2O3, ZrO2, HfO2, Ta2O5, SnO2, RuO2, SiO2 Nitrides : TiN, NbN, TaN, Ta3N5, MoN, WN, TiSiN, SiN Elements

  리포트 | 34페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.11.02

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  [디스플레이]OLED : OLED의 원리, 특성 및 응용분야

  일반적으로 기판은 유리를 사용하지만, 경우에 따라서는 구부림이 가능한 플라스틱이나 필름 종류를 적용하기도이나 sputtering에 의해 형성된 ITO(Indium-Tin-Oxide)

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.11.06

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  [컴퓨터와 정보] PDP

  Oxide)로 형성되고, 전극의 가장자리에는 ITO의 높은 저항을 보상하기 위하여 Ag, 혹은 Cr-Cu-Cr의 버스전극을 형성한다. ... 전극은 상판에 sustain(X)전극과 scan(Y)전극이 나란히 위치하고, 하판에는 address전극을방전유지를 위한 X전극과 Y전극이 투과도를 고려하여 ITO(Indium Tin

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.09.23

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