"습식식각" 검색결과 201-220 / 306건

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  반도체 클림룸의 청정화 기술

  청정기술중앙집중식 스크러버(Centralized Wet Scrubber)최근 스크러버 기술동향습식 전기집진장치의 원리습식 스크러버들은 가스 흡수는 물론 Mist,Dust의 제거등의 ... 클린룸 내에서의 제조 공정 오염물질의 생성2.식각(Etcing)공정공정 설명 : 노광 과정을 통해 형성된 감광체 모형들을 마스크로 하고, 마스크 아래에 있는 부분과 외부로 노출된 부불들 ... 이렇게 외부로 배출된 배기들은 대기로 최종 배출되기 전 중앙집중식 습식 스크러버에서 최종 처리된 후 배출된다.수평형 스크러버 개념도반도체 클린룸 배기가스의 오염제어 및 청정화 기술4

  리포트 | 20페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.06.06

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  잉곳, 반도체, 박막 제조 공정

  습식 식각습식 식각 과정은 일반적으로 건식 식각 과정에 비해 등방성의 식각이 이루어진다. 습식 식각의 이러한 특징은 3 m 이하의 형상을 정의하는 데는 부적합하다. ... 이번 절에서는 습식 식각과 건식 식각의 특징 및 몇 가지 응용사례를 통해서 에칭에 대해서 이해를 돕고자 한다.5. ... 질화 실리콘의 습식 식각실리콘 질화막의 식각 용액은 155의 인산인데, 감광막이 그 온도에서 견딜 수 없기 때문에 마스크로서 산화막을 형성시킨다.

  리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.12.27

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  동우화인켐 취업자료

  산화인듐막을 동시에 습식 식각할 수 있는 새로운 형태의 식각액 조성물을 제공하는 것임 .특허 - 금속 식각액조성물 작용특허 - 금속 식각액조성물 작용특허 - 금속 식각액조성물 작용 ... 금속 식각액조성물 효과 본 발명의 통합 식각액 조성물을 이용하며느 한 종류의 식각액을 사용함으로써 종래의 각 막질별 상이한 식각용액을 이용하는 경우의 문제점인 작업환경과 복잡한 폐수처리시설을 ... 박막트랜지스터 액정표시장치 제조공정 중에 사용되는 금속막을 형성하기 위한 식각액에 관한 것 .특허 - 금속 식각액조성물 구성 식각액은 전체 조성물 총 중량에 대하여 인산 50-70.

  리포트 | 35페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.08.16

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  반도체 제작 공정

  다결정 실리콘을 식각할 때 플라즈마를 사용하는데는 제한이 있다. 왜냐하면, 플라즈마 식각은 식각율이 높아서 조절하기 어려운 반면 습식 식각은 간단히 수행되기 때문이다. ... 마스크는 전형적으로 에천트로부터 원하는 표면을 보호하기 위해 사용되어지고, 이 마스크는 습식 식각이 끝나게 되면 벗겨낸다. ... 그래서 습식 식각 과정을 선택할 때는 에천트의 선택과 함께 밑에 놓여있는 필름과 접착성을 좋으며, 에천트의 공격으로부터 견딜 수 있는 마스크 재료를 선택해야만 한다.

  리포트 | 41페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.10.26 | 수정일 2015.02.04

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  에천트 시장조사 보고서

  - 고가의 장비 - Over Etching- 정확한 미세 구조물 형성에 유리 (이방성 에칭)건식 식각- 등방성 에칭- 가격 저렴 - 간단한 장비습식 식각단점장점구 분습식 에칭과 건식에칭의 ... 식각(Wet Etch)건식 식각(Dry Etch)FOSiSiF4SiPLASMAGasRF식 각 (Etch)증착 / 패턴 공정 상세도 (Deposition Patterning Process ... Coating)노 광 (Exposure)유리판 (Glass)DATA 전극 (DATA Electrode)현 상 (Develop)PR 박 리 (PR Strip)검 사 (Inspection)습식

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.03.05

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  [공업화학 실험]박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거

  식각은 지정된 영역에서 선택적으로 물질을 제거하여, 기판 위의 감광제 또는 하드마스크(hard mask)를 통하여 패턴을 전사하는 것인데 포토리소그래피와 습식식각 공정은 오랫동안 인쇄산업과 ... 산이나 알칼리 용액과 같은 액체에 기판을 침적시켜 행하는 습식에칭과 가스를 방전시켜 그 속에서 에칭을 실행하는 건식(드라이) 에칭으로 크게 구별된다. ... 식각 전후의 산화막의 색깔 변화를 관찰하여 식각여부를 확인하고 식각에 의하여 형성된 패턴의 모양을 관찰한다.4.

  리포트 | 13페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.01.28

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  OLED와 관련업계에 관한 보고서

  -표면에의 이온 충격에 의한 물리적 작용 -플라즈마 속에서 발 결과, 휘발성 기체를 생성시킴으로써 진행되는 식각 -등방성 식각 -습식 식각과의 차이는 반응기가 진공상태에 있기 때문에 ... 습식 식각 과정은 화학반응이 용해성 물질을 생 성하여 표면으로부터 제거시킨다는 점 외에는 반응공학적 측면에서 CVD 공정과 매우 유사하다. ... 빠져나간 상태)이 Hole 수송층의 도움으로 발광층으로 이동 - 만난 전자와 Hole은 높은 에너지를 갖는 여기자를 생성 - 여기자가 낮은 에너지로 떨어지면서 빛을 발생OLED 에칭법습식식각

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.10.07

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  [공학기술]Mems type acceleration sensor

  다양한 모양을 가공하기가 용이한 습식 식각 기술이 주로 사용한다. ... 이러한 습식 식각 기술을 사용하면 그림 1에 보인 것처럼 Bridge, Cantilever, Cavit, Membrance, Trench, Groove, Nozzle 등과 같은 마이크로 ... 혹은 건식으로 식각하는 기술이 적용된다.

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.06.06

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  [에칭공정]에칭(etching)의 이해 및 공정

  최근에는 습식 식각 장치에도 몇 가지 이점이 있다. a) 습식 장치의 자동화, b) 습식 식각 과정의 마이크로 단위의 제어를 통한 습식 식각 조건의 재현성과, c) 근거 없는 과정의 ... 실리콘의 습식 식각단결정이나 다결정 실리콘 모두 전형적으로 질산과 불화수소산의 혼합물로 습식 식각이 된다. ... .※ Etchant: Wafer상의 특정지역 물질을 화학반응이나 물리적인 방법을 통해 제거 물질.1) 습식 식각습식 식각 과정은 일반적으로 건식 식각 과정에 비해 등방성의 식각이 이루어진다

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.07

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  반도체 공정 기술-lift off

  또한 이 공정에 의한 금속막의 형성은 그 금속이 습식이나 건식방법에 의해 식각되기 어려운 경우에 주로 이용되는데, 1960년대에 전자선 리소그라피의 출현과 더불어 개발되기 시작하였다 ... 그리고, 습식 또는 건식 에칭은 보호되지 않은 부분으로부터 박막물질을 제거한다. ... 그림 1(a) etching(감법) 과(b) lift-off(첨가) 방법의 비교Lift-off공정이란 반도체 공정중 Etching(식각) 공정중에 일반적인 etching을 사용하지

  리포트 | 2페이지 | 5,000원 | 등록일 2008.01.10 | 수정일 2017.03.21

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  박막재료의 표면처리 및 PR실험

  )과 건식식각(dry etch or plasma etch)으로 나눌 수 있으며 감광막제거 공정도 포함된다.그림9-11*습식식각습식 식각이란 식각하고자 하는 박막과 화학적으로 반응하여 ... 감광막에 의해 덮여져 있는 부분은 식각 작업 중 보호를 받아 남아 있게 되며, 노출된 박막은 식각되어 없어지게 된다.또한 식각은 습식식각(wet etch or chemical etch ... 앞에서 언급한 것과 같이 습식식각에서는 동방향식각이 이루어지는 반면 건식식각에 있어서는 동방향 및 비등방향식각의 조절이 어느 정도 가능하며 이것을 도시하면 그림 9-13과 같이 표현된다.이와

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.11.24

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  [공업화학실험]박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거

  습식 식각(wet etching): 식각 공정은 크게 습식 식각(wet etching)과 건식 식각(dry etching)으로 구분되는데, 이중 습식 식각 공정은 일반적으로 식각 용액 ... 이 경우는 습식 식각과 마찬가지로 등방성 식각이 일어나는데, 습식 식각과의 차이는 반응기가 진공상태에 있기 때문에 휘발성 생성물의 표면으로부터의 이동 즉, 제거가 보다 용이하다는 점이다 ... 이것이 바로 습식 식각의 가장 큰 단점인, 마스크 아래가 식각되는, 언더컷(undercut)을 유발하는 것으로서, 식각 모형의 분해능 저하를 일으키는 한 원인인 것이다.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.06.25

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  LCD 제조공정 비용절감 기술 및 특허동향

  Registor) 코팅 : 세정이 끝난 글라스 위에 감광물질로 된 막을 형성.④ 노광 : PR 코팅이 끝난 글라스은 PR을 Ashing 공정을 통해 제거한 후 다시 S/D layer를 습식식각함 ... N+layer 식각 공정7. ... 식각 공정이 끝난 후 생길 수 있는 잔여 etchant나 잔여물들을 제거하기 위해 세정기술이 사용된다.5.

  리포트 | 21페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.03.25

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  태양전지의 종류와 원리

  건식 및 습식 식각으로 표면 처리를 하고 불순물을 확산하OLED 디스플레이 소자에도 널리 사용되고 있는 투명전극은 고가의 진공장비를 사용해야 하고, 투명전극용 소재 또한 한정적이다. ... KERI에서는 전기전도도와 분산성이 우수한 탄소나노튜브 페이스트를 제작하여, 습식 인쇄법을 통해 손쉽게 기판에 코팅할 수 있고 비교적 저온에서 가공 가능한 소재를 개발하였다.

  리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.03

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  반도체 제조공정

  이온빔에칭은 가스의 이온을 가속시켜 이를 웨이퍼 기판 표면에 부딪치게 함으로서 식각을 이뤄내는 방식으로 C3F8, CHF3, CClF3, CF4 등의 특수가스가 활용된다 .10.Chemical ... 산소와 수증기를 이용한 SiO2 의 성장은 각각 건식 과 습식 산화로 분류되는데 건식 산화는 주로 더 우세한 Si-SiO2 계면특성을 가지므로 MOSFET 에서 게이트 산화와 같이 ... 건식에칭은 다시 기상에칭 , 플라즈마에칭 , 이온빔에칭 등으로 나뉘는데 기상에칭의 경우 ( HCl , HF, HBr , SF6, Cl2 등의 기체가스를 사용하지만 기존의 습식 에칭과

  리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.05.02

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  OXIDATION, EVAPORATION

  또 VLSI 프로세스에서 산화막은 전자빔에 의한 직접묘화, X선 노광, 플라즈마 식각, 반응성 이온 식각, 고농도 이온 주입 공정 등으로 갖가지 에너지 빔에 노출되기 마련이다. ... 그림은 붕소농도가 다른 Si 기판에서 습식 산화시간에 따른 산화막 두께 변화를 보인 것이다. ... 이와 같은 할로겐 첨가로 인한 효과는 습식 O2 산화에서는 염산(hydrochloric acid, HCl)의 첨가로 증기압이 감소하여 오히려 산화막 성장률을 감소시키기 때문에 기대할

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.10.19

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  [반도체학]반도체 공정기술

  다결정 실리콘을 식각할 때 플라즈마를 사용하는데는 제한이 있다. 왜냐하면, 플라즈마 식각은 식각율이 높아서 조절하기 어려운 반면 습식 식각은 간단히 수행되기 때문이다. ... 마스크는 전형적으로 에천트로부터 원하는 표면을 보호하기 위해 사용되어지고, 이 마스크는 습식 식각이 끝나게 되면 벗겨낸다. ... 그래서 습식 식각 과정을 선택할 때는 에천트의 선택과 함께 밑에 놓여있는 필름과 접착성을 좋으며, 에천트의 공격으로부터 견딜 수 있는 마스크 재료를 선택해야만 한다.

  리포트 | 41페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.05.19

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  전자전기공학 - 반도체 제작 공정 - 웨이퍼 표면 연마

  식각이 끝난 웨이퍼는 표면에 푸른 녹을 가지고 있으며 , 이것은 붕소산화물 또는 Lapping 연마제의 잔류물로 Cleaning 과정을 통해 제거 .공정의 구성 – Polishing ... 반도체 웨이퍼 표면을 세정하는 기술은 크게 습식 세정과 건식 세정으로 구분되며 , 세정 후의 청정도는 웨이퍼당 0.3 μ m 크기의 부착 입자가 2 개 이하여야 한다 .공정의 구성 ... – Cleaning (2) 습식세정 건식세정 세정기술의 변화 세정용액을 사용한 세 많은 화학물질 사용 폐기물 처리의 어려움 이후 진행되는 다른 제조공정과 비호환성 최근 기술 개발 플라즈마

  리포트 | 26페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.09.19

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  [반도체공학]박막 재료의 표면처리 및 식각 실험

  습식 식각의 분류습식 식각은 재료에 따라서 여러 가지로 나뉜다.1) SiO2 식각불소는 산소보다 이온 반경이 작고 결합 에너지도 Si-O 결합 에너지의 절반에 해당하므로 불소가 쉽게 ... 이러한 습식 식각은 기판이 여러 가지가 있다는 것과 비가역 과정이라는 문제가 있다. ... 습식 식각이 선택적 성질을 갖는 식각 용액을 사용함으로 해서 얻는 선택도의 우수함이 있으나, 등방성 특성으로 인하여 1㎛이하의 세밀한 공정을 원하는 식각의 경우에는 불가능하고, 고온에서

  리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.02.27

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  반도체공정기술

  (가스나 플라스마, 이온빔 등을 이용) Wet Etching(습식 식각)현상은 화학 용액을 사용Ion Implantation회로 패턴과 연결된 부분에 불순물의 미세한 가스(gas) ... 비노광부의 용해속도 : 낮을수록 우수 노광부의 용해속도 : 높을수록 우수 표면 보호효과 감광제의 구성 요소 플리머 : 일정한 원자 배열을 갖는 분자들의 반복적 결합체로서, 사진작업 후 습식 ... 또는 건식식각공정에서 실질적인 식각 방지 역할 담당 용제 : 감광제 속에 존재하는 폴리머 분자를 분리시킴과 동시에 감광액의 원활한 도포를 위하여 점성을 제어하는 역할 담당 감응제

  리포트 | 19페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.03.02

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