"습식식각" 검색결과 221-240 / 306건

• 

  포토리소그래피(photolithogragpy)

  또는 이온주입시 barrier 역할을 하게 되고 최종적으로 chemical이나 식각용프라즈마에 의해서 제거된다. ... 습식 에칭의 문제를 피할 수 있는 이방성 에칭을 할 수 있다. ... 특정한 파장을 갖고 있는 빛을 resist가 도포 되어있는 웨이퍼 상에 노출-광화학반응이 일어나게 되고 다음 현상공정시 화학반응에 의한 패턴 형성-형성된 감광막 패턴은 후속공정인 식각

  리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.12.29

  다운로드 장바구니
• 

  플라즈마란

  더욱이 플라즈마 공정은 다른 제련 기술 ( 습식, 건식, 전기 화학적 ) 보다 아주 광범위한 응용 범위를 가져, 보다 넓은 압력범위에서 반응이 가능하며, 일반적으로 종래의 어떠한 제련법에 ... 이 기술은 반도체 패키징 생산라인에서 세정에 사용되는 것으로 요즘 보편적으로 사용되고 있는 습식 또한 건식 세공방식에 비해 진일보한 것으로 평가받고 있다.대기압플라즈마 기술은 기존방식에 ... 반도체 제조공정의 회로 식각을 위한 lithography 공정은 photoresist(PR)의 도포와 exposure, dry etching, 그리고 잔존 PR을 제거하는 ashing

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.07.09

  다운로드 장바구니
• 

  리소그래피

  식각 : 생성된 저항체 패턴을 막으로 하여 크롬을 습식 식각하며, 패턴의 크기가 작은 경우에는 크롬을 건식 식각하기도 함 ... 적층 : 순수 유리 기판 위에 크롬 층 및 감광물질의 증착② 패턴전사 : 레이저 빔이나 전자빔을 이용하여 CAD 배치도(회로도면)대로 감광 물질 층에 저항체 패턴을 생성③ 크롬 습식

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.07.19

  다운로드 장바구니
• 

  반도체 용어 정리

  그후 필드이온 임플란트를 하고 습식에치로 옥사이드 사이드월을 제거한 다음 필드 옥시데이션을 하여 필드 옥사이드(5)를 형성한다. ... Si₃N₄가 열산화를 막는다는 유용한 성질을 이용하여 두꺼운 LOCOS 산화물이 격리영역에서 습식 산화에 의해 선택적으로 성장하게 된다.* 옥사이드 사이드월 LOCOS 제조방법옥사이드 ... .* 에칭반도체 소자의 제조 공정에서 웨이퍼 표면에 회로의 배선 패턴을 형성하여 식각(蝕刻)하는 것.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.23

  다운로드 장바구니
• 

  Developing, Etching, Stripping

  식각 공정에는 Gas Plasma가 사용 되는 건식 식각과 화학용액을 이용하는 습식 식각방법이 있으며, Etching 후에는 유기용매 등에 의한 PR Strip 공정이 이루어진다.에칭은 ... 이중 DRY ETCH는 WET ETCH와 비교하여 반응속도가 빠르고 미세 형상을 식각할 수 있으며 진공 CHAMBER에서 반응이 이루어지므로 안전합니다. ... 실험은 노광과정까지 마친 ITO glass에 원하는 패턴에 따른 PR을 제외하고 식각한 후 그리고 원하는 증착막위에 PR코팅된 부분을 제외한 증착막을 에칭공정을 통해 제거한다.

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.11.03

  다운로드 장바구니
• 

  [전자재료]반도체 제조공정에서 산화의 필요성

  그외에도 산화막은 실리콘 기판 혹은 박막의 건식식각(dry etching) 혹은 습식식각(wet etching) 공정에서 식각방지막으로도 사용된다. ... 특히 알칼리용액, 불소가 첨가되지 않은 산성용액 그리고 일부 건식식각용 반응기체 등에 대해서 화학적으로 안정적인 성질을 띄고 있어서 식각방지막으로 사용되고 있다. ... 건식 산화막이 습식 산화막보다 더욱 치밀한 물질이다.단시간에 두툼한 산화막이 필요하면 습식 산화막을 만들어 쓰게 되며 얇지만 빈틈없이 치밀한 산화막 (게이트 처럼)을 필요로 하면 건식

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.01.08

  다운로드 장바구니
• 

  [반도체공정]식각공정

  본 절에서는 이러한 사진식각 공정 중 특히 식각 공정에 대하여 개괄적으로 살펴보기로 한다.■ 습식 식각(wet etching)식각 공정은 크게 습식 식각(wet etching)과 건식 ... 습식 식각은 일반적으로 등방성(isotropic) 식각이며, 반도체 공정에서 매우 광범위하게 사용되어지고 있다. ... 따라서 이러한 물질들을 습식 식각하면 등방성 식각으로 인해 수평과 수직이 같은 비율로 식각되므로 원하는 모형의 식각 형상이 얻어지지 않는다.

  리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.06.29

  다운로드 장바구니
• 

  ITO Scribing & Cleaning 예비보고서

  .- 습식세정보다 편리함 건식세정으로 폐액 등으로 인한 처리비용 감소.- 플라즈마 장비에 비해 가격이 싸고 장치가 단순●ITO Glass 란? ... gas를 공급하면서 chamber내 진공을 2～3×10-1 torr로 유지하여 RF generator에 의해 plasma를 발생시키고 이 때 발생한 plasma는 ITO 표면을 식각하여

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.02.23

  다운로드 장바구니
• 

  플라즈마

  식각(Etching) 공정에는 플라즈마가 사용되는 건식 식각과 증착액을 이용하는 습식 식각 방법이 있으며, 식각 후에는 유기 용매 들에 의한 PR 스트립(Strip) 공정이 이루어진다 ... 습식 식각은 화학 용액을 이용하여 PR pattern에 맞게 박막을 제거하는 방법으로, 주로 금속막이나 ITO의 pattern 형성에 적용된다. ... 플라즈마 식각 방식은 생성된 반응 물질 둥 두로 라디칼이 화학적 반응에 의하여 식각에 이용되므로 등방성 식각 양상을 보이며, 물리적 충동이 적어 하부막에 대한 영향이 적고 선택적 식각에

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.02

  다운로드 장바구니
• 

  반도체공정에 관한 작성 문서

  EBL 기술은 전자의 파장을 이용하기 때문에높은 해상도로 패턴을 형성할 수 있지만, 패턴을 형성하여 식각하는데 소요하는시간이 길고 장비가 비싸다는 단점이 있다. ... 무늬와 일치하는 것이다.결론적으로, Photo-lithography는 mask 위의 무늬를 silicon wafer 표면 위에 인쇄하는공정이다.■ 에칭(Etching) 공정사진 식각 ... 산화층 형성은 수증기를 산화기체로 사용하여 약 900℃에서1000℃ 온도로 가열하는 습식 산화 방법과 순수한 산소를 산화기체로 사용하여약 1200℃ 온도로 가열하는 건식 산화 방법이

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.04.30

  다운로드 장바구니
• 

  CNT와Graphene이용

  160~250℃에서 어닐링(anneling)시켜 실린더 형태의 자기조립 나노구조를 가지는 블록공중합체를 형성한 다음, 상기 실린더 형태의 자기조립 나노구조를 가지는 블록공중합체를 식각하여 ... 또한, 실린더를 구성하는 블록의 제거는 습식에칭(wet etching)과 UV 조사(UV radiation)를 함께 적용하여 수행될 수 있다.본 발명에 있어서, 상기 (b)단계의 블록공중합체는

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.11.27

  다운로드 장바구니
• 

  Color TFT-LCD 제조기술

  Spacer 산포 방식은 그림 2.39와 같이 solvent에 spacer를 혼합하여 분사하는 습식법과 N2 gas등을 이용하여 산포하는 건식법이 있다. ... n+ a-Si E/B 공정에서 etching하고 남아있는 a-Si 두께로 channel 영역의 a-Si 두께가 결정되는E/B type TFT 구조에서는 E/B 공정에 사용되는 건식식각

  리포트 | 54페이지 | 8,000원 | 등록일 2011.11.01

  다운로드 장바구니
• 

  ito(투명전도막)_원리 및 동향

  식각식각은 재료간의 접착 및 도금층 접착을 위한 표면 전처리 공정으로 각광 받고 있으나 최근에는 에천트(Etchant)의 강한 독성 문제로 사용이 감소하는 추세를 나타내고 있다. ... ITO막은 최소 저항값을 갖게 할 수 있다.투과율은 도입산소량이 증가함에 따라 즉, 막이 산화됨에 따라 증가하게 되고 저항이 최적값을 갖는 조건 부근에서는 거의 포화상태가 된다.습식 ... 통해 저온에서 제조한 비정질막에서는 산소결손이 지배적이고 고온에서 제조한 다결정막의 경우는 인듐 자리를 치환해서 이온화한 Sn이 지배적인 donor라고 추정되고 있다.ITO 막의 습식

  리포트 | 42페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.12.02

  다운로드 장바구니
• 

  제3장 박막 트랜지스터(TFT)

  금속막의 경우 용제를 사용하는 습식 식각 (wet etching), 반도체와 절연체는 플라즈마를 이용하는 건식식각 (dry etching) 을 이용 . ... 식각 (etching) PR 에 의해 가려진 부분 ( 노광공정에서 자외선을 받지 않은 부분 ) 을 제외한 증착막을 제거 . ... : PECVD) 을 이용 - n + a-Si, SiNx 를 동시에 적층하여 성장시킴 - 성장 후 광마스크를 이용하여 게이트 전극과 SiNx 절연층 부분을 제외한 나머지 부분 모두 식각

  리포트 | 43페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.10.22

  다운로드 장바구니
• 

  반도체 집적회로에 대하여

  식각이 끝나면 감광액도 황산용액으로 제거 한다. ... (Etching) : 웨이퍼에 회로 패턴을 만들어 주기 위해 화공약품(습식) 이나 부식성 가스(건식) 을 이용해 필요없는 부분을 선택적으로 없앤다. ... 송곳이 지나간 자리에는 파라핀이 벗겨지고, 그 다음 부식 시키는 화공약품을 붓는다(반도체의 식각).

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.17

  다운로드 장바구니
• 

  OLED 제작 전처리 공정 문서

  한 방식은 습식 세정이다.1 차적으로 Organic, 각종 Particle 제거를 한 후 2 차적으로 Metal 을 제거한다.여기서 화학적인 재료들이 사용된다. ... 기판에 이물질이 없는 상태가 되어야만 우리가 원하는 Display 를 제대로 만들 수 있다.세정에는 크게 습식 세정과 건식 세정 두 가지로 나누어 볼 수 있다.우리가 실험을 통하여 ... Hard Bake 는 Soft Bake 에 비해 좀 더 오랜 시간 이루어지게 된다. 30 분에서 1시간 정도의 시간 동안 Hard Bake 과정을 하게 된다.(8) Etching식각

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.03.01

  다운로드 장바구니
• 

  [공학기술]재료의 산화실험.

  산화막MOS트랜지스터에서는 소스와 드레인 지역을 연결하는 채널을 형성하는 전하를 유기시키기 위해 의도적으로 게이트 지역에 충분히 얇은 산화막을 기른다.산화막의 형성방법 (Thermal Oxidation)습식 ... 방법으로 질화막(15)과 제2산화막 및 SOI막(13)을 식각하는 공정과, 제3게이트(7)와 에미터(4)와 콜렉터(5) 및 제1,2 게이트(6A,6B)의 전극을 형성하는 공정과, ... 6A,6B)용 도전층인 SOI막(13)이 새의 부리와 같이 첨예한 실리콘 모양을 형성하기 위한 LOCOS공정과, 콜렉터 단면적을 크게하고 소자분리 영역(19)을 형성하기 위하여 건식식각

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.05.07

  다운로드 장바구니
• 

  디스플레이 공학실험 TFT-LCD 제조실험

  식각 공정에는 Gas P lasma가 사용 되는 건식 식각과 화학용액을 이용하는 습식 식각방법이 있으며, Etching 후에는 유기용매 등에 의한 PR Strip 공 정이 이루어 진다 ... 검사 공정은 크게 박막의 증착 두께 및 식각 두께의 평가, Pattern 형 성확인, 전기적 특성 평가 등이 있다.2. ... 즉, 박막증착(Th in Film Deposition), 사진,(Photolithography), 식각(Etching) 등의 공정으로 이루어져 있으며, 개개의 공정 전후에 결과 및

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.12.04

  다운로드 장바구니
• 

  탄소나노튜브

  300nm 두께의 산화막을 성장시키고 그 위에 촉매금속으로서 Fe, Co, Ni등을 50~100 nm 정도의 두께로 증착이어서 촉매금속막을 HF 용액에 식각시키고 나서 NH3 분위기에서 식각처리를 ... 탄소나노튜브 섬유의 연구개발동향:· neat CNT fiber습식공정(wet process)- 예로서 미국의 rice 대학에서 SWCT를 원료로 써서 연속적인 섬유를 만들었는데, 공정은 ... 870 J/g의 강도)MWNT 함유 (340% 파괴변형율, 약 690 J/g의 강도)응용: 방탄조끼, 안전모, 안전장갑, 안전의복, 복합재료 등PVA에 CNT를 분산시킨 용액을 습식공정을

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.04.23

  다운로드 장바구니
• 

  [공학기술]산화공정(Oxidation)

  .ⓑ 건식 산화 : 건식산화를하면 습식산화보다 높은 밀도의 산화물을 얻을 수 있다.. 습식산화의 경우 산화막 생성속도가 빠르기 때문에 정확한 산화막 두께 컨트롤이 힘들다. ... 산화막은 wet oxidation으로 형성된 산화막으로 외부의 오염물질로부터 기판을 보호하면서 diffusion이나 implata 건식식각용 반응기체 등과 잘 반응하지 않는 안정적인 ... 제외하고는 불순물이 하나도 없는 순수한 물입니다③ UV처리한 Si wafer를 B.O.E(Buffered Oxide Etch,NH4F:HF=1:6)와 물을 희석한 용액에 넣어 10초동안 식각

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.05.24

  다운로드 장바구니