"밴드갭 계산" 검색결과 221-240 / 372건

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  반도체의 나노입자의 분광학적 성질

  실험이론 – CdS 나노입자Band Gap 2.42eV격자상수 A=5.9Å체대각선 1/4만큼 교차2. ... 실험결과 – 계산 w=5※ J  ev로 환산2) J  ev로 환산5. ... 실험결과 – 계산 w=53) 식 대입※ 양변에 R2을 곱한다.E = 3.43eV-2.53eV=0.9eV=1.4X10-19J5.

  리포트 | 24페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.05.10

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  유기태양전지실험

  입사된 빛에너지가 band-gap에너지보다 클 때, 가전자대에 있는 전자는 여기되어 전도대로 올라감으로써 전도대의 전자와 가전도대의 정공이 캐리어쌍을 형성한다. ... 의해 결정되므로 밴드갭이 큰 재료를 사용하면 대체로 높은 Voc값이 얻어진다.Short-circuit current(Jsc)는 회로가 단락된 상태, 즉 외부저항이 없는 상태에서 빛을 ... 예로서 설명하자면, 얻을 수 있는 최대한의 Voc값은 p-type 반도체와 n-type 반도체 사이의 일함수 값(work function) 의 차이로 주어지며, 이 값은 반도체의 밴드갭에

  리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.10.02

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  Solid state lighting using semiconductor light emitting diodes (LEDs)

  에너지를[eV]라 할 때의 식으로 정의할 수 있으며 반도체 재료에 따라 밴드갭 에너지의 크기가 달라지므로 각종 반도체 재료를 이용하여 다양한 광색의 재현이 가능하다.따라서 여러 가지 ... n형의 접합부근에서 전자와 정공사이에 결합과 재결합이 이루어 지면서 빛과 열을 방출하는데 이 발광이 Light Emitting Diode의 원리이다.이 때 방출되는 광양자의 파장은 밴드갭 ... 다이오드로 화합물 반도체 단자에 전기신호를 보내게 되면 p형 반도체에 있는 positive(+)전하를 갖는 정공과 n형 반도체에 있는 negativ효율은 대략 11m/W 이하로서 계산기

  리포트 | 26페이지 | 5,000원 | 등록일 2011.07.07

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  제일원리

  위의 그래프에서 순수한 Si의 경우 Density of states가 0인 지점, 즉 Band Gap 부분이 0eV부근에 위치한다는 것과 Band Gap 부분이 0eV ~ 2eV사이에 ... Band Gap이 positive값을 갖는 쪽으로 움직인 것으로 보아 P-type으로 도핑된 것으로 추측된다. ... 이는 Density of states가 0인 것으로 미루어 보아, 이 부근에서 Band Gap이 생겼다는 것으로 볼 수 있다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.29

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  MOSFET_최종

  실리콘의 전도대의 에너지 준위가 실리콘의 두께가 얇아짐에 따라서 여러 준위로 나뉘어지는 현상이 일어나게 되며, 이는 결국 실리콘의 밴드 갭을 증가시키는 효과가 나타나고, 따라서, SOI층의 ... 일어난다.이때의 Vth를 계산하여야 소자가 Enhancement 혹은 Depletion Mode에서 작동하는지 알 수 있다.3. ... orientation.)1017㎝-3 으로 doping 된 Si의 Work Function은따라서이므로 왼쪽 그림과 같으며Gate Voltage가 0V일 때왼쪽 그림과 같이 Energy Band의Bending이

  리포트 | 41페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.07.12

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  태양전지(solar cell)의 원리와 효율

  따라서 최대크기의 Voc와Jsc값을 얻기 위해 계산된 이론적인 최적의 band gap energy는 1.4eV가 된다. Fill factor ... gap에 의해 결정되므로 band gap이 큰 재료를 사용하면 대체로 높은 Voc값이 얻어진다. ... 가능한 모든 파장의 빛을 흡수하기 위해선 반도체의 band gap 에너지가 작을수록 유리하지만 그렇게 되면 Voc도 감소하게 되므로 적정한 band gap을 가진 재료가 필요하다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.01.27

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  Hall Effect에 의한 전기적 특성분석 결과

  좁은 band gap을 가진 물질에서는 ni2이 크므로, n= ni2/p》p가 되기 때문이다. 100 ∼ 200K 사이에서는 hole의 농도가 증가하여, Hall 계수가 자기장의 세기에 ... 전선을 끊은 것과 마찬가지로 중간에 전류가 흐를만한 통로가 형성되지 않는 것이다.토의이번 실험은 열증착실험으로부터 얻은 샘플을 이용하여 Hall effect 효과를 이용해 홀전압을 계산하여 ... 1021Mobilit/Ωcm]2.820*1021.668*1022.468*1022.32*102Average Hall Coefficient [cm3/C]9.496-3.4022.2362.777홀전압 계산

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.03.08

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  플렉시블 유기태양전지의 상업화 과제와 전망 Flexible organic solar cell

  그 원리는 단파장영역을 흡수하는 밴드갭이 큰 도너와 장파장 영역을 흡수하는 밴드갭이 작은 도너의 HOMO/LUMO 준위를 제어하여 억셉터 재료인 PCBM과 잘 매칭되도록 하면 15% ... 먼저 소자의 효율은 저밴드갭 도너를 개발하여 보다 넓은 영역의 태양광을 흡수할 수 있도록 하고, 억셉터 재료의 전하 이동도를 높이고, 도너와 억셉터의 밴드갭을 조절하여 Voc를 개선함으로써 ... Konarka사에서는 tandem 구조 소자의 효율을 높이기 위한 도너와 억셉터의 최적 HOMO/LUMO에너지 준위를 계산하여 약 15%까지 효율을 향상시킬 수 있다는 보고를 하고

  리포트 | 8페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.01.03

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  물리센서2[빛,자기장 측 정] 예비+결과

  표는 광다이오드 제작에 사용된 반도체의 물질에 따른 사용 파장대역을 나타낸 것으로 이는 반도체 물질의 밴드갭 등 빛 흡수 특성과 의존한다.광다이오드 물질파장 (nm)Silcon190 ... 5V를 인가한다.② 솔레노이드에 전원을 연결하고 솔레노이드에 흐르는 전류를 증가시키면서 GLX 자기장 센서에 걸린 전압을 측정하라.③ 솔레노이드에 흐르는 전류로부터 자기장(B)를 계산하고 ... 그래프를 fitting하여 자기장 측정 감도를 V/Tesla 단위로 계산하라.4.실험 결과1)포토다이오드(Photo diode) : 광센서LED 전압(V)LED 전류(mA)LED 소모전력

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.04.20

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  11장 연습문제 리포트

  즉 가시광선에 대해 투명하기 위해서는 가시광선이 재료내에서 흡수하거나 산란되지 않고 투과해야한다.를 이용하여 투과하기 위해 요구되는 밴드 갭이 얼마인지 구해보면,(가시광선 중 가장 ... 전력손실이 0.1W를 넘지 않을 경우, 안전하게 가할 수 있는 최대 전압을 계산하여라. ... MgO의 이온분극을 계산하여라.Mg의 이온반경 0.066nmO의 이온반경 0.132nmMgO는 FCC 구조를 지니고 있으며 격자상수는(MgO)이다. 따라서 0.198nm이다.

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.06.11

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  분자동역학

  예를 들면, 화합물 반도체인 CdS는 크기 조절에 의해 2.5∼4 eV의 밴드갭 조절이 가능하며, 또한 이에 따른 최저 준위 발광 속도 는 수십 나노초부터 수십 피코초까지 변화되어진다 ... 경험적이라는 것은 퍼텐셜 함수를 특정한 이론적인 계산을 통해 구하지 않고 시스템에 맞게 만들어서 쓴다는 것을 의미한다. ... 이러한 약점에도 불구하고 이론적으로 퍼텐셜을 직접 계산하는 것보다 수천 배 이상 효율이 좋기 때문에 경험적 퍼텐셜이 널리 쓰인다.3) EAM PotentialEAM(Embedded

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.04.01

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  태양전지를 이용한 태양광발전

  따라서 최대크기의 Voc와Jsc값을 얻기 위해 계산된 이론적인 최적의 밴드갭 에너지는 1.4eV가 된다. ... 가능한 모든 파장의 빛을 흡수하기 위해선 반도체의 밴드갭 에너지가 작을수록 유리하지만 그렇게 되면 Voc도 감소하게 되므로 적정한 밴드갭을 가진 재료가 필요하다. ... 의해 결정되므로 밴드갭이 큰 재료를 사용하면 대체로 높은 Voc값이 얻어진다.

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.07.02

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  [LCD실험]AMOLED 분석

  Gap은 HOMO와 LUMO의 에너지 차이에 해당되며 전자는 이 된다. ... ARABIC 4 Bandgap Energy의 개념도: 그림4를 보면 원자의 개수가 늘어나 집합의 단위가 되어감에 따라 전자가 존재할 수 없는 공간이 줄어들고, 유기물, 반도체에서의 Band ... PEDOT:PSS의 최대 흡수 파장을 normalize 하여 비교한다.3) Absorbance의 최대 흡수 peak 끝 부분에 접선을 그어서 x절편 값을 이용하여 bandgap을 계산하고

  리포트 | 9페이지 | 6,000원 | 등록일 2012.07.11

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  PEMFC/DSSC [예비]

  밴드갭이 큰 재료를 사용하면 대체로 높은 VOC값이 얻어진다. ... 얻을 수 있는 최대한의 VOC값은 p-type 반도체와 n-type 반도체 사이의 일함수 값(work function) 의 차이로 주어지며, 이 값은 반도체의 밴드갭에 의해 결정되므로 ... 반투명의 전극판으로 이동했던 전자는 다시 전해질의 본래의 위치로 이동하여 지속적으로 전기를 발생시킨다.② 태양전지 기본 용어 조사(VOC, JSC, FF, 효율 계산방법, 1 Sun

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.07 | 수정일 2014.02.02

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  태양전지의 원리와 효율, 태양전지에 맞는 재료

  이 다이오드에 그 물질의 전도대 (conduction band) 와 가전자대(valence band) 사이의 에너지 차이인 밴드 갭 에너지(band gap energy) 이상의 빛을 ... 따라서 최대크기의 Voc와 Jsc값을 얻기 위해 계산된 이론적인 최적의 밴드 갭 에너지는 1.4eV가 된다. ... 갭에 의해 결정되므로 밴드 갭이 큰 재료를 사용하면 대체로 높은 Voc값이 얻어진다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.15

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  마이크로파 유전체

  resonator method의 측정 장치도는 아래와 같이 두 개의 무한 도체판 사이에 원통형 유전체를 넣어 구성하며, TEmode를 사용함으로써 유전체와 도체판 사이의 공기층 효과(air-gap ... FM broadcast band-주파수 대역 : 88 ~ 108MHz-응용분야 : FM radio 주파수로 사용된다. ... AM broadcast band-주파수 대역 : 535 ~ 1605 kHz-응용분야 : 현재 AM radio 주파수로 사용된다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.02.26

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  태양전지

  가지는 빛을 흡수하면 여기 된 전하들이 열로 소멸되고 밴드 갭 에너지보다 낮은 에너지를 가지는 빛은 투과됨으로써 좁은 흡수 대역으로 인한 손실이 매우 크기 때문이다. ... III-V 화합물 반도체는 다양한 밴드갭 에너지를 가지는 박막 제조가 용이하고, 직접 천이 (direct bandgap) 구조를 가지고 있어 실리콘에 비해 광 흡수율이 높다. ... (그림 1a)와 같이 반도체 밴드갭 에너지보다 큰 에너지를 가지는 빛(photon)이 입사되면 p-n 접합 계면 근처에서 빛을 흡수하여 전자-양공쌍을 생성하고, 내부 전기장 (built-in

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.05.17

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  물질 유전 상수 측정

  HfO2의 경우 열적으로 매우 안정하며 특히 25정도의(SiO2 : 3.9) 유전상수를 가지고 있으며 밴드갭 에너지가 5.68eV로서 F-N 터널링과 열이온 방사 억제에 효과적이다. ... 이 데이터를 가지고 각각 Hf과 Si의 유전 상수를 계산해보면, 유전상수는이 식을 변환하면,가 된다. ... Inversion상태에서는 p-type의 경우 페르미 준위의 표면에서 conduction band와 가장 가깝게되며, n-type의 경우 valence band와 가장 가깝게 된다.실험

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.10

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  홀 효과 (Hall effect) 실험

  그리고 온도과 전압과의 상관관계를 이용하여 밴드 갭을 구할 수도 있다. ... .⑸ 온도와 전압의 역수를 이용하여 그래프를 그리고 그래프를 이용하여 밴드 간격을 계산한다. ... 갭 에너지, k: 볼츠만 상수, T:절대온도 )전도율에서 다리 정리하여 밴드갭 에너지를 구하면∴ Eg= -2b·k가 된다 여기서 b는 온도와 전압의 역수를 그래프로 나타 냈을 때

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.11.26

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  White LED의 기술개발동향과 전망

  강한 piezoelectric field가 발생하고, 전자-홀 파동함수가 분리되어 발광효율이 저하된다는 문제가 발생한다.(3) InN 에피층의 성장최근의 연구결과 InN의 에너지 밴드 ... 계산에 의하면 표준형 사이즈의 칩의 경우 약 50마이크론 두께면 최대 효과를 볼 수 있는데 이 두께를 에피성장 하기 위해서는 별도의 빠른 에피방법이 필요하므로 재성장을 통해서 적층해야 ... 갭이 지금까지 보고된 값인 1.9 eV(650 nm)와는 달리 0.7 eV (1,771 nm)의 매우 작은 값을 갖는다는 것이 밝혀진 바 있다.[5] 이는 InxGa1-xN(0≤x

  리포트 | 18페이지 | 4,000원 | 등록일 2011.11.21

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