"밴드갭 계산" 검색결과 161-180 / 372건

• 

  태양전지 solar cell에 대한 개론

  따라서 최대크기의 Voc와Jsc값을 얻기 위해 계산된 이론적인 최적의 밴드갭 에너지는 1.4eV가 된다. ... 가능한 모든 파장의 빛을 흡수하기 위해선 반도체의 밴드갭 에너지가 작을수록 유리하지만 그렇게 되면 Voc도 감소하게 되므로 적정한 밴드갭을 가진 재료가 필요하다. ... 의해 결정되므로 밴드갭이 큰 재료를 사용하면 대체로 높은 Voc값이 얻어진다.

  리포트 | 19페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.05.27

  다운로드 장바구니
• 

  신재생에너지 (연료전지 실험)- 양극물질 바꿨을때 전기전도도의 변화

  ▶ SSC Metalic behavior 원인 A nalysis C onduntivity Sm 0.5 Sr 0.5 CoO 3-δ O, 2p Co, 3d Sr 2+ 일정량 이상첨가 밴드갭이 ... 존재 Co, 3d O, 2p 밴드갭이 중 첩- GDC 전해질은 각 온도범위에 따라 온도가 증가할수록 저항 (ohm) 이 감소하는 경향을 나타냄 ▶ SSC/GDC/SSC A nalysis ... 정량계산 Ce : 140.116g/mol × 0.8 = 112.0928g/mol Gd : 0kg/cm 2 의 압력으로 pressing 을 하고 CIP 실시 - Step6.

  리포트 | 33페이지 | 5,000원 | 등록일 2014.07.02

  다운로드 장바구니
• 

  [디스플레이공학] AMOLED를 위한 PEDOT PSS와 PDY-132 증착

  에너지 밴드갭이 크면 클수록 가시광선의 외부 빛을 흡수하지 못하고 그대로 통과한다. ... gap이 컸으며 하지만 PDY-132는 고속으로 된 rpm이 더 Energy band gap이 더 작았다. ... 에너지 밴드갭이 작을수록 더 많은 외부의 전자기파를 흡수한다.이번 실험에서 쓰인 sample은 모두 Spin Coating을 이용하여 박막의 두께를 조절하였다. 두께의 변수는?

  리포트 | 9페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.12.01

  다운로드 장바구니
• 

  [A+ 보고서] 전기 변색 소자 결과보고서

  전도성 고분자는 산화적으로 도핑된 반도체 상태와 도핑되지 않은(혹은 중성) 절연체 상태 사이의 전환이 일어날 수 있다.전도성 고분자 유도체전도성 고분자의 띠간격(band gap, Eg ... 결과 및 고찰 (되도록 자세히)- Tungsten과 H2O2 몰 비율 계산 (계산방법 서술)텅스텐(W)의 질량 :텅스텐(W)의 분자량 :텅스텐(W)의 몰 수 :H2O2 용액 부피:

  리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2017.02.24

  다운로드 장바구니
• 

  재료공학과전자기적성질

  Si 반도체의 band gap energy는 1.12eV 이며 Ge 반도체의 band gap energy는 0.7eV이다. ... (band gap을 뛰어넘는 전자여기, band gap내의 불순물준위로 일어나는 전자여기)四scattering과 diffraction의 차이는 무엇인가? ... 그러나 이는 불가능 하므로 완벽한 결정은 존재할 수 없다.④Band gap이 생기는 이유와 생기는 원리를 설명. band gap이란 무엇인가?

  시험자료 | 19페이지 | 25,000원 | 등록일 2012.08.08 | 수정일 2017.02.17

  다운로드 장바구니
• 

  반도체공학-MOS diode설계 최종보고서

  (Hole)Semiconductor의 표면의 밴드다이어그램이 위쪽으로 휘게 된다. ... Doping 농도의 계산 과정(Dopant는 상온에서 completely ionize된다고 가정)5. ... bend downward)PSI _{s} = PSI _{B}Mid-gap with n _{s} =n _{p} =n _{i} (intrinsic concentration)PSI _{

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.12.22

  다운로드 장바구니
• 

  MOCVD

  에너지 밴드갭 값은 3.40으로 이론적인 GaN의 수치(3.42)보다 약간 적은 값이 나왔다. ... 또는 결정표면에 악영향을 주지 않는 범위 내에서 유량을 최소화하여 제조비용을 감소시킨다. ③ 안전성 고려 : GaN은 3.4eV의 넓은 밴드갭을 가지고 있고, 화학적으로 매우 안정하여 ... 7.5반치폭이 좁을수록 원자배열이 조밀하게 잘 성장된 것인데 비교적 크게 나온 것으로 보아 조밀하지 않게 성장됨을 알 수 있다* Energy Bandgap ┗ Eg = hv = hc/λ계산한

  리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.07.02 | 수정일 2023.03.30

  다운로드 장바구니
• 

  염료감응형 태양전지

  사이에 칠한 특수한 염료가 마치 식물이 광합성을 하듯 태양광을 전기로 전환시키는 기술이다.1.2 DSSC 구조:염료 감응형 태양전지는 흡수용 고분자, n형 반도체 역할을 하는 넓은 밴드갭 ... .3.Result3.1효율계산법3.2전환효율계산3.2.1 sample 1.전환효율=J _{sc} V _{oc} FF/P _{input} =(17.24mA/cm2*0.669V*0.41 ... 전해질 환원용 상대전극으로 구성되어있다.조립된 태양전지 sample 두 개의 I-V Curve를 찍어서 식J _{sc} V _{oc} FF/P _{input}을 이용하여 효율을 계산

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.04.06

  다운로드 장바구니
• 

  SK하이닉스 공채/공정관리 자기소개서 합격샘플 - 이력서컨설턴트 첨삭/SK하이닉스 채용 합격자소서 지원동기

  또한 재료과학을 통해 밴드갭과 같은 반도체에 대한 기초지식과 물질의 기본적인 구조를 배우고 기기분석을 통해 여러 기기들을 이용해 물질의 구조 및 특성에 대해 분석하는 방법을 배웠습니다 ... 전문성을 객관적으로 확인한 경험/ 전문성 향상을 위해 교류하고 있는 네트워크/ 경험의 진실성을 증명할 수 있는 근거가 잘 드러나도록 기술) (700~1000 자 10 단락 이내)화공계산

  자기소개서 | 6페이지 | 5,000원 (30%↓) 3500원 | 등록일 2018.07.30 | 수정일 2019.06.13

  다운로드 장바구니
• 

  [예비보고서] 결정질 실리콘 태양전지용 기판의 텍스쳐링

  따라서 최대크기의 Voc와Jsc값을 얻기 위해 계산된 이론적인 최적의 밴드갭 에너지는 1.4eV가 된다. ... 가능한 모든 파장의 빛을 흡수하기 위해선 반도체의 밴드갭 에너지가 작을수록 유리하지만 그렇게 되면 Voc도 감소하게 되므로 적정한 밴드갭을 가진 재료가 필요하다. ... 의해 결정되므로 밴드갭이 큰 재료를 사용하면 대체로 높은 Voc값이 얻어진다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.07.21

  다운로드 장바구니
• 

  [LCD실험]a-Si, Poly Si, TFT 특성 측정

  밴드갭이 크면 가시광의 흡수가 일어나지 않고 투과된다. 따라서 기존의 반도체의 밴드갭(1.2~1.4eV)보다 큰 밴드갭을 가질 수록 투명 디스플레이에 적합하다. ... 참고로 일반적인 산화물 반도체의 밴드갭은 3.1eV이상으로 투명 디스플레이에 특히 적합하다.6. ... : 밴드갭 이상의 에너지를 가진 가시광선이 비춰지면 VB의 전자가 CB로 여기되어 빛 에너지가 손실되고, 이로인해 투과되는 빛 에너지가 줄어든다.

  리포트 | 8페이지 | 6,000원 | 등록일 2012.07.11

  다운로드 장바구니
• 

  반도체연구

  Cu2O P-TYPE 반도체 Band Gap 2.1~2.6eV Simple cubic gas sensor, electrochromic 소자 등에 많이 사용 NiO NaCl 과 같은 ... 에너지 업체 기업가치 현황 보고서 19P 부분 보충자료 [ Appendix ] APPENDIX 14 Page 1. 50000배럴 규모 CTL 플랜트 1기당 촉매투입량 및 촉매원가 계산

  리포트 | 49페이지 | 5,000원 | 등록일 2013.02.19

  다운로드 장바구니
• 

  디스플레이 재료실험 기말레포트

  빛을 통하여 에너지가 반도체에 전달되면 불순물 준위 및 가전자대의 전자가 conduction 밴드와 불순물 준위로 여기되고, 전달된 에너지가 반도체의 밴드갭보다 큰 경우에 가전자대의 ... #R _{s} ( OMEGA /sq)=R TIMES C.F=R TIMES 4.3228978그 결과값은 표 1에 주어져있다.I-V 그래프의 결과를 통하여 PCE(에너지 변환효율)을 계산하였다.PCE

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2016.03.03 | 수정일 2017.05.09

  다운로드 장바구니
• 

  반도체 나노입자의 분광학적 성질-2조(수정)

  HOMO Band theory이론 Band gap 색의 관계이론 나노입자의 전자 준위 , V(r)=∞이 론 m e * 0.19 ( 전자의 유효질량 ) m e 9.109 x10 -31 ... 전자가 원자핵과의 결합을 끊고 자유전자가 되기 위해 필요한 에너지 인데 입자의 크기가 작아지면 핵이 전자를 더욱 강하게 구속하게 되어 , 밴드갭의 크기가 증가하는 효과가 발생한다 . ... 입자의 색은 기본적으로 Plasmon 이라는 금 입자 표면에서 오는 색 이며 CdS 입자의 색은 원자 구조에서 전자전이 에 의해 나타나는 색 깔입니다 .과제 입자의 크기가 작아질수록 밴드갭이

  리포트 | 26페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.05.30

  다운로드 장바구니
• 

  PL

  Calculate the Band gap of sample(GaN blue LED).실험 결과 wave length가 458.48nm 였다.실험 값을 대입해서 계산한 band gap은 ... Band gap보다 큰 에너지를 가지는 빛이 물질에 가해지면, 물질이 photon을 흡수해서 전자를 여기 시킨다. ... 이름그대로 PL은 빛을 이용하여 valence band에 있는 전자를 conduction band로 여기 시키는 것이다.

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.31

  다운로드 장바구니
• 

  Cyclic Voltammetry

  gap 계산Table 1. ... 안트라센의 HOMO와 LUMO, Band gap의 계산값은 각각 5.6049eV, 3.8011eV, 1.8038eV이었고 9,10-Bis(chloromethly) anthracene의 ... 계산 값 데이터HOMOLUMOBand gap계산 식Anthracene=5.6049eV=3.8011eV=1.8038eV9,10-Bis(chloromethly) anthracene=5.7496eV

  리포트 | 15페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.06.22

  다운로드 장바구니
• 

  재료의 광학적 특성 평가 결과레포트

  Band-gap energy를 통하여 어떤 물질인지 구별해 낼 수 있다.2. 실험이론 (여러가지 박막의 특성)? ... 계산한다.? ... 재료의 광학적 특성 분석 기기 중 하나인 UV-vis spectrophotometer를 이용하여 박막의 투과율을 측정하고, 투과율 측정 결과를 이용하여 각 박막의 band-gap energy를

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.11.16

  다운로드 장바구니
• 

  LED 보고서

  gap 의 크기 , 격자상수 , 결정구조 , direct-indirect band gap 을 결정할 수 있다 .6 조 LED 의 재료 재료 - 비소화갈륨 : GaAs - 알루미늄 ... 높을 것 - p-n 접합의 제작이 가능할 것 등의 조건을 만족시키는 것LED 발광 Spectrum 6 조 피크발광파장 (Peak Wavelength) : 1240nm/ Eg 로 계산 ... 핸드폰 , 캠코더 등에 적용 카메라 , 게임기 등에 적용L E D J N U E V P N 접 합 R I C G a A S T Y I I L O BE N 1, 오늘한 내용 2, 어떤 갭이

  리포트 | 18페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.04.12

  다운로드 장바구니
• 

  명실8번(Hall effect in p-germanium & Band gap of germanium)결과보고서

  먼저, 기본적인 홀 전압 측정을 해서 전하 운반자의 밀도, drift velocity, mobility 같은 양을 구해보고 양자역학을 고려하여 에너지 밴드 gap도 구해본다. ... 반도체의 행동을 설명하는 이론은 Energy band이론이다. 이는 양자역학에서 설명된다. 에너지 밴드 구조에 따라서 부도체인지, 반도체, 도체인지가 결정된다. ... Band gap이 크면 전자가 conduction band에 올라갈 수 없어상 어떤 impurity에 대해서는 여분의 electron이나 hole에 의해 conductivity가 크게

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.11.06

  다운로드 장바구니
• 

  산화티타늄 광촉매에 의한 분자분해 예비보고서

  반도체 등의 분말을 용액에 넣어, 그 밴드 갭 이상의 에너지 광을 조 사하면, 마이너스 전하를 갖는 전자(e-)와 플러스 전하를 갖는 정공(h+)이 생성된다. ... 금속과 비교해 볼때, 금속의 경우에는 전자가 가전자대(valenced band)는 물론 전 도대 (conduction band) 도중까지 전자가 채워져 있어서 항상 전류가 흐를 수 ... 3~5개, 비커, 자석교반기, 마그네틱 바① 가시광선 분광기시료중에 포함된 특정 성분의 농도에 따라 빛이 흡수되는 양이 변하고, 이에 따른 투광도가 변하는 것을 검측하여 농도를 계산해

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.07.26 | 수정일 2022.09.02

  다운로드 장바구니