"GaA" 검색결과 221-240 / 1,174건

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  직렬 및 병렬 다이오드 구조

  Si의 경우는 0.7V, Ge의 경우는 0.3V, GaAs의 경우엔 1.2V 의 문턱전압을 진다.P형 반도체와 N형 반도체를 결합한 것으로, 정방향에는 작은 전압으로도 전류가 흐르지만

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.06.17

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  반도체 웨이퍼 공정

  웨이퍼란 반도체의 기본 재료로 일반적으로는 Si( 규소 , 실리콘 ) 을 사용하고 갈륨비소 ( 갈륨 아세나이드 ,GaAs) 를 사용하여 만든 원기둥 잉곳 (ingot) 을 디스크 모양으로

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.09.16

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  다이오드

  Si, GaAs 온도에 따른 특성 측정- 다이오드의 전류특성은 온도에 따라 민감하게 변한다. ... GaAs 다이오드의 온도에 대한 특성 또한 Si 다이오드에서와 같다. 온도가 증가하면, 다이오드의 전류는 증가하게 된다. ... 전자의 경우가 더 명확한 해결책이 된다.GaAs 다이오드의 경우 하이인젝션 전류가 없기 때문에, 파라미터 추출과정이 좀 더 단순화된다.

  리포트 | 81페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.01.18

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  화합물 반도체

  , GaN)GaAs 화합물 반도체는 중요한 문제이다. ... 빛을 받았을 경우 그림 (b)와 같이 큰 격자 이동을 동반하며 EL2* 상태로 전이된다.GaAs에서 (a) EL2, (b) EL2* As 반위치 결함 구조AlGaAs/GaAs 에 n형 ... 이 깊은 에너지 준위로 인해 기술적으로 중요한 고저항 GaAs 기판 제작이 가능하다.

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.11

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  [화공실험]태양전지 실험 보고서

  이렇게 할 경우 태양광 전체의 스펙트럼을 여러 부분으로 나누어 효율적으로 흡수할 수 있게 되어 높은 효율을 나타낼 수 있다.그림 7 GaAs태양전지?

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.03.23

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  박막형 Ⅲ-Ⅴ족 태양전지 주요공정 및 실습 리포트

  트리메틸 갈륨 등의 유기금속 원료가스를 GaAs 기판상에 흘려GaAlAa와 GaAs의 에피턱셜 성장에 사용하고 있다. ... AlAs Layer(희생층)을 HF로 제거하는 공정1) HF의 선택적 Etching 원리 이용-10 ^{7} : 1 = AlAs : GaAs2) GaAs Substrate 재사용 가능 ... 3단계 : EPITAXIAL LIFT OFF(ELO) 단계[ELO 공정 후 GaAs Wafer 상태][ELO 공정 순서][ELO 공정 후 시료]1.

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2018.08.06

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  이성분 화합물

  예를 들어 GaAs의 경우 Ga 원자로 구성된 fcc 구조와 As 원자로 구성된 제2의 fcc 구조가 다이아몬드 구조와 같이 대각선 방향으로 a/4씩 떨어져 결합되어 있다. ... 따라서 원자들의 배열이 균형 잡혀 있고 매우 강한 결합력을 갖게 된다.한편 GaAs나 SiGe과 같이 두 종류 이상의 서로 다른 원자로 구성된 화합물 반도체는 그림과 같은 섬아연광( ... 그림 1의 (b)에 섬아연광 구조인 GaAs를 나타내었다.그림 1 다이아몬드 구조(a)와 섬아연광구조(b)② 이성분 화합물의 구조이성분 화합물 (두 원소로 이루어진 화합물)은 매우

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.03.01

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  3-5족 박막형 태양전지 제조공정 및 실습결과

  등 역성장 * AlAs ( 희생층 ) 과 Wafer 또는 Active layer 사이 존재 * HF 로 부터 Wafer(GaAs substrate) 보호 역할 Protection ... Solar Cells and Enabling Substrate Reuse(2012) [Invert Growth 구조 1] GaAs Substrate 위에 AlAs , epi layer ... 태양전지 제작 (3/9) Cold Welding 단계 Integrated, Flexible, High‐efficiency Solar Cells: Epitaxial Lift‐Off GaAs

  리포트 | 17페이지 | 3,000원 | 등록일 2017.09.15

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  전북대 반도체센서 시험범위 정리 Chapter 6

  GaAs, InGaAs, InSb와 같은 물질 등이 있다. ... GaAs는 전자 이동도가 8500(cm2/VS)으로 InSb의 1/10 정도지만, 밴드갭이 크고 온도 특성이 좋다.InAs는 전자이동도, 밴드갭의 값이 InSb와 GaAs의 거의 중간

  시험자료 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2019.07.06 | 수정일 2020.05.03

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  화합물반도체의 금속공정(Metallization Process)

  Ohmic contact for p-GaAs – Ti/Pt/AuTernary Phase Diagram for Pt-Ga-As at 600℃Hypothesis 1 Pt diffused ... 요망사양한도비중 : 약 1, 끓는점 : 80~150℃, pH13, 무색투명한 액체, 상온에서는 무취물리적 성질유기 알칼리(C, H, O, N) + α성분Surface Cleaning of GaAs1 ... Ohmic contact for n-GaAs - Au-Ge alloy systems are dominantTLM (Transmission Line Method)Horizontal current

  리포트 | 19페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.11.14

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  반도체란(반도체의 구성과 Type별 설명)?

  자연 산화물의 부족 -MOS 소자 개발 방해 깨지기 쉬운 재료 실리콘 보다 10 배 비싼 가격 GaAs VS GaAs 에 비해 전자 이동도가 느림 마이크로 주파수에 느린 반응 그런데도

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.06.30

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  이온주입법이란

  이와 같은 문제점 때문에 GaAs 겨우 이온 주입 시에 웨이퍼 온도를 200~400DEGC 정도 높여 공정을 수행합니다. ... 특히 GaAs나 다른 Ⅲ-Ⅴ 화합물 반도체 및 SiC 같은 경우 어닐링 때에 격자 원자와 도핑된 불순물 원자가 아무 격자 위치에 들어가는 것이 아니고 자기 위치에 정확하게 옮겨가야 ... GaAs에 관하여 많은 연구가 수행되었지만, 가장 해결하기 힘든 문제 중의 하나는 도핑된 상부와 결정 내부 사이의 경계에서부터10mum정도까지 두꺼워질 수 있는 이온 주입으로 인한

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.10.11

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  26MOCVD_발표

  GaAs 성장Surface chemistry-**Hydride source** - NH3(암모니아)같은 기체를 의미.Ga(CH3)3 +AsH3 --- GaAs + 3CH4MOCVD법을 ... MOCVD의 Growth System - GaAs 성장법 - GaN 성장법 MOCVD의 장점과 단점 MOCVD의 응용분야MOCVD 란? ... GaAs와 InP와 같은 경우: 증착 시 AsH3 와 PH3같은 독소물질 사용. 배기가스에 여전히 AsH3 와 PH3가 남아있음.

  리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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  MESFET의 특징

  Si보다도 큰 이동도와 캐리어 표동속도를 갖는 GaAs나 InP와 같은 3-4족 화합물의 MESFET 소자에 대해서는 특히 속도상의 이점이 있다.GaAs MESFETGaAs는 Si에 ... 제작된 이래 GaAs MESFET은 microwave frequency 디바이스로 주목을 받게 되었다.이는 GaAs가 Si에 비해 전자의 이동도가 6배 바르고, 그 초고속도 또한 ... 이와 같은 GaAs의 우수성에 의해 GaAs MESFET은 디지털 집적회로의 고속 스위칭 element, 낮은 잡음 소자 그리고 고주파 영역에서의 전력증폭 소자 등 여러분야에서 각광을

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.26

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  [물리전자] Solid State Electronic Devices by Ben Streetman (8단원 정리)

  purpose of the wider band gap of AlGaAs layer Since injected electrons do not surmount the barrier at the GaAs ... injected electrons, laser action begins at a substantially lower current than for simple p-n junctions In GaAs

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.04.01

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  LED의 구조와 작동 원리 설명

  GaAs1-XPX의 조성비 x를 적색 LED보다 크게 취함으로써 단파장화 한다. x값이 0.65 및 0.75에서는 각각의 발광 피크파장이 630㎚ 및 610㎚의 등황색 LED로 된다 ... 마찬가지로 GaP이며, GaP 기판 결정 위에 LPE법을 이용해 p-n접합을 형성하여 제작하는 LED로 옥외용 디스플레이로도 사용되고 있다.3) GaAsP계 적색 LEDGaAsP 결정은 GaAs1

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.11.11 | 수정일 2022.03.24

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  60습식식각

  공정의 기본순서Wet etch 의 장단점SiO2 식각Si3N4 식각Si 식각Al 식각GaAs 식각PSG 식각Wet Etching ? ... 2H3PO4 → 2AlPO4 + 3H2OH2 기체가 Al막에 부착되어 일부 식각이 되지 않은 미소 부분이 생김 (Snow ball)공정 중 이 기체를 떨어뜨리기 위한 추가 장치 필요GaAs ... 식각표면연마 공정에 주 목적으로 함Ga와 As의 (111)면에서의 표면 활성도가 달라서 Ga면보다 As면이 식각속도가 빠르다2GaAs + 12h(+) +10H2O→ Ga2O3 +As2O3

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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  전자공학과 면접 준비 자료

  Conduction band의 Bottom이 동일한 k value에 있는 것, indirect semiconductor는 동일하지 않은 k value에 있는 것(아래 그림에서는 GaAs가

  시험자료 | 4페이지 | 4,000원 | 등록일 2017.08.09

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  태양전지과제(최종)

  GaAs 계열, 적층형 등2) 위성용 태양전지IV 족 : 단결정 실리콘, Ge (저온용)GaAs 계열 : GaAs, InP 등적층형(Tandem) : GaAs/Ge, GaInP/GaAs ... , GaAlAs/GaAs3. ... 이용목적 및 구조에 따른 분류1) 지상용 태양전지결정형 : 단결정, 다결정 실리콘 태양전지, GaAs/Si 등박막형 : 비정질 실리콘, CdS, CdTe, CuInSe2 등집광형 :

  리포트 | 24페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.12.07

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  전북대 반도체 센서 시험범위 정리 chapter1

  온도센서, 광 센서, 압력센서, 가스센서구성재료 Ex) 반도체, 세라믹, 유기, 금속, 복합 재료반도체 재료 : 온도, 자기, 빛에 큰 영향 받기 쉬운 것대표적인 것 → Si, Ge, GaAs세라믹

  시험자료 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.07.06 | 수정일 2020.05.03

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