"GaA" 검색결과 301-320 / 1,174건

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  광전자 실험 예비레포트

  사용해야 한다,즉 게르마늄, 실리콘, 금속과 같이 프로브와 오믹 컨택을 형성해야하며, 갈륨아세나이드 같은 재질은 도핑이 되어있지 않거나 Four Dimension Inc.의 전용 GaAs

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.01.27

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  태양관 발전 레포트

  /Ge, GaAlAs/Si, InP/Si 등- 화합물/화합물 계 : GaAs/InP, GaAlAs/GaAs, GaAs/CuInSe2태양광발전시스템의 전력변환 및 제어장치태양광발전시스템 ... 태양전지(amorphous silicon solar cell)ㅇ 화합물 반도체 태양전지(compound semiconductor solar cell)- III-V족 화합물계 : GaAs ... GaAlAs, GaP, GaInAs 등- II-VI족 화합물계 : CuInSe2, CdS, CdTe, ZnS등ㅇ 화합물 또는 적층형 (tandem) 태양전지- 화합물/VI 족 계 : GaAs

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.12.03

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  인하대 공업화학실험 PEMFC/DSSC 예비 보고서

  등 연료 공급에 대한 수소 저장 기술이 개발되었다.태양전지의 종류와 특징무기물 태양전지(inorganic solar cell): 실리콘 계열 태양전지가 여기에 속하며 CdTe, GaAs

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.09.25

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  태양전지 설계

  Assumption 1) GaAs 재료를 사용하여 태양에너지 전지를 만든다면? ... 현재 단일 접합으로 28.7% (200 sun concentrator) 이 기록이며 GaAs/GaSb 중첩전지로는 34.2% (100 sun concentrator) 가 기록이다. ... GaAs는 최적의 밴 드갭(1.45eV) 및 높은 광 흡수계수와 가장 높은 이론 효율치(39%) 등의 장점과 In, Al등과 쉽게 합금을 형성하여(InGaAs, AlGaAs) 밴드갭을

  리포트 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.05.17

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  [기초전기전자실험] 실험 17,18 센서 실험 보고서 <A+받은 자료>

  이 중에서도 GaAs재료를 이용한 홀소자가 용도 특성이 우수하여 주목받고 있다.▶ 홀소자 이용법- 센서에 일정 전류를 흘려 놓고 자계와 자계로 변환된 다른 물리량을 검출하는 방법- ... 전압이 발생하는 홀효과가 이 소자의 동작원리이며, 이 중 입력단자가 전류단자이고 출력단자가 홀 전압 단자로 표시된다.홀소자의 반도체 재료로는 Ge, Si, InAs, InSb, GaAs

  리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2016.01.03 | 수정일 2016.04.08

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  아주대 분야별실험 기계설계실험 LDV, Gap sensor를 이용한 변위측정

  출하검사 및 출하LED칩의 계열별 제작공정은 ①InGaAIP/GaAs 계열의 공정과 ②InGa(AI)N/GaN 계열의 공정으로 분류한다.① InGaAIP/GaAs 계열은 N+-GaAs ... 기판을 사용 하고 그 위에 N형 반도체와 MQW 구조의 활성층 및 P형 반도체와 콘텍층의 에피층으로 구성되어 있다.② P+GaAs 기판SET/SILICON GRAVURO TRANSFER

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.03.31 | 수정일 2014.04.07

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  인하대 전자응용실험 및 설계 LNA(Low Noise Amplifier) 조사 보고서

  파라메트릭 증폭기, FET 증폭기, 터널 다이오드 증폭기, GaAs 증폭기, 저잡음 진행파관 증폭기 등이 있다.③ LNA의 평가척도1) Stability (안정도)- 증폭기 설계에

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.11.27

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  인하대학교 공업화학실험 PEMFC 예비보고서 A+

  SiO2/nano lonomer 복합 막의 제조 및 고온As, InP, GaAlAs, GaInAs등)Ⅱ-Ⅵ족 화합물계(CuInSe₂, CdS, CdTe, ZnS등)화합물/Ⅵ 족 계열(GaAs

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.12.31

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  결과-7Segment

  GaAs1-XPX의 조성비 x를 적색 LED보다 크게 취함으로써 단파장화한다. x값이 0.65 및 0.75에서는 각각의 발광 피크파장이 630㎚ 및 610㎚의 등황색 LED로 된다. ... GaP이며, GaP 기판 결정 위에 LPE법을 이용해 p-n접합을 형성하여 제작하는 LED로 옥외용 디스플레이로도 사용되고 있다.(3) GaAsP계 적색 LEDGaAsP 결정은 GaAs1

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.05.24

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  7-segment

  GaAs1-XPX의 조성비 x를 적색 LED보다 크게 취함으로써 단파장화합니다. x값이 0.65 및 0.75에서는 각각의 발광 피크파장이 630㎚ 및 610㎚의 등황색 LED로 됩니다 ... GaP이며, GaP 기판 결정 위에 LPE법을 이용해 p-n접합을 형성하여 제작하는 LED로 옥외용 디스플레이로도 사용되고 있습니다.(3) GaAsP계 적색 LEDGaAsP 결정은 GaAs1

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.05.24

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  84화합물 반도체 공정 [2조] 성장기술 (HVPE,LPE)

  기판 위에 성장됨 2GaCl + 1/2As4 → 2GaAs + Cl2 (GaAs 단결정 박막 형성)생성된 GaCl 과 As4가 반응하여 GaAs 단결정 박막이 기판 위에 성장됨 2GaCl ... + 1/2As4 → 2GaAs + Cl2 (GaAs 단결정 박막 형성) Cl2+ H2→ 2HCl마지막 공정3. ... HVPE 를 이용한 GaAs 성장Ga 영역의 온도가 GaAs 기판 보다 약 100℃ 높다.항온조에 들어있는 AsCl3 (실온에서 액체) 에 Carrier Gas인H2를 흘려 포립시킴

  리포트 | 35페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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  다이오드의 특성

  .- 대표적인 반도체 재료는 실리콘이 있으며 Ge, GaAs, Gap등 주로 4족 원소가 해당된다.- 반도체의 90%는 실리콘이 차지하는데 실리콘은 전류를 잘 흐르지 못한다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.12.01 | 수정일 2016.11.02

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  박막형 태양전지의 성장성 (태양전지의 기술, 차세대 친환경 에너지)

  GaAs는 최적의 밴드갭(1.45eV) 및 높은 광 흡수계수와 가장 높은 이론 효율치(39%) 등의 장점과 In,Al등과 쉽게 합금을 형성하여(InGaAs, AlGaAs) 밴드갭을 ... 현재 단일 접합으로 28.7% (200 sun concentrator) 이 기록이며 GaAs/GaSb 중첩전지로는 34.2% (100 sun concentrator) 가 기록이다. ... CuIn1-xGaxSe2) 물성 및 전지효율에 대한 영향을 조사하는 것이다.④ GaAs 태양전지태양전지 재료 중에서 가장 높은 효율을 달성하였고 현재 우주용으로 상용화에 성공하여 흑자를

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.02.18

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  필라멘트 램프

  당사에서는 주로 GaAs,GaAlAs를 사용하고있다.2) 형상▷ LED는 그 Package방법에 따라 특성이 크게 변하기 때문에 용도에 맞는 LED를 선택할 필요가 있다. ... 어떤 타입도 이런 형상에 의한 특성을 갖고 출력면 에서 GaAs, GaAlAs타입파장면에서 가시, 근적외 특성을 맞춰 여러 가지 특성의 LED를 취급하고 있다.▷ 발광 다이오드는 여러

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.11.16 | 수정일 2018.04.27

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  반도체와 초전도체 ppt 파워포인트자료

  Gumn 다이오드 ◆ GaAs, AlGaAs, 3원소, 4원소의 화합물 : 반도체 레이저화합물 이용소자WB (Wide-Band-gap) 반도체WB반도체는 에너지갭이 Si나 GaAs계의 ... GaAs나 GaP와 같은 2원소(binary)의 Ⅲ-Ⅴ족 화합물은 발광 다이오드( light-emitting diode: LED)에 주로 이용된다화합물 반도체를 이용한 소자는 주로 ... 것과 같은 형광물질( fluorescent material ) ◆ INSb : 광검출 소자( light detector ) ◆ GaAs, InP - 마이크로파 전자소자로서 중요한

  리포트 | 49페이지 | 5,000원 | 등록일 2013.04.17

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  HEMT의 정의와 기술 동향 모든것[High Electron Mobility Transistor, 통신용 초고속 반도체 소자]

  HEMT는 undoped GaAs층에 계발될 수 있는 2차원적 전자gas의 초고 특성을 보인다. ... Tsui는 강력한 자기장과 낮은 온도에서 쓰이는 GaAs/AlGaAs heterojunction 의 이차원위의 전자가스의 성질을 측정하였다. ... 특히 GaAs(Gallium Arsenide)는 direct energy band 구조, 높은 전자 이동도와 적은 전력 소모 등의 특성이 있다.

  리포트 | 17페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.02.17

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  현대물리실험-Thermal Evaporation (열 진공증착) 결과레포트

  웨이퍼(wafer) 공정 : 웨이퍼는 반도체 집적회로의 핵심재료이며 실리콘, 갈륨, 갈륨 아세나이드(GaAs) 등을 성장시켜서 얻은 잉곳(Ingot)을 적당한 지름으로 얇게 썬 원판모양의

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2018.05.30 | 수정일 2022.06.01

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  HEMT (High Electron Mobility Transistor)

  SiGe 기반 HEMT 은 현행 Si 반도체 제조 기술적용이 가능하다는 점에서 GaAs 나 InP 기반 HEMT 보다 기본적으로 제조가 보다 용이하다. ... z C O N T E N T S zNoS u b j e c tPage1.용어 설명22.개발 역사23.구조 및 동작 원리3- HEMT 개발에 있어 GaAs 가 가지는 장점4- 도핑 농도에 ... 전기전자기술자협회)에서 기념상을 수상하기도 한다.03구조 및 동작 원리● 구조적으로는 종류가 서로 다른 화합물 반도체의 박막을 겹친 2층 구조인데, 미무라씨가 개발한 갈륨 비소(GaAs

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.04

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  센서

  된 것이 도화선이 되어 갑자기 주목을 집중시키게 되었다.태양전지는 그 표면에 조사된 입사광을 전기 출력으로 변하게 하는 것으로 단결정 Si를소재한 Si 태양 전지 외에, CdS, GaAs

  리포트 | 63페이지 | 6,000원 | 등록일 2018.08.27 | 수정일 2022.03.21

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  전북대 반도체 센서 시험범위 정리 chapter2

  구조에 따라 PN접합, PIN구조 등 여러 종류가 있음 재료는 Si, Ge, GaAs, InGaAs 등Q3: PN 포토다이오드란?

  시험자료 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2019.07.06

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