"GaA" 검색결과 321-340 / 1,174건

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  SiC, GaN 화합물 반도체의 전력소자 응용

  화합물 반도체는 결정이 두 종류 이상의 원소 화합물로 구성되어 있는 반도체로, 갈륨-비소(GaAs), 인듐-인(InP), 갈륨-인(GaP) 등의 Ⅲ-Ⅴ족 화합물(주기표의 Ⅲ족과 Ⅴ족의 ... 사이리스터, GTO(Gate Turn Off 사이리스터), IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor), 파워MOSFET 등 파워디바이스의 대부분은 Si(일부 GaAs

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.10.13

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  DSSC pre

  , CdS, CdTe, CuInSe2 등- 집광형 : GaAs 계열, 적층형 등ⓑ 위성용 태양전지- IV 족 : 단결정 실리콘, Ge (저온용)- GaAs 계열 : GaAs, InP ... 등- 적층형(Tandem) : GaAs/Ge, GaInP/GaAs, GaAlAs/GaAs4.1 실험 시약 및 기구시약염료용액, 전해질용액, 에탄올, 봉지재료기구음전극(TiO₂ 물질이 ... /Ge, GaAlAs/Si, InP/Si 등㉡ 이용목적 및 구조에 따른 분류ⓐ 지상용 태양전지- 결정형 : 단결정, 다결정 실리콘 태양전지, GaAs/Si 등- 박막형 : 비정질 실리콘

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.21

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  화합물 반도체 태양전지

  GaAs 계열 : GaAs, InP 등● 적층형(Tandem):GaAs/Ge,GaInP/GaAs, GaAlAs/ S으로 대체한 한 오원화합물은 CIGSS [Cu(InxGa1-x)(SeyS1 ... /Si 등● 박막형 : 비정질 실리콘, CdS, CdTe, CuInSe2 등● 집광형 : GaAs 계열, 적층형 등○위성용 태양전지● IV 족 : 단결정 실리콘, Ge (저온용)● ... 반도체 태양전지 ( compound semiconductor solar cell )①I-III-VI족; CuInSe2, Cu(In,Ga)Se2②Ⅱ-Ⅵ족; CdTe, CdS③Ⅲ-Ⅴ족; GaAs

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.04.02

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  홀센서를 이용한 자석으로 열리는 자동문 / 자석으로 닫히는 자동문

  이 중에서도 GaAs 재료를 이용한 홀 소자가 용도 특성이 우수하여 주목받고 있다.홀 소자의 구조로서는? 단결정 재료를 박편화한다.? ... Effect)가 이 소자의 동작 원리이며, 이중 입력 단자가 전류 단자이고 출력 단자가 홀 전압 단자로 표시된다.홀 소자용의 반도체 재료로는 Ge, Si, InAs, InSb, GaAs

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.01.12

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  유비쿼터스컴퓨팅개론1공통) 현재 많이 사용되고 있는 스마트폰뿐만 아니라, 우리의 일상 생활에서는 다양한 센서가 장착되어 사용되고 있습니다. 현재 일상생활에서 쓰여지는 센서를 3개 조사하여 기술적인 내용과 기능적인 내용을 기술하고, 이 센서를 활용하여 일상 생활에서 제공될 수 있는 미래 IoT 서비스를 기술하십시오. 그리고 센서를 활용한 일상 생활 서비스에

  예를 들면 Si dope한 GaAs(적외) LED(950nm)는 직접 천이형이기 때문에 양자 효율은 약 10%로 높은데 비해서 N dope GaP(녹색) LED(565nm)는 간접

  방송통신대 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.03.17 | 수정일 2016.03.26

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  PEMFC,DSSC 예비보고서

  최근에는 변환효율을 높인 GaAS/Ge 이중접합 태양전지와 같은 유/무기 혼합 또는 순수유기 태양전지가 있다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.05.27

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  신재생에너지(태양에너지)

  이론적으로 이상적인 값을 갖고 있으며 전기적 및 광학적 특성이 태양전지재료로서 적합한 것으로 알려져 있으나 무엇보다도 중요한 성질은 물질의 합성이 쉽다는 점이다 .태양전지 종류 (GaAs

  리포트 | 54페이지 | 3,500원 | 등록일 2018.06.07 | 수정일 2019.09.26

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  [기기분석] LED(light emitting diode)

  또한 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 에너지를 광에너지로 변환시켜 주는 반도체소자를 말한다.특히 화합물 반도체인 GaAs와 GaP 등의 단결정 성장 기술이 현저하게 발달되어 고품위 ... GaAs1-XPX의 조성비 x를 적색 LED보다 크게 취함으로써 단 파장화한다. x값이 0.65 및 0.75에서는 각각의 발광 피크파장이 630㎚ 및 610㎚의 등황색 LED로 된다 ... 마찬가지로 GaP이며, GaP 기판 결정 위에 LPE법을 이용해 p-n접합을 형성하여 제작하는 LED로 옥외용 디스플레이로도 사용되고 있다.③ GaAsP계 적색 LEDGaAsP 결정은 GaAs1

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.07

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  기초재료및실험 - 결정구조

  한편 GaAs나 SiGe험결과

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.11.11

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  PVD의 종류와 특성, 응용분야

  ,GaP의 가열에 의해서도 얻어짐Ga 증발원 ~ 950KAs 증발원(GaAs → As2) 1100 ~ 1250KP 증발원(GaP → P2) 1100 ~ 1250KGaAs 기판 ＞ 700KGaP ... 제작법으로서 발달ㆍ증발원에서의 모든 성분원소를 빔상으로 구성한 방법ㆍ장치의 구성→쿠누센 셀형의 증발원→기판의 주변을 저온으로 유지하여,V족의 증기가 기판에 응축하도록 함→As나P의 증발은GaAs

  리포트 | 21페이지 | 2,500원 | 등록일 2015.01.08 | 수정일 2023.04.29

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  [전자공학실험-예비+결과보고서] 9.Diode 특성, Zener diode

  GaAs 계열의 반도체 재로로 제작한 diode의 경우 순방향 전류가 흐르면 빛을 내기도 한다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.06.21

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  [자료 수치 해석] C 프로그램 언어를 이용한 수치해석 문제 풀이 및 결과 화면 레포트

  기말 과제⑴문제 : NTL 실험실에서 Sputter를 이용하여 두께 15mm의 Ga에 As를 덮어 GaAs를 만드는 중이다. 이때 Ga내의 As농도 변화를 나타내어라.

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.06.23

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  태양광 발전의 개요 및 전기적 특성

  실리콘, Ge(저온용)GaAs 계열GaAs/GaAs, GaAs/Ge, InP 등적층형(Tendem)GaAs/Ge, GalnP/GaAs, GaAs/GaAs,GalnAs/InP, GalnAs ... /화합물 계열GaAs/InP,GaAlAs/GaAs,GaAs/CulnSe2 등2. ... 태양전지의 이용목적에 따른 재료지상용결정질형단결정,다결정 실리콘, GaAs/Si 등박막형비정질 실리콘, CdS, CdTe, CulnSe2 등집광형GaAs 계열, 적층형 등위성용Ⅳ족단결정

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.06

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  LED에 관한 고찰 리포트

  용액으로부터 결정을 성장시키는 것이 유리하다.(4) GaAsP 계 적색 LEDGaAsP 의 등황색 LED는 기판결정에 GaP를 이용하여VPE법에 의해 발광용 P-N 접합을 형성한다.GaAs ... 성장시킬 수 있어 비교적 간단하게 서로 다른 불순물 농도를 갖는 다중 기능층(functional layer)들을 기D가 제작되었다.(8) 적외 LED적외선 LED의 재료는 주로 GaAs로 ... III-III-V-V족 결합을 띄고 있다.Red LED : AlGaAs, GaP, GaAsOrange LED : GaAsP, GaPGreen LED : GaPUV LED : AlGaAs, GaAs이런

  리포트 | 17페이지 | 2,400원 (35%↓) 1560원 | 등록일 2013.12.10

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  [전자물성]화합물반도체란

  전기저항이 도체와 절연체의 중간인 10∼10Ω㎝ 범위에 있는 물질이며, 어떤 온도 이상으로 온도가 높아질수록 저항률이 떨어지는 것이다.여기에는 원소 주기율표 3-5족의 비소화갈륨 GaAs ... 가시광선 영역에서 발광 및 수광 기능을 갖고 있음- GaAs는 0.87㎛ 파장의 빛을 낼 수 있음- 전자는 이동도가 Si 대비 5 ~ 6배 빠르다- 고출력 Microwave 발진이 ... 가능함- 전력 소비가 적다- 고온에서 동작 가능함- 이종 접합 기술이 가능하여 Bipolar TR, HEMT, and Laser Diode등에 이용 가능함■ GaAs 반도체 장단점1

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.06.18

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  LED 역사, 원리, 구조, 분류, 활용분야

  발광을 관측하였고 1955년 GaP으로 발광 다이오드를 만들었다. 1962년 GaAs로 pn 다이오드를 만들어 발광현상을 관측하고 이후 GaAsP를 이용한 적색 LED가 만들어지고 ... 그러나 실질적인 연구개발은 GaP나 GaAs와 같은 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체에 대한 기초연구가 시작되었던 1950년도부터라고 할 수 있다. 1952년 Si나 Ge으로 구성된 pn접합부에서 ... -xPx의 성분비 x를 바꿈으로써 적외선(x=0)부터 녹색(x=1)까지 발광한다.(4) GaAsP계 등황색·황색 LEDGaAsP의 등황색 LED는 GaAs1-XPX의 조성비 x를 적색

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.16

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  양자보고서2

  이 이유 역시 GaAs의 경우와 마찬가지다.Compare your results between GaAs and InAs quantum dots.Effective mass 가 다르기 ... State #1과 State #2인 경우만 비교해보면 GaAs의 경우는 2.8873-2.2208=0.6665 eV이고 InAs의 경우는 4.6256-2.6899=1.9357 eV 가 ... 이 Energy 변화량 크기를 비교해보면 InAs의 경우가 GaAs의 경우에 비해 3배 라는 것을 알 수 있는데 이것은 앞에서 말했듯이 Effective mass가 3배 가량 작기

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.06.27

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  LED 전압 인가에 따른 전류 측정

  LED는 주로 갈륨비소(GaAs), 갈륨인(GaP), 갈륨비소인(GaAsP), 갈륨질소(GaN) 등으로 만들어지며,?

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.05.04

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  방사선사 국가고시 방사선 계측학 중요 point

  전하운반자의 수의 통계적 편차- 전하수접효율의 변동- 전자회로의 잡음 등기타 반도체 검출기GaAs, CdTe, HgI₂ 의 검출기 ?

  시험자료 | 12페이지 | 4,000원 | 등록일 2018.09.30 | 수정일 2018.10.05

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  ga1-xalxas gaalas superlattices.

  The x in the formula is a number between 0 and 1 - arbitrary alloy between GaAs and AlAs. ... Perfect coherence of atom arrows between GaAs substrate and GaAlAs layer [in Fig. ... Al x As superlatticesGa 1-x Al x As Semiconductor material with nearly the same lattice constant as GaAs

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.22

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