"GaA" 검색결과 401-420 / 1,174건

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  반도체기술

  이러한 부분을 담당하는 반도체 재료로는 GaAs, InP, GaP 등이 있다. ... (길이에 상관없이 저항값 일정)* 웨이퍼 접합논리소자와 아날로그 부품, 다양한 통신용 칩과 RF부품, 실리콘과 SiGe 혹은 GaAs 소자 등 다양한 웨이퍼 상의 소자들을 서로 접합시켜

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.03.28

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  전자공학실험 : LED와 Laser Diode의 특성평가

  주입형 레이저 다이오드 또는 반도체 레이저라고도 하며, 갈륨비소(GaAs) 등이 재료로 쓰인다3. 실험 기구 및 시약가.

  리포트 | 13페이지 | 4,400원 | 등록일 2015.10.21 | 수정일 2020.08.01

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  태양광 발전 국내 기업 조사

  / SiC / GapSolar , GaAs , Si3. ... 반도체 시장에서의 영원한 세계 최고기업일류사회의 발전에 공헌하는 회사기술력과 품질로 경쟁력을 갖춘 회사사업파트너와 함께 성공하는 회사목표반도체 wafer 분야의 세계적 업체 : GaAs

  리포트 | 29페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.05.10

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  발광다이오드 LED 원리 역사 기술동향

  GaAlAs, GaAs와 GaP의 혼합 결정인 GaAsP가 주로 사용되어 왔다. ... , 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3 B 및 5 B족인 2원소 ... ① 발광파장이 가시(可視) 또는 근적외영역(近赤外領域)에 존재할 것, ② 발광효율이 높을 것, ③ p-n접합의 제작이 가능할 것 등의 조건을 만족시키는 것으로서 주로 비소화갈륨 GaAs

  리포트 | 32페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.08.26

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  03Bulk growth

  방식 수평형 Bridgman 방식Bridgman 방식의 소개1925년 Bridgman에 의해 개발 정상 응결 방법 융액(melt)의 점도가 낮아 결정을 끌어 올릴 수 없을 때 사용 GaAs

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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  LED 산업육성을 위한 구체적인 방안

  310-20----GaP:ZnOGaP:NGaPGaPGaPGaPLPELPELPE빨강초록순녹7005655552-40.3-0.40.1-0.20.4-0.81.95-2.600.68-1.36GaAs0.6P0.4GaAs0.35P0.65 ... 그러나 고휘도 LED를 구현하기 위해서는 직접천이 형 반도체의 사용이 필수적으로 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체가 이에 해당한다.적색 LED의 경우에는 GaAs와 AlAs의 혼합 ... 결정인 GaAlAs, GaA같은 4원계 조성의 화합물 반도체 박막 성장기술 발달에 따라 백열전구보다 높은 조명효율을 갖게 되었다.녹색 LED는 AlP와 GaP가 가장 좋지만 AlP는

  리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.08.05

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  MOCVD

  이 결과를 통해서 GaN이 고르게 성장되지 않았음을 알 수 있다.① 산업표준고려 : 일반적으로 GaN 반도체를 성장하기 위하여 사파이어, SiC, Si, GaAs 기판 등이 주요 사용되는데

  리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.07.02 | 수정일 2023.03.30

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  태양전지 동향 및 전망

  족 : 단결정 실리콘, Ge (저온용)GaAs 계열 : GaAs, InP 등적층형(Tandem) : GaAs/Ge, GaInP/GaAs, GaAlAs/GaAs,4. ... 태양전지결정형 : 단결정, 다결정 실리콘 태양전지, GaAs/Si 등박막형 : 비정질 실리콘, CdS, CdTe, CuInSe2 등집광형 : GaAs 계열, 적층형 등② 위성용 태양전지IV ... 반도체에는 (-)전하를 띤 전자를 끌어당기는 n형 반도체m) 태양전지화합물/VI 족 계열 : GaAs/Ge, GaAlAs/Si, InP/Si 등○ 이용목적 및 구조에 따른 분류① 지상용

  리포트 | 22페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.10.11

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  PL

  여기된 전자는 불안정하여 아주 짧은 시간 내에 (si은 대략 10-5sec, GaAs는 10-9sec) hole과 재결합하면서 빛으로 다시 에너지를 방출한다.

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.31

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  PN접합을 이용한 청색 LED

  전기적 특성은 Hall-Effect방법으로 측정할 수 있는데 Fig1은 GaAs 기판에 질소로 도핑시킨 p형의 ZnSe의 전도성을 나타낸 것이다. ... 그러다 최초로 LED의 재료가 GaAS였고 그 후에 GaAsP로 오렌지색 발광을 만들어 냈고 GaP에 의해 녹색과 황색의 발광 다이오드가 개발되었다.그런데 청색의 LED를 제조하기란

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.12.17

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  graphene의 모든것

  ITO를 대체할 새로운 소재의 필요성이 대두되는 가운데, 그래우 현재의 터치스크린의 성능을 뛰어넘을 수 있다.1) 디스플레이투명 디스플레이투명 디스플레이란 규소(Si), 갈륨비소(GaAs

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.12.03

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  세포 생화학 및 실험 Preparation and Characterization of Plasmid DNA

  28.6㎖← adjust pH 4.8 with KOH← dH2Omake 100㎖dH2O 60㎖dH2O 14.25㎖GAA 28.6㎖ GAA 5.75㎖← adjust pH 4.8 with ... room temperature storage for several days)Solution Ⅲ : KOAc/HOAc solution(one of two method)dH2O 60㎖GAA

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.27

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  돌연변이

  =================3) Silent Mutation- 염기 서열은 변했지만, 단백질의 서열 및 양이 변하지 않아서 활성 및 표현형에 변화가 없는 돌연변이Example)GAA ... 같이 일어난다.3'-TAC GTC TCC AGC GGA GAC CTT TTC CGG TCG CAA CTG AGG TTG ATC-5'5'-AUG CAG AGG UCG CCU CUG GAA

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.09.01

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  발광 수광 opamp 다이오드 1

  .- ST-7L 과 EL-7L① ST-7L (수광)- GaAs 적외선 LED이다.- Half angle이 ±17°로 고지향성이다.- 중심발광파장은 940㎚로 근적외선 영역이다.- 저가격이다

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.24

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  ZnO 나노 분말 합성

  GaAs 단결정 기판상의 N-In 공도핑된 p형 ZnO와 n형 ZnO 박막의 동종 접합에 의한 LED와 n형의 ZnO 나노막대와 p형의 poly-2,4-ethylene dioxythiophene

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.12.15

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  ppt,파워포인트]연료감응형 태양전지(화학실험)

  , InP CdS , CdTe 18 ~ 30%( GaAs ) 10 ~ 12%( 기타 ) - 3 원계 CulnSe ₂ 10 ~ 12% - 유기태양전지 멜로시아닌 프탈로시아닌 3% 이하 ... 다결정 Si 15 ~ 24% 10 ~ 17% 10 ~ 14% 9 ~ 12% 비결정계 비결정 Si 비결정 SiC 비결정 SiGe 8 ~ 13% - 화합물 반도체 태양전지 2 원계 GaAs

  리포트 | 46페이지 | 3,600원 | 등록일 2012.07.10 | 수정일 2014.02.19

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  나노튜브

  .* GaAs 태양전지태양전지 재료 중에서 가장 높은 효율을 달성하였고 현재 우주용으로 상용화에 성공하여 흑자를 기록하고 있는 재료이다. ... 현재 단일 접합으로 28.7% (200 sun concentrator) 이 기록이며 GaAs/GaSb 중첩전지로는 34.2% (100 sun concentrator) 가 기록이다. ... GaAs는 최적의 밴 드갭(1.45eV) 및 높은 광 흡수계수와 가장 높은 이론 효율치(39%) 등의 장점과 In, Al등과 쉽게 합금을 형성하여(InGaAs, AlGaAs) 밴드갭을

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.05

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  반도체 다이오드

  거의 유일하게 사용됨.실리콘(Si)현재 반도체 시장에서 가장 많이 쓰임.갈륨비소(GaAs)실리콘 트랜지스터보다 처리속도 향상..PAGE:54. 공유결합과 진성진성??

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.20

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  태양전지-차세대 태양전지로써의 박막형 태양전지의 성장성(태양전지의 작동원리 등)

  이러한 나노 사이즈 효과를 이용하면 입자 크기에 따라 다양한 밴드갭을 가진 광흡수층을 제조할 수 있으므로 적층형 태양전지를 보다 쉽게 만들 수 있다.④ GaAs 태양전지태양전지 재료 ... GaAs는 최적의 밴드갭(1.45eV) 및 높은 광 흡수계수와 가장 높은 이론 효율치(39%) 등의 장점과 In,Al등과 쉽게 합금을 형성하여(InGaAs, AlGaAs) 밴드갭을 ... 현재 단일 접합으로 28.7% (200 sun concentrator) 이 기록이며 GaAs/GaSb 중첩전지로는 34.2% (100 sun concentrator) 가 기록이다.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.10

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  암페어의 법칙

  테슬라메타 1EA3 Ranges : 0~2mT , 0~20mT , 0~200mTAccuracy : ±5%Hall Sensor type : GaAs2 Probes : 접선방향 1EA축

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.12.15 | 수정일 2016.03.16

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