"GaA" 검색결과 361-380 / 1,174건

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  반도체물성이론

  그러나 우리는 어차피 실리콘 반도체나 GaAs 그밖의 한두가지의 반도체만 알면 되므로 실리콘이나 GaAs의 물질을 이해할 때는 그림 3.2.4(a)로 이해하고 그 다음은 그림 3.2.4 ... 사용하는 반도체의 에너지 갭은 얼마인지 기억하자 몇 종류만 알면 되므로 될수 있으면 암기하는 것이 좋겠다.실리콘 (Si) 은 1.12eV게르마늄 (Ge) 은 0.67eV갈륨비소 (GaAs

  리포트 | 66페이지 | 3,500원 | 등록일 2012.11.05

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  LED 레포트 A+

  GaAs결정은 Eg가 1.4[eV]이므로 그 파장은 약 [그림 2] GaAs 발광다이오드 890nm로 된다.LED의 특징가. ... GaAs1-XPX의 조성비 x를 적색 LED보다 크게 취함으로써 단파장화한다. x값이 0.65 및 0.75에서는 각각의 발광 피크파장이 630㎚ 및 610㎚의 등황색 LED로 된다.5 ... 마찬가지로 GaP이며, GaP 기판 결정 위에 LPE법을 이용해 p-n접합을 형성하여 제작하는 LED로 옥외용 디스플레이로도 사용되고 있다.3 GaAsP계 적색 LEDGaAsP 결정은 GaAs1

  리포트 | 26페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.03.09

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  결정 성장 기술

  예를 들어 GaAs의 용융점은 1238 oC이나 금속 Ga와 GaAs의 혼합물은(이 혼합물의 조성비에 따르지만) 상당히 낮은 용융점을 갖는다. ... 단결정의 GaAs 층을 시드 결정 위에 성장시키는 것이다. ... 따라서 GaAs 시드 결정을 그것 자체가 용융되는 온도보다 낮은 온도에서 녹는 Ga+GaAs 용액 속에 담가둔 후, 이 용액을 용융점(melting point)으로부터 서서히 냉각시키면서

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.10.06

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  다이오드PPT

  GaAs 초고밀도 집적회로 분양에서 실리콘 장치를 대체하고 있다 . ... 물질 ✔ 절연체 : 전기가 잘 통하지 못하는 물질 ✔ 반도체 : 도체와 부도체의 중간자적 물질반도체 물질 3 가지 반도체 물질 게르마늄 ( Ge ), 실리콘 (Si), 갈륨비소 ( GaAs ... 조건 및 물리적 구 조에 대한 함수 ID = IS(e kVD / Tk -1)제너 다이오드 제 너 영역실리콘 , 게르마늄 그래프온도에 따른 실리콘 다이오드의 특성변화Ge , Si, GaAs

  리포트 | 33페이지 | 4,000원 | 등록일 2011.11.13

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  LED의 발광의원리

  이 역치 전압은 LED재료나 소자 구조에 의해 결정되고, GaAs에서는 1.0 ~ 1.2V, GaA1As에서는 1.5 ~ 1.7V, GaP에서는 1.8V, SiC에서는 2.5V정도의 ... p-n 접합부에서의 발광관측을 시작으로 GaAs, GaP, GaAsP, ZnSe등의 결정성장기술, 주입 발광현상에 관한 수 많은 연구 발표가 이루어졌으 며,⑤ 1968년의 GaAsP ... 커지게 되므로 고휘도를 요구하는 조명용 LED는 높은 전류(~1A)를 흘려주며 작동하게 된다.빛의 파장은 반도체의 고유한 특성인 에너지 밴드갭에 따라 결정된다.적색 LED에서는 GaA1As와

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.04.11

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  양자점 분자구조의 특성 및 소자응용

  이것은 보통 격자상수(lattice constant)가 다른 두 반도체 물질을 이용하는데, InAs와 GaAs 혹은 InP의 경우 대략 7% 정도의 격자 상수 차이가 난다. ... InGaAs/GaAs 양자점의 이상적인 상황을 가정했을 경우의 에너지 구조 (a)와 이 구조에서 계산한 양자점의 에너지 준위 (b).양자점 구조의 특성 측정(1) C-V측정 및 운반자

  리포트 | 11페이지 | 7,500원 | 등록일 2013.10.17 | 수정일 2019.06.19

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  자기력측정

  홀효과(Hall effect) 방법금속이나 반도체의 양단에 전류를 흘리고 이에 수직되게 자장을 인가하면 전자나 정공 (리고 GaAs 등이 응용되고 있다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.12.22 | 수정일 2017.03.13

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  LED발광 다이오드에 대해서

  예를 들어 GaAs공기 경계면에서는 θc는 겨우 16°이며, 이것은 많은 양의 빛이 전반사를 겪게 된다는 것을 의미한다. ... 즉 LED는 전자와 정공쌍이 재결합하여 광자를 방출하는 전형적인 직접 밴드 갭(ex GaAs)로 만든, 본질적으로는 p-n접합 다이오드이다. ... LED의 구조기술적으로 간단한 구조 때문에, LEDs는 전형적으로 Fig2(a)와 같이 알맞은 기층(substrate, 예를 들어 GaAs 또는 GaP 등)에 도핑된 반도체를 에피택셜

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.10.05

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  PLED 소자제작 예비레포트

  PATh계 PLED의 경우는 GaAs나 InGaP 반도체 diodes와는 반대로 온도가 올라감에 따라(20-80℃) 발광 강도가 증가함을 보여주는데, 그 이유는 주쇄 구조의 변화에

  리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.07.15

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  LED의 발광원리, LED제조공정, LED 광효율, 조명용어 설명, LED조명 시장, 국가별 정책 전망

  - LED(Light Emiting Diode)는 화합물 반도체(예: GaP, GaAs)의 pn 접합 다이오드에 순방향 전류가 흐를 때 빛을 발하는 현상을 이용한 소자를 말한다.

  리포트 | 84페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.12.04 | 수정일 2018.02.19

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  (결과보고서)발광 소자의 특성 측정

  GaAs나 GaAlAs와 같은 반도체 물질들은 굴절률이 3.6 정도로 높기 때문에 공기와의 경계면은 빛이 공진할 수 있는 반사조건을 제공하여, 평행한 양 쪽 절단면은 레이저 공진기를

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.05.18

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  avr atmega 128 8개 LED 제어

  포트를 소프트웨어와 연동시키면 전기적 입력을 받거가 출력으로 특정 디바이스를 제어하게 할 수 있다.(1)2)LED:(Light Emitting Diode)발광다이오드(LED)란 GaAs등의

  리포트 | 1,500원 | 등록일 2012.05.21 | 수정일 2014.03.24

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  27MOCVD공정

  사용하여 박막을 성장 시키는방법이다 유기금속 화합물(Metal Organic)을 사용하여 Thermal CVD법에 의해 박막을 만드는 기술 반응 예] Ga(CH3)3 + AsH3 → GaAs ... / 높은 열분해 온도 (800℃)TBA(C4H9)AsH2액체, MOVPE에 적절한 증기압 낮은 탄소 오염 / 안정성, 낮은 분해 온도(380℃)높은 비용TMA(CH3)3As액상, GaAs에

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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  cu를 이용한 박막 증착 실험보고서

  좀 더 풀어서 말하자면, 많이 쓰이는 산화물 반도체나 GaAs 등을 증착시킬 때 PVD 방법들은 그 화합물들을 우선 소결하거나 녹여서 고체 상태의 target으로 제조해서 열이나 전자빔으로

  리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.06.20

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  cigs의 개요 원리 구성및특성 박막성장기술 장단점 고효울화방안

  높 은 장비 투자 비용 화합물 반도체 Ⅱ-Ⅵ Ⅲ-Ⅴ 단결정 실리콘 다결정 실리콘 비정질 실리콘 A-Si/ nc -Si 박 막 실리콘 결정 CdTe CIS/CIGS Galnp ₂/ GaAs ... 아 직 R D 단계 소재구분 기술군 세부기술 Bottle Neck태양전지분류 단결정 Si (c-Si) 다결정 Si (mc-Si) 비정질형 (a-Si : H) 실리콘계 Ⅲ-Ⅴ 형 GaAs ... 동종접합으로 태양전지에 사용 가장 산업화가 앞서가고 있는 분야 단결정 실리콘 1 세대 태양전지2 세대 태양전지 CI(G)S ( CuIn ( Ga )Se2) 와 CdTe 계열과 III-V GaAs

  리포트 | 62페이지 | 4,000원 | 등록일 2012.05.26

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  태양전지

  태양전지는 가장 높은 효율을 달성하였고 현재 우주용으로 상업화에 성공하였으며 GaAs는 최적의 밴드갭과 높은 광 흡수계수 및 가장 높은 ... 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변화시키는 장치..PAGE:4태양전지 개발의 역사연도 내 용1954 단결정 태양 전지1955 CdS 태양 전지(Reynolds et al)1956 GaAs ... 1마이크로미터 이하면충분하다(단결정 실리콘은 기계적 강도를 포함하여 30마이크로 정도 필요)- 가스 반응이기 때문에 큰 면적 확보가 용이하다..PAGE:13화합물 반도체 태양전지GaAs

  리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.02.19

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  Tyrosine hydroxylase에 대해서

  gag gat gacaat aac gaa gag gat gacaat aac gaa gag gat gactta ttg3′5′Y T Q R V E V L D Ntggtat tacgtt ... Degenerate primeraccata atgcaa cag cat cacaga agg agt agc tca tcggga ggg ggt ggcgga ggg ggt ggcaat aac gaa

  리포트 | 21페이지 | 3,200원 | 등록일 2010.11.20

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  4.전압인가LED

  , 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3B 및 5B족인 2원소 또는 ... Si나 Ge 같은 원소성 반도체들은 indirect gap으로 포논에 의해서 열로 대부분 방출되는데, GaAs 같은 화합물 반도체는 direct gap으로 전자가 가전자대로 내려올 ... 적합한 재료①발광파장이 가시(可視) 또는 근적외영역(近赤外領域)에 존재할 것, ②발광효율이 높을 것, ③p-n접합의 제작이 가능할 것 등의 조건을 만족시키는 것으로서 주로 비소화갈륨 GaAs

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.24

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  [일반생물학실험]DNA 모델 구조 관찰 및 제작

  ACG트레오닌AAG리신AGG알기닌GGGUU발린(Val)GCU알라닌(Ala)GAU아스파라트산(Asp)GGU글리신(Gly)UGUC발린GCC알라닌GAC아스파라트산GGC글리신CGUA발린GCA알라닌GAA글루탐산

  리포트 | 11페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.08.21 | 수정일 2020.08.02

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  실리콘태양전지

  계열, 적층형 등ⓑ 위성용 태양전지- IV 족 : 단결정 실리콘, Ge (저온용)- GaAs 계열 : GaAs, InP 등- 적층형(Tandem) : GaAs/Ge, GaInP/GaAs ... , GaAlAs/GaAs2. ... 사이에서 이루어 졌는데, 1941년 적정한 효율을 내는 실리콘(Si) 태양전지가 연구되었고, 1954 박막형 : 비정질 실리콘, CdS, CdTe, CuInSe2 등- 집광형 : GaAs

  리포트 | 35페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.27

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