"GaA" 검색결과 381-400 / 1,174건

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  8. 반도체 나노입자의 분광학적 성질(예비)

  .* (에너지 밴드를 분리시키는 금지대역, 전도대 및 가전자대를 분리시킴)- 전도체 (Al,Au,Pt,Cu,W 등) : Eg ≒ 0 [eV]- 반도체 (Si,Ge,GaAs,InP 등

  리포트 | 20페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.04.05 | 수정일 2016.04.11

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  반도체 다이오드, 제너다이오드, 에미터접지트랜지스터의 특성실험

  절연 내력이 파괴되어 전류가 흐르지 않습니다.즉, 일정한 V를 넣어주면 R이 파괴됩니다.각종 Diode의 용도를 설명하라.크게 발광 / 제너 / (Si / Ge / GaAs)로 구분됩니다.발광다이오드는

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.05.01

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  LED 발광다이오드

  310-20----GaP:ZnOGaP:NGaPGaPGaPGaPLPELPELPE빨강초록순녹7005655552-40.3-0.40.1-0.20.4-0.81.95-2.600.68-1.36GaAs0.6P0.4GaAs0.35P0.65 ... 결정인 GaAlAs, GaAs와 GaP의 혼합 결정인 GaAsP가 주로 사용되어 왔다. ... 그러나 고휘도 LED를 구현하기 위해서는 직접천이 형 반도체의 사용이 필수적으로 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체가 이에 해당한다.적색 LED의 경우에는 GaAs와 AlAs의 혼합

  리포트 | 19페이지 | 3,700원 | 등록일 2011.04.04

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  인하대 생활과 과학 시험대비 직접 정리

  Si나 GaAs씀. Si이 가장 많이 쓰임. 단결정 Si가 가장 비쌈.

  시험자료 | 17페이지 | 4,000원 | 등록일 2017.12.24

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  사회언어학-월방언 분석

  예를 들어 위에서 “而家”는 “现在”라는 뜻을 가진 “而家” [ji4 gaa1] 는 “依家”、“宜家”、 “伊家” 이렇게 다양한 한자로 쓸 수 있다.

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2016.12.19 | 수정일 2017.01.03

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  LED 발전 과정, 최신 동향, 기초 이론, 제조 공정, 측정 분석

  P-N 1960 년 발광 관측 시작 계기로 , GaAs , GaP , GaAsP , ZnSe 결정성장기술 주입발광현상 에 대한 많은 연구발표 이루어짐Ⅱ LED 발전 과정 1900 ... 1952 년 발광 관측Ⅱ LED 발전 과정 1900 2010 G.A WOLFF GaP 에서 1955 년 발광 관측Ⅱ LED 발전 과정 1900 2010 Jacques Pankove GaAs

  리포트 | 82페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.12.24

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  고려아연 기업소개, 회사개요, 연혁, 주요사업, 제품소개, 매출구성, 자회사 및 계열사, 시장점유율 등

  희소금속용도카드뮴배터리, 도료, PVC 안정제, 합금텔레륨축전지, 자동차 부품, 철강 산업 첨가제, 광디스크 메모리, 태양전지, 열전소재코발트자성재료, 원유 탈황 촉매, 이차전지갈륨GaAs

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.11.25

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  태양 전지 종류와 발전단계

  GaAs 의 경우 가장 효율이 높은 태양전지 . ... 다결정 : 푸른색이 균일하지 않고 명암이 있다무기물 태양전지 무기물 태양전지는 III-V 족 태양전지인 GaAs 태양전지와 CdTe , CIGS 태양전지가 있다 .

  리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.13

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  광학적 특성과 초전도 재료

  현재 GaAs 다이오드 레이저의 가장 흔한 사용은 콤팩트 디스크 이다 . p 와 n 층은 넓은 띠 갭을 가지고 있고 , 낮은 굴절지수를 가지고 있으며 , 활성 p- GaAs 층 사이에 ... 강의 절단 , 용접에 사용반도체 레이저 : 레이저 작동을 하기에 충분한 에너지띠 갭을 가지는 GaAs 와 같은 반도체 복합물로 만들어진 pn 접합이다 .

  리포트 | 56페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.15

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  LED의 발전과정, 최신동향, 기초이론, 제조 및 측정분석 방법 ppt

  P-N 1960 년 발광 관측 시작 계기로 , GaAs , GaP , GaAsP , ZnSe 결정성장기술 주입발광현상 에 대한 많은 연구발표 이루어짐Ⅱ LED 발전 과정 1900 ... 1952 년 발광 관측Ⅱ LED 발전 과정 1900 2010 G.A WOLFF GaP 에서 1955 년 발광 관측Ⅱ LED 발전 과정 1900 2010 Jacques Pankove GaAs

  리포트 | 75페이지 | 8,000원 | 등록일 2013.04.22 | 수정일 2022.11.21

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  LED (Light Emitting Diode)의 이해국내 LED산업의 문제점&발전 전략

  backlight unit (BLU) Illumination 국내 LED 산업 문제점 LED 시장예측 국내 LED 산업 발전 전략반도체 분류 반도체 단원소반도체 (Si, Ge) 화합물반도체 (GaAs ... Blue-Green-UV)(Al x In 1-x P)y + (Ga x In 1-x P)(1-y) = (Al y Ga 1-y ) x In 1-x P Lattice matching to GaAs ... Red-Orange-Yellow) 3 x Binary = Quaternary (Plane)LED product chain 기판 ( 웨이퍼 ) Sapphire, GaN, SiC, Si, GaAs

  리포트 | 35페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.01 | 수정일 2017.09.25

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  세미나발표염

  III – V 족 II – IV 족 IV - IV 족LED 발광파장영역 - 발광재료 Ga 1-x Al x As GaAs 1-x P x InGAlP GaAs 1-x P x AlP GaP

  리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.22

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  센서

  가 있고, GaAs가 온도특성이 우수하여 주목받음.- 구조1. ... 자계의 양자에 직각인 방향으로 전압 V를 발생하는 홀 효과가 이 소자의 동작 원리이다.입력 단자-> 전류단자출력 단자-> 홀 전압 단자- 재료 : Ge, Si, InAs, InSb, GaAs

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.06.06

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  CVD method를 통한 ZnO NWs synthesis 예비보고서[1].

  C2H4 ⇒ AC + HX2SiH4 + C2H4 → 2SiC + 6H2⑥ 합성 반응 (Synthesis Reaction).AX + H2O ⇒ AO + HX(CH)3Ga + AsH3 → GaAs

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.07.26 | 수정일 2022.09.02

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  해양플랜트 무선통신 시스템

  근데 사실상 주내용 자체가, 회로의 전달방식에 관한 각종 수식, 선송선로의 임피던스 특성, GaAs MMIC Employing Periodic structure, Equivalent

  리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.05.18

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  [실험레포트] 온도변화에 따르 저항 변화 측정

  PVD에 묶일 수 있는 이유는 증착시키려는 물질이 기판에 증착될 때 기체상태가 고체상태로 바뀌는 과정이 물리적인 변화이기 때문이다.좀 더 풀어서 말하자면, 많이 쓰이는 산화물 반도체나 GaAs

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.12.05

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  2.6GHz대역 위성 DMB용 LNA설계 프리젠테이션 자료

  발전 동향 설계 핵심기술 설계 규격 기존 설계와의 차이점 설계 과정기술 발전 동향1970년대까지 Si BJT가 유일하게 마이크로파영역에 사용됨 1970년대 초반 화합물 반도체인 GaAs ... 공정기술 발전으로 전자의 속도가 Si에 6배 빠르며, 고주파 성능 우수 GaAs MESFET(Metal Semiconductor FET) HEMT(High Electron Mobility

  리포트 | 37페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.08.24

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  [태양전지] 태양전지 (필요성, 원리, 특징, 종류, 제조법, 실용화, 앞으로과제) PPT

  *태양전지의 종류태양전지변환효율(%)결정형실리콘(단결정,다결정) 갈륨비소 (GaAs) 탐뎀형 (GaAs/Si)24~28 25 31(347배 집광)박막형비결정질 Si(a-Si) 탐뎀형

  리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.12.09

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  태양전지 DSSC (Dye Sensitized Solar Cell) 원리, 이론, 동향, 특허, 논문 정리 ppt

  , InP , CdS , CdTe 18~30% ( GaAs ) 10~12% ( 기타 ) - 3 원계 CuInSe 2 10~12% - 유기태양전지 멜로시아닌 프탈로시아닌 3% 이하 ... 포괄적인 개념으로 인식 전환 Future “ ” Sustainability “ ” 신 재생에너결정 Si, SiC , SiGe 8~13% 6~9% 화합물 반도체 태양전지 2 원계 GaAs

  리포트 | 50페이지 | 10,000원 | 등록일 2013.04.22 | 수정일 2023.04.24

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  LED의_기술동향과_발전방향

  LED의 특성 및 극성 판별 방법(1) LED의 특성 : 발 광 다이오드의 구조는 갈륨의 화합물인 갈륨비소(GaAs), 갈륨인(GaP) 등 발광하기 쉬운 성질을 갖고 있는 재료로 접합되어있으며 ... x=0)부터 녹색(x=1)까지발광한다.(4) GaAsP계 등황색.황색 LEDGaAsP 의 등황색 LED는 기판결정에 GaP를 이용하여 VPE법에 의해 발광용 p-n접합을 형성한다.GaAs1 ... 마찬가지로 GaP이며, GaP 기판 결정 위에 LPE법을 이용해p-n접합을 형성하여 제작하는 LED로 옥외용 디스플레이로도 사용되고 있다.(3) GaAsP계 적색 LEDGaAsP 결정은 GaAs1

  리포트 | 37페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.07

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