"GaA" 검색결과 341-360 / 1,174건

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  영문이력서 예시-반도체 분야

  surface roughness analysis after molecular beam epitaxy (MBE) or chemical-mechanical process (CMP) on GaAs

  이력서 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.09.19

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  MOS 트랜지스터

  .- GaAs(갈륨비소) :제4세대 통신이나 70GHz대의 ITS(지능형교통시스템)의 밀리미터파 부품을 구현하는 데는 갈륨비소(GaAs)계 화합물 반도체가 유일한 적임자이다. ... HEMT 및 GaAs HBT가 주종을 이루어 널리 사용되고 있다. ... SiGe 기술은 기존의 실리콘 공정을 그대로 이용할 뿐 만 아니라 GaAs보다 훨씬 저렴하고, 기존의 200mm 웨이퍼를 통한 대량생산을 통한 생산의 극대화를 이룰 수 있다.

  리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.06.09

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  Si-Metrix 를 이용한 LED Driver Analog IC circuit 설계

  GaAs1-XPX의 조성비 x를 적색 LED보다 크게 취함으로써 단파장화한다. x값이 0.65 및 0.75에서는 각각의 발광 피크파장이 630㎚ 및 610㎚의 등황색 LED로 된다.⑤ ... 마찬가지로 GaP이며, GaP 기판 결정 위에 LPE법을 이용해 p-n접합을 형성하여 제작하는 LED로 옥외용 디스플레이로도 사용되고 있다.③ GaAsP계 적색 LEDGaAsP 결정은 GaAs1

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.11.15

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  반도체 레이저 다이오드 (대학원 발표자료)

  3Years Materials Technology 1962-1970 GaAs / GaAs LPE, homojunction Direct modulation 1970-1975 GaAs ... 반도체 레이저의 밴드갭 에너지와 발진 파장 직접 , 간접 전이형 밴드갭  전도대의 전자가 가전자 대의 빈 에너지 상태로 전이할 때  GaAs 는 전도대역에서 가전자 대역으로 전자가 ... 광통신에 사용되는 적외선 영역의 광원 물질은 GaAs 나 InP 의 Ⅲ-Ⅴ 족 반도체 사용 자외선 영역에서부터 녹황색 가시광 영역에서는 GaN 와 InN 의 합성물인 InxGa1-xN

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.08

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  amphoteric dopants의 Si의 성질

  for Integrated Circuits[물리전자]Homework #31) What happens if group IV element as Si or Ge are doped in GaAs ... impurities are called 'amphoteric dopants'. it turns out that Si is a donor and Ge is an acceptor in GaAs ... 이러한 현상을 ‘Amphoteric dopants’ 라고 하는데, 이는 GaAs 화합물에서 도핑과정에 Ga의 자리에 들어가서 As와 결합구조를 이룰 수도 있고, 반대로 As자리에 들어가서

  리포트 | 1페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.29

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  태양에너지 원리 및 case 연구

  SiC , SiGe 비결정계 15-24% 셀의 변환효율 10-17% 8-13% 10-14% 모듈의 변환효율 9-12% 6-9% InP, CdS, CdTe 이원계 18-30% ( GaAs ... 유기반도체 태양전지 멜로시아닌 1% 이하 - 태양전지의 종류 - 상용화 사용 중인 태양전지는 단결정 실리콘 , 다결정 실리콘 태양전지 , 비결정 실리콘 임 변환 효율이 가장 높은 GaAs

  리포트 | 27페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.08.04 | 수정일 2018.03.30

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  avr atmega 128을 이용한 6가지 방식의 led 제어 소스코드 및 주석

  포트를 소프트웨어와 연동시키면 전기적 입력을 받거가 출력으로 특정 디바이스를 제어하게 할 수 있다.(1)2)LED:(Light Emitting Diode)발광다이오드(LED)란 GaAs등의

  리포트 | 1,500원 | 등록일 2012.05.21 | 수정일 2014.03.24

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  LED의 산업에 관한 레포트 A+

  GaAs1-XPX의 조성비 x를 적색 LED보다 크게 취함으로써 단파장화한다. x값이 0.65 및 0.75에서는 각각의 발광 피크파장이 630㎚ 및 610㎚의 등황색 LED로 된다.5 ... 마찬가지로 GaP이며, GaP 기판 결정 위에 LPE법을 이용해 p-n접합을 형성하여 제작하는 LED로 옥외용 디스플레이로도 사용되고 있다.3 GaAsP계 적색 LEDGaAsP 결정은 GaAs1

  리포트 | 39페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.04.29

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  [무기합성화학] 다양한 무기합성법

  *기상법 개념도- 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition)반응기에 주입된 기체들이 가열된 기판 위에서 화학반응을 통해 박막을 형성하는공정으 로 반도체(Si, GaAs

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.06.22

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  박막 태양 전지를 이용한 태양에너지 변환 및 활용, 박막 태양전지에 관한 ppt

  - 기술적으로 가장 성숙- 생산되는 태양전지 90%이상2세대박막 태양전지- 박막형태의 태양전지- 1세대에 비해 생산단가 낮음- 원재료가 차지하는 비중 낮음초고효율 태양전지- 주로 GaAS

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.11.25

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  가속수명시험모형

  , 습도, 태양광선(파장, 밀도), 기계적 부하콘크리트/시멘트28일 후의 강도여러 시간 동안의 고온(2) 제 품표 1.3 제품의 성능과 가속 스트레스재 료성 능가속 스트레스반도체(GaAs

  리포트 | 50페이지 | 2,500원 | 등록일 2016.12.07

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  태양전지 이차전지 연료전지

  위성용 태양전지1) IV 족 : 단결정 실리콘, Ge (저온용)2) GaAs 계열 : GaAs, InP 등3) 적층형(Tandem) : GaAs/Ge, GaInP/GaAs, GaAlAs ... 지상용 태양전지1) 결정형 : 단결정, 다결정 실리콘 태양전지, GaAs/Si 등2) 박막형 : 비정질 실리콘, CdS, CdTe, CuInSe2 등3) 집광형 : GaAs 계열, ... 적층형 (tandem) 태양전지1) 화합물/VI 족 계열 : GaAs/Ge, GaAlAs/Si, InP/Si 등..PAGE:15이용목적 및 구조에 따른 분류1.

  리포트 | 43페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.08

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  epitaxy 공정

  .- 이러한 성장 방법들에 의해 Si과 GaAs를 포함하는 광범위한 반도체 박막 결정들이 키워지고 있다. ... 갈륨 비소 에피택시 (GaAs epitaxy)갈륨 비소는 고속 반도체 소자나 발광용 반도체 소자로 널리 사용되며, 이를 바탕으로 한 3원소 내지 4원소 화합물 반도체들이 최근에 그 ... 성장이 시작되며, 원하는 시간이 경과된 후 다시 기판을 원 위치로 끌어올리면 성장이 끝나게 된다.기울기와 담금법을 위한 장치들은 비록 그 구조가 간단하지만 동작이 용이하고 양질의 GaAs

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.21

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  태양전지의 종류

  최근 일본의 Kaneka에서 제품을 생산하고 있지만, 아직 가격 측면에서 기존 결정질실리콘 태양전지와 차이를 보이지 못하고 있다.GaAs, InP 등의 단결정으로부터 만든 화합물 태양전지는

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.06

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  LED 보고서

  - 빨간색 , 노란색 , 녹색 인듐 질화 갈륨 : InGaN – 녹색 , 파란색 , 오렌지색 , 보라색 셀렌화 아연 : ZnSe – 녹색 , 파란색 - 갈륨 - 비소 - 인 : GaAs1 ... 조성을 조절하여 band gap 의 크기 , 격자상수 , 결정구조 , direct-indirect band gap 을 결정할 수 있다 .6 조 LED 의 재료 재료 - 비소화갈륨 : GaAs

  리포트 | 18페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.04.12

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  LED Optical properties

  EFFICIENCIES, EMISSION INTENSITYFor example, 870nm GaAs LED의 Theoretical FWHM은 ΔE=46meV, Δλ=28nm임. ... 굴절율과 Escape Cone그림 2.1(2) 보통 Semiconductor의 굴절율은 1보다 훨씬 큼. ex) GaAs=3.4 (3) 이때는, sin c ≈ c 로 쓸 수 있으므로 ... 더 깊은 well을 갖고 있어서 carrier confinement가 더 효율적임을 의미한다.그림 2.5 GaN/InGaN blue, GaN/InGaN green, AlGaInP/GaAs

  리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.12.20

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  Solar Cell

  NREL에 의하면 GaAs와 InGaP을 다중 접합하면 최대효율이 39% 태양전지 개발을 발표한 바 있다. ... 실제의 변환효율은 Si, 비결정성 Si, GaAs를 재료로 한 것으로서, 각각 약 10~15%, 8~12%, 15~22% 정도이다. ... ●Solar Cell이란태양 에너지를 효율적으로 전기 에너지로 변환하도록 설계된 광기전력 효과를 이용한 광전변환 소자로 Si 이나 GaAs 등의 반도체의 pn접합이나 쇼트키 접촉에

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.12.11 | 수정일 2014.08.20

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  [무기화학]연료감응형 태양전지의 원리와 구조

  DSSCs 제작을 통한 원리와 구조의 이해웨이퍼 구조 결정질 실리콘 다결정질 실리콘 박막 구조 CIGS 태양전지 Si 태양전지 CdTe 태양전지 GaAs 태양전지 광전기화학구조 염료감응형

  리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.03.20

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  다이아몬드에 대한 조사

  결정의 모양은 팔면체이다.GaAs, β-SiC, InSb와 같은 많은 화합물 반도체는 비슷한 섬아연광 구조를 지닌다.이에 해당하는 각각의 원자는 다른 원자와 상호작용한다.

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.09.25

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  반도체공정실험 예비보고서(Metal deposition)

  많이 쓰이는 산화물 반도체나 GaAs 등을 증착시킬 때의 PVD 방법들은 그 화합물들을 우선 소결하거나 녹여서 고체상태의 target으로 제조해서 열이나 전자빔으로 휘발시켜서 기판에

  리포트 | 3페이지 | 5,000원 | 등록일 2014.09.23 | 수정일 2021.04.11

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