"GaA" 검색결과 541-560 / 1,177건

• 

  다이아몬드 격자구조

  )5 Zincblende Lattice(GaAs)다이아몬드 격자구조를 가진 GaAs의 격자상수는2.45Å이다. ... 입방정계(Cubic System Lattice)3 입방정계(Cubic System Lattice)4 다이아몬드 격자구조4 다이아몬드 격자구조5 Zincblende Lattice(GaAs

  리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.20

  다운로드 장바구니
• 

  LED 에 대한 모든 것

  GaAsP계 적색 LEDGaAsP 결정은 GaAs1-XPX의 성분비 x를 바꿈으로써 적외선(x=0)부터 녹색(x=1)까지 발광한다.4. ... GaAs1-XPX의 조성비 x를 적색 LED보다 크게 취함으로써 단파장화한다. x값이 0.65 및 0.75에서는 각각의 발광 피크파장이 630㎚ 및 610㎚의 등황색 LED로 된다.5

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.12

  다운로드 장바구니
• 

  금속 박막증착

  (CH3)3Ga + AsH3 → GaAs + 3CH4(CH3)3Ga의 결합력이 매우 강하여 이런 결합 형태의 물질이 기판 위에 도달하고 동시에AsH 형태의 비소 수소 화학물이 도달하여 ... 일차적으로 CH3GaAsH가 형성되고 난 뒤에, 그곳에서 메틸 기가 수소와 결합하여 메탄 기체로 방출됨과 동시에 갈륨비소가 발생한다.CH3Ga + AsH ↔ CH3GaAsH → GaAs

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.08.24 | 수정일 2015.02.12

  다운로드 장바구니
• 

  광소자의 특성 (예비/결과레포트)

  GaAs LED는 적외선을 발현하고 GaAsP는 적색 또는 황색 빛을 만들고 GaP는 적색 또는 녹색 빛을 발한다.(2) 발광소자LED는 일반적으로 상용기구에서 과학 장치에 이르는 ... 그림 16.8는 전기발광(electroluminescence) 이라고 부르는 과정을 보여주고 있다..LED에 사용되는 반도체 재료는 GaAs(gallium arsenide), GaAsp

  리포트 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2008.06.15 | 수정일 2015.06.12

  다운로드 장바구니
• 

  태양전지 이슈 - 대한민국 차세대 태양전지로써의 박막형 태양전지의 성장성

  GaAs는 최적의 밴드갭(1.45eV) 및 높은 광 흡수계수와 가장 높은 이론 효율치(39%) 등의 장점과 In,Al등과 쉽게 합금을 형성하여(InGaAs, AlGaAs) 밴드갭을 ... 현재 단일 접합으로 28.7% (200 sun concentrator) 이 기록이며 GaAs/GaSb 중첩전지로는 34.2% (100 sun concentrator) 가 기록이다. ... CuIn1-xGaxSe2) 물성 및 전지효율에 대한 영향을 조사하는 것이다.④ GaAs 태양전지태양전지 재료 중에서 가장 높은 효율을 달성하였고 현재 우주용으로 상용화에 성공하여 흑자를

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.12.13

  다운로드 장바구니
• 

  나노와이어-디스플레이에서의 적용

  PrincipleA FEtwo elements in GaAs, GaN, SiGe, BaTi, BiTe, MgB2- These nanowires are exposed to light.

  리포트 | 17페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.11.21

  다운로드 장바구니
• 

  Solar cell, 태양전지에 대해서

  태양전지의 종류(1) 무기물 태양전지실리콘 계열 태양전지와 CdTe, GaAs, CIGS와 같은 반도체 태양전지가 이에 속한다. n형 반도체 물질고 p형 반도체 물질을 접합하여 태양전지를 ... a-Si 태양전지용 산화물 투명전도막(TCO), CuInSe2와 CdTe 다결정 화합물반도체 태양전지, a-Si/다결정 박막 실리콘 (p-Si)과제를 완료 또는 추진 중에 있고 기타 GaAs

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.10.05

  다운로드 장바구니
• 

  LED(Light Emitting Diodes)

  ), 인화갈륨(GaP), 갈륨-비소-인(GaAs1-x Px), 갈륨-알루미늄-비소 (Ga1-xAlxAs), 인화인듐(InP), 인듐-갈륨-인(ln1-xGaxP) 등 3B 및 5B족인 ... P-N접합면의 에너지대 구조와 전위 장벽직접 천이형에너지전도띠가전자띠빛-전자와 정공의 결합시 발생하는 에너지 주로 빛 -발광효율이 높음 -GaAs,GaAlAs,InGaAsP,GaN등간접 ... -GaAs,InGaAs주로쓰임 광통신용 광원, CD/DVD RW용 광원,바코드 판독용 광원,Laser Pointer 등에 이용Type of LEDS1.표면 방출형 LED(surface

  리포트 | 25페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.20

  다운로드 장바구니
• 

  Brushless DC Motor의 속도 제어

  (GaAs 보다 떨어진다.)(3) 정전류 동작시의V _{H} 온도변화에 대해서 변동이 크다.( {V _{H} (50 DEG C)} over {V _{H} (25 DEG C)} = { ... 일반적이다.3.1.2.1.2 외전형 회전자외전형 회전자형은 구동코일(고계에 따라 거의 변화하지 않는다.InAs홀 센서(1) 정전류 동작시의V _{H} 온도계수가 작다.그 외 특징은 GaAs와

  리포트 | 54페이지 | 9,000원 | 등록일 2010.07.11 | 수정일 2016.05.12

  다운로드 장바구니
• 

  반도체공학-sollar cell

  실리콘 이외의 태양전지로서 CdTe, CIS, GaAs 등은 전체를 합하여 약 5%이다.

  리포트 | 25페이지 | 3,500원 | 등록일 2013.08.20

  다운로드 장바구니
• 

  LED에 대하여

  GaAs1-XPX의 조성비 x를 적색 LED보다 크게 취함으로써 단파장화한다. x값이 0.65 및 0.75에서는 각각의 발광 피크파장이 630㎚ 및 610㎚의 등황색 LED로 된다. ... GaP이며, GaP 기판 결정 위에 LPE법을 이용해 p-n접합을 형성하여 제작하는 LED로 옥외용 디스플레이로도 사용되고 있다.(3) GaAsP계 적색 LEDGaAsP 결정은 GaAs1

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.10.02

  다운로드 장바구니
• 

  11장 연습문제 리포트

  재료Eg(eV)다이아몬드5.4ZnS3.54CdS2.42GaAs1.35PbTe0.25재료가 빛을 많이 흡수하지 않고 산란을 많이 일으키지 않으면 투명해진다.

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.06.11

  다운로드 장바구니
• 

  [유비쿼터스컴퓨팅개론 1공통] 유비쿼터스 환경과 대표적인 유비쿼터스 컴퓨팅 기술을 3가지 서술, 유비쿼터스 컴퓨팅 기술로 인해 발생되는 문제점과 그에 대한 시나리오

  SiP는 여러 가지 Die 기술 (Si, GaAs, SOI, MEMS, Optical 등)의 집적과 Compatibility를 갖는 장점을 가진다.

  리포트 | 13페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.04.03

  다운로드 장바구니
• 

  마이크로웨이브를 이용한 금속황화물 나노분말 제조 예비

  있어 값비싼 성분들, 낮은 전력 레벨의 이용가능성, 보다 높은 신호 손실의 존재, 미성숙한 기술(전형적인 실리콘 기술의 상당히 성숙되고 저렴함에 비교되는)에 따르는 고속 반도체들(GaAs

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.03.08

  다운로드 장바구니
• 

  Electrical properties of LED

  Room Temp.에서 4kT/e≈100mV 정도의 Voltage drop 효과가 있음.E0∆ECFor Example, GaAs의 경우, Eg=1.42V 그러나 Diode는 1.32V에서

  리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.12.10

  다운로드 장바구니
• 

  아일랜드 감상문(유비쿼터스 사회와 관련하여.. )

  종래에는 UHF 태그를 구현하기 위해 125㎑, 13.56㎒용 저주파 칩에 GaAs Schottky 다이오드나 PIN 다이오드를 안테나 부하 전환스위치로 사용하였으나 최근에는 CMOS를

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.11

  다운로드 장바구니
• 

  이산화탄소 저감기술

  부식, Creep현상과 내열성 등에 의하여 섭씨 800℃ 이하에서 사용될 수 있으며, 세라믹재료의 경우 부식에 강하고 내열성, 고온강도 등이 우수하여 800℃이상 1400℃이드(GaAs ... --CuInSe23.514.1--GaAs/GaSb0.00534--(2) 풍력풍력발전이란 공기의 유동이 가진 운동 에너지의 공기역학적(Aerodynamic) 특성을 이용하여 회전자(rotor ... 태양전지의 효율 비교형 태실험실 규모대량 생산면적(㎠)효율(%)면적(㎠)효율(%)실리콘단결정423.310015～18다결정417.810012～14비정질111.51,0005～8GaAs0.2525.7417CdTe110.9

  리포트 | 15페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.04.30 | 수정일 2020.06.19

  다운로드 장바구니
• 

  반도체 레이져

  단파장화 등을 위하여 반도체레이저에 사용되는 GaN 등의 재료분야에 대한 기술개발이 진행CD-ROM : 780nm 3mW급 레이저 다이오드 사용 CD-RW : 780nm 80mW급의 GaAs ... 높은 최대출력 루비, YAG, 유리고체레이저소형, 경량 AlGaAs / GaAs반도체레이저발진파장 쉽게 제어 Rodamin액체레이저연속발진이 용이 He-Ne, He-Cd기체레이저Semiconductor

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.07.08

  다운로드 장바구니
• 

  센서 공학 개론 시험문제

  홀 상수가 크고, 온도 의존성이 작은 게르마늄이나 인듐과 안티몬의 화합물(InSb), 갈륨과 비소의 화합물(GaAs) 등을 사용하며, 되도록 두께가 작은 평판형으로 만든다.

  시험자료 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.07.28

  다운로드 장바구니
• 

  Hall Effect에 의한 전기적 특성분석 결과

  더 낮은 온도에서는 hole의 전기 전도가 지배적으로 되어 Hall 계수는 양이 되며 자기장의 세기에 의존하지 않는다.GaAs의 경우에는 carrier가 두 종류가 아니며, 자기장에

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.03.08

  다운로드 장바구니