"GaA" 검색결과 501-520 / 1,177건

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  Materials for MEMS

  Introduction Many microsystems use microelectronics materials such as silicon, and gallium arsenide ( GaAs ... However, GaAs is an excellent material for monolothic integration of electronic and photonic devices ... The main reason that GaAs is a prime candidate material for photonic devices is its high mobility of

  리포트 | 48페이지 | 4,000원 | 등록일 2008.03.29

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  태양광 발전

  Single-Crystalline Si)다결정(Poly-Crystalline Si)박막형(Poly-Crystalline Si Thin Film)비결정질 Si화합물반도체 Ⅱ-Ⅳ족 : CdTe,CIS등Ⅱ-Ⅴ족 : GaAs

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.11.18

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  재료내 밴드갭이 생기는 이유

  GaAs의 에너지밴드는 conduction band의 minimum과 valence band의 maximum이 일치하므로 대부분의 전자와 홀이 바로 결합을 할 수 있으며 전자가 홀과 ... GaAs는 1.43eV이므로 0.87㎛의 적외선 영역의 빛이 발생한다. 에너지 갭이 2.26인 GaP (Gallium Phosphorus)는 0.55㎛로써 연두색의 빛을 낸다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.10.17

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  JFET과 MESFET에 관한 보고서

  이와 같은 GaAs의 우수성에 의해 GaAs MESFET은 디지털집적 회의한 특성개선1983년, Rumsby들은, GaAs결정을 잉곳트 그대로 어닐(잉곳트, 어닐)함에 따라, 기판의 ... 이와 같은 GaAs의 우수성에 의해GaAs MESFET은 디지털 집적회로의 고속 스위칭 element, 낮은 잡음 소자 그리고 고주파영역에서의 전력증폭 소자 등 여러분야에서 각광을 ... ㎝)인반절연 GaAs 기판( semi-insulating GaAs substrate ) 위에 active layer를 성장시키기 때문에, 이 반절연 기판 위에 게이트 pad를 부착시키므로

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.23

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  LED와 ELD의 발광 메커니즘

  이 역치 전압은 LED재료나 소자 구조에 의해 결정되고, GaAs에서는 1.0 ~ 1.2V, GaA1As에서는 1.5 ~ 1.7V, GaP에서는 1.8V, SiC에서는 2.5V정도의

  리포트 | 14페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.04.11

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  광통신공학 설계 발표수업 자료 - LED 광방출 효율 향상 방안

  GaAs 성장에는 Ga/AsCl3, GaP의 경우 Ga/PCl3계가 사용되고 있다. ... 기판 선정질화물(GaN)계 반도체의 기판 문제 : 발광효율과 전기적 특성이 뛰어나 차세대 LED에 있어서 각광 받고 있는 소재이나, GaAs 기반 LED와 달리 적절한 기판의 부재가 ... 결정 성장( ) 기술반도체 결정 성장 기술의 종류① : 액상 성장법(LPE ; Liquid Phase Epitaxy) : 주로 GaAs, GaP LED 생산에 사용함 Ga, In,

  리포트 | 21페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.03.25

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  [공학]에피택셜 성장 epitaxial growth 에피택시

  단결정의 GaAs 층을 시드 결정 위에 성장 시킨다. ... , AlGaAs, GaP 에피택시에 널리 이용액상 에피택시(LPE) -예GaAs의 용융점은 1238`C이나 금속 Ga와 GaAs의 혼합물은(이 혼합물의 조성비에 따르지만) 상당히 낮은 ... 따라서 GaAs 시드 결정을 그것 자체가 용융되는 온도보다 낮은 온도에서 녹는 Ga+GaAs 용액 속에 담가둔 후, 이 용액을 용융점(melting point)으로부터 서서히 냉각시키면서

  리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.07.20

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  LED의 개요와 원리, 산업구조에대한 설명입니다

  1993년 니치아의 나카무라 슈지가 고효율 청색 LED를 최초로 상용화 1996년 니치아의 나카무라 슈지가 백색 LED를 발명▶pn 접합다이오드 구조 Ⅲ-Ⅴcompounds :GaP, GaAs ... 5702.18~2.41황색570~6002.06~2.18주황색600~6251.98~2.06적색625~7201.72~1.98적외선7201.72LED 재료-적색 LED : GaAlAs, GaAs와

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.10 | 수정일 2023.02.06

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  LED 응용 사례 및 제품

  ○GaAsP계 적색 LEDGaAsP결정은 GaA니-XPX의 성분비 x를 바꿈으로써 적외선 (x=0)부터 녹색 (x=1)까지 발광함.

  리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.06.12 | 수정일 2018.04.26

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  LED 설계 (AlGaInP)

  Is lattice matched to GaAs1.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.03

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  트랜지스터1

  Gaas type Fet : 마이크로 파의 증폭 위성방송 수신각각의 트랜지스터 장단점 분석퀴즈 I B , I C 를 구하라 I E = 15mA 이미터 (Emitter) 콜렉터 (Collector

  리포트 | 42페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.07.31

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  Hall Effect에 의한 전기적 특성 분석

  이종접합은 GaAs/AlGaAs와 같이 성분이 다른 2종류의 반도체를 접합한 것으로 이 계면에도 마찬가지로 2차원전자계가 형성된다. ... 갈비/알갈비 이질구조(GaAs/AlGaAs Heterostruc- tures), 양자 우물, 초격자 등은 1970년대 이후 발전된 에피탁시 기술에 의하여 등장한 비교적 현대적인 예들이다 ... 중심으로 여러 가지 산란 기구를 통해 가우시안, 로렌찌안 혹은 이들과 일정한 배경상태의 적절한 합으로 넓어지는데 중심 근처의 상태들은 07 cm2/V.sec (∼4.2 K)를 넘는 GaAs

  리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.28

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  화합물반도체

  쇼트키 게이트(Sc- hottky Gate) 발명 전계효과 트랜지스터(GaAs MES- FET)를 발명 3.1973년 HP (Hewlett-Packard)사가 최초의 GaAs MESFET ... Electrical Information Engineering화합물 반도체의 재료 및 특성Ⅰ화합물 반도체의 발전과정Ⅱ화합물 반도체의 소자와 이용Ⅲ목 차화합물 반도체의 정의Ⅲ−Ⅴ화합물 반도체⇒GaAs ... 논리게이트를 발표 ` 4.1980년대 AlGaAs/GaAs 헤테로 구조를 이용한 고이동도 트랜지스터(HEMT)의 발명 셀프 얼라인(Self Align) MESFET DCFL(직렬형

  리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.20

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  [반도체] 실리콘 반도체와 화합물 반도체의 차이

  즉 1.24eV의 에너지 갭을 가진 물질에서는 1㎛ 의 빛이 발생한다.GaAs는 1.43eV이므로 0.87㎛의 적외선 영역의 빛이 발생한다. ... * 발광소자나 광 검출 소자로서의 실리콘과 화합물 반도체의 차이그림 3.3.1에 실리콘과 갈륨비소 (GaAs) 반도체에 대한 에너지 밴드 그림 (E-K relation)를 그려 두었다.두 ... 가시광선 영역에서 발광 및 수광 기능을 갖음GaAs는 0.87㎛ 파장의 빛을 낼 수 있음전자는 이동도가 Si 대비 5 ~ 6배 빠르다고출력 Microwave 발진이 가능함전력 소비가

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.02.22

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  발광다이오드

  .- GaAsP계 적색 LEDGaAsP 결정은 GaAs1-XPX의 성분비 x를 바꿈으로써 적외선(x=0)부터 녹색(x=1)까지 발광한다.- GaAsP계 등황색.황색 LEDGaAsP의 ... GaAs1-XPX의 조성비 x를 적색 LED보다 크게 취함으로써 단파장화한다. x값이 0.65 및 0.75에서는 각각의 발광 피크파장이 630㎚ 및 610㎚의 등황색 LED로 된다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.28

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  방사선센서, 방사선센서 종류

  화합물 반도체 방사선 센서: GaAs, CdTe,HgI _{2}, GaSe, SiC, 다이아몬드, ZnTe,B`i _{2} S _{3},P`bI _{2}, AlSb의 재료가 쓰이며,

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.11.21

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  HEMT이용한 주파수 2체배기 설계 및 제작 (diode 체배기 설계및 제작)

  그러나 이러한 점들은 주파수가 증가함에 따라 약화된다[2].또한 단점은 GaAs FET 는 낮은 intrinsic 열잡음 등을 가지지만 그들은 캐리어 주파수 가가이에 1/f-like ... varister 이며 pn 접합을 갖는 베렉터, SRD(step recovery diode), SBD(schottky barrier diode)와, 그리고 microwave BJT와 GaAs ... 저항성 다이오드(SBD)는 낮은 고주파를 발생시키는 체배기로 사용되며 리엑티브 체배기 보다 효율이 떨어지나, 매우 광대역을 갖는다.[1]Varistor와 다이오드를 이용한 체배기보다 GaAs

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.06.02

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  [기초전기전자실험]센서실험

  이중에서 GaAs재료를 이용한 홀소자가 용도 특성이 우수하여 주목받고 있다.홀소자의 구조로서는단결정 재료를 박편화 한다.반 절연재료에 에피텍시얼법과 이온 주입법으로써 활성화 영역을 ... 홀효과(Hall Effect)가 이 소자의 동작 원리이며, 이중 입력 단자가 전류 단자이고 출력 단자가 홀 전압 단자로 표시된다.홀소자용의 반도체 재료로는 Ge, Si, InAs, GaAs

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.21

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  [공학기술]공명터널링 다이오드

  GaAs50Åundoped Al.3Ga.7As50Åundoped GaAs50ÅGaAs(Si doped)250Ån+-GaAs0.5 μm재료두께공명 터널링 다이오드Deposition ... ) 위에 이중장벽 양자우물 구조 (AlGaAs/GaAs)을 성장.공정순서spacer layerbarrierwell layerbarrierspacer layer기판Q.W. ... , 불순물이 짙게 도핑된 반도체공명 터널링 다이오드이중장벽 양자우물 구조 (Double-Barrier Quantum Well) 박막 Ⅲ,Ⅴ: AlGaAs, 이중장벽 박막 Ⅳ : GaAs

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.02

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  마이크로 웨이브 예비 실험 결과보고서

  비저항 0.1~100Ω의 순도 높은 N형 GaAs의 결정을 판자 모양으로 다듬어서 양면에 전극을 만든 후, 내부의 전기장 세기가 1cm당 1500~4000V에 이르는 강한 전기장을 ... .* Gunn oscillation : 순도가 높은 N형 비소화갈륨(GaAs)의 결정의 양 끝에 강한 전류를 흘려주어 센 전기장을 만들 때 일어나는 고체내부발진(bulk oscillation

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.01.13

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