"GaA" 검색결과 481-500 / 1,177건

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  사파이어 단결정의 생성 이론 및 역사 , 제조방법 , 가공방법 , 응용방법 , 등에 관하여 기술되었습니다.

  현재 산업용으로 생산되는 결정의 세계시장은 일 년에 약 3만 톤에 이르는 것으로 평가되는데, 가장 큰 비중을 차지하는 분야는 silicon, GaAs, InP, GaP, CdTe 등으로

  리포트 | 30페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.05.20

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  LED 개요

  LED 제조 공정별 생산업체LED 제조공정명공정 내용생산업체기판 (Substrate)현재 상용화된 LED기판은 사파이어, SiC(탄화규소), GaAs(갈륨비소)등이 있음. ... 반도체 소자이다.LED 원리양과 음의 전기적 성질을 가진 두 화합물이 접합하여(PN접합) 전기가 흐르면 빛이 발생되는 원리를 이용한 것으로 LED의 소재가 되는 물질인 비소화갈륨(GaAs ... 전색/IR(적외선)용으로는 GaAs기판이,청색/녹색/UV(자외선) 용으로는 사파이어, SiC기판이 상용화되었음[국내] 일진디스플레이, 크리스탈온, 사파이어 테크놀로지 [해외] MONOCRISTAL

  리포트 | 24페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.08.17

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  발광 다이오드와 제너 다이오드[Light-Emitting and Zener Diodes][예비레포트]

  2.2㏀,3.3㏀,1㏀)다이오드(Slicon,LED,Zener(10V)),DC power supply△ 관련이론(1)LED는 에너지가 가해질 때 가시광선을 발생시키는 다이오드이다.GaAs ... IRED (InfraRed Emitting Diode)GaAs IRED는 900nm 전후의 적외선 파장을 발한다.Si 수광소자 (photo diode, phototransistor ... 파장의 빛을 발하게 된다.Si과 Ge의 다이오드는 pn 접합 부근에서 정공(hole)과 전자(electron)가 재결합을 할 때 대부분이 영의 형태로 에너지 가 방출되는 반면, GaAs

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.01

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  가변성 온도체계에 사용되는 vortex tube와 Magic angle spinning NMR 저온의 온도 측정

  온도 GaAs ( 갈륨비화물 ) 광섬유 온도계를 가진 측량 RF 전자공학은 방해가 없어 이점이 있다 . ... 회전로터 근처의 공기 온도의 측정은 GaAs ( 갈륨비화물 ) 의 가장자리 흡수작용에 의존한 온도를 측정 , 섬유 시각적 온도계를 사용 . 1. ... 시각적 갈륨비화물 온도계와 자기장 보정센서 갈륨비화물 ( GaAs )Vortex Tube 섬유 시각적 온도계는 간편한 시각적 분광계이다 .

  리포트 | 23페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.04

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  박막 태양광기술에 대해서 전문적인 자료입니다

  Hydrides나 Reactant들을 사용하여 박막을 성장 시키는 것 유기 금속 화합물을 사용하여 Thermal CVD법에 의해 박막을 만드는 기술 반응 예] Ga(CH3)3 + AsH3 → GaAs

  리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.08.26

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  광소자의특성

  그림 16.8는 전기발광(electroluminescence) 이라고 부르는 과정을 보여주고 있다.LED에 사용되는 반도체 재료는 GaAs(gallium arsenide)GaAsp( ... GaAs LED는 적외선을 발현하고 GaAsP는 적색 또는 합성 빛을 만들고 GaP는 적색 또는 녹색 빛을 발한다.(2) 발광소자LED는 일반적으로 상용기구에서 과학 장치에 이르는

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.17

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  MOCVD 이해

  비평형상태로 유기금속화합물과 수소화합물 가스의 기본적인 열분해 반응에 의하여 성장되며, 10~760torr 정도의 low pressure에서 진행된다. 1968년 Manasevit에 의해 GaAs

  리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.12.27

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  네오세미테크 사건 경과

  ⇒주요제품 매출구성잉곳이라는 태양전지 웨이퍼의 전 단계 물질을 생산(82%)GaAs 화합물 반도체 wafer 생산(17%).

  리포트 | 1페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.09.08

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  LED 개요 및 제조 공정

  LED PKG 기술Introduction반도체 산업 영역 분야III IV V화합물 반도체 산업 분야LED 제조 Process기판 (웨이퍼) Sapphire, GaN, SiC, Si, GaAs에피웨이퍼 ... (GaAs, GaAsP, GaN) 순방향 전압 시 n층의 전자와 p층의 정공이 결합하고 에너지 Gap에 해당하는 만큼의 전기에너지가 빛 에너지로 방출되는 원리 저전력 소모 , 반영구적 ... 분리 후 전기적 특성을 파악함Chip (Fab + 후공정)-.MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition ) (유기금속화학기상증착법) 장비로 GaAs나

  리포트 | 29페이지 | 5,000원 | 등록일 2008.07.24 | 수정일 2016.11.16

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  [반도체] 갈륨아세나이드

  저항력이나 특히 원자 교환시에 전달력의 존재는 우주나 군사적 목적에 중요한 특성이다.군사적 목적의 우주 경유 수신은 실리콘 보다는 GAAS로 부터 제작되고 그이유는 GAAS는 micrwave ... 결합에너지 구조는 고속의 실리콘 제품에 비하여 빠른 속도의 전자와 낮은 산란력을 가능케 한다.GAAS의 substrate물질은 보다 넓은 범위의 온도에서 조작이 가는하고 방사능에 ... 통신망과 군사적 목적을 위한 빠른 속도를 요구하는 제품들이 요구되게 되었고 특히 주기표의 3과 5군에 속하는 화합물에 대한 관심이 반도체의 변종들에 대한 관심이 집중되게 되었으며 GAAS의

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.12.27

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  [공학/기술] 디스플레이 LED에 대한 보고서.

  GaP, GaAs와 같은 III-V족 화합물 반도체에 대한 기초연구 시작.3) 1955년. G.A. ... GaAs1-XPX의 조성비 x를 적색 LED보다 크게 취함으로써 단파장화 한다. x값이 0.65 및 0.75에서는 각각의 발광 피크파장이 630㎚ 및 610㎚의 등황색 LED로 된다 ... 마찬가지로 GaP이며, GaP 기판 결정 위에 LPE법을 이용해 p-n접합을 형성하여 제작하는 LED로 옥외용 디스플레이로도 사용되고 있다.3) GaAsP계 적색 LEDGaAsP 결정은 GaAs1

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.02.27

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  태양에너지 Solar Energy

  공해 문제 - 효율의 급격한 개선 필요 24개 요 열 에너지 광 에너지 태양 전지 [ Polysilicon ] - Si 가 아닌 유리나 스테인리스 스틸 또는 폴리머 , Ge , GaAs

  리포트 | 29페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.05.03 | 수정일 2014.05.19

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  [수의 생리학 실험] 세포수의 계산

  백혈구 측정을 위해 사용되는 용액은 Turk solution으로 GAA(glacial acetic acid0 3㎖와 1% gentian violet 1㎖를 100㎖ D.W.에 혼합하여

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.04.01

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  [반도체]최신반도체기술 & 웨이퍼생산

  광 픽업부문이다.이러한 부분을 담당하고 있는 반도체 재료는 GaAs, InP, GaP등이 있다.? ... 갈륨-비소 화합물 반도체 (GaAs Compound Semiconductor)- 3족에 속하는 Ga와 5족에 속하는 Asdnjs자를 합성해 만든 화합물 반도체- 전자 이동도가 Si과 ... 실리콘-게르마늄 반도체 (SiGe Semiconductor) 란- 기존의 실리콘 공정을 이용하면서도 밴드갭, 밴드구조, 이동도등의 조정이 가능하다.- GaAs를 대체할 수 있는 차세대

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.11.28

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  10 레이저 무기

  Integrated Laser Engagement System “ 다중통합 레이저 교전체계 ” - 레이저에 의한 화기발사 묘사장비 , 감시장비 , 교전상황 통합 SW 및 운용체계 - 탄약대신 GaAs

  리포트 | 27페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.04.05

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  LED 제조 공정

  해당하는 만큼의 발광현상을 나타내며, 나머지의 재결합은 열로 변환한다.LED 제조 공정■ 화합물 반도체란두 종류 이상의 원소화합물로 이루어진 반도체 질화갈륨(GaN), 갈륨비소(GaAs ... 성장방법LPE : Liquid Phase Epitaxy(액상증착법) 결정재료가 녹아 있는 포화용액을 기판과 접촉시켜 결정을 성장 → 1963년 Nelson에 의해 최초로 구현 Si, GaAs ... 에틸 등 알킬기를 갖는 유기금속 화합물을 원료로 사용 → 3-5족 화합물 반도체로는 1960년에 InP성장이 최초 반응가스 종류를 달리해서 물질의 조성을 쉽게 바꿀 수 있으므로 GaAs나

  리포트 | 46페이지 | 5,000원 | 등록일 2009.06.08

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  JFET과 MESFET에 관한 보고서 내용보충 완결편

  Si보다도 큰 이동도와 캐리어 표동속도를 갖는 GaAs나 InP와 같은 3-4족 화합물의 MESFET 소자에 대해서는 특히 속도상의 이점이 있다.GaAs MESFETGaAs는 Si에 ... 이와 같은 GaAs의 우수성에 의해 GaAs MESFET은 디지털 집적 회로의 고속 스위칭 element, 낮은 잡음 소자 그리고 고주파 영역에서의 전력 증폭 소자 등 여러 분야에서 ... 이와 같은 GaAs의 우수성에 의해 GaAs MESFET은 디지털 집적회로의 고속 스위칭 element, 낮은 잡음 소자 그리고 고주파 영역에서의 전력증폭 소자 등 여러분야에서 각광을

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.29

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  IFRS회계와 K-GAAP의 차이점 및 영향

  1. 국제회계기준(K-IFRS)의 주요 특징 및 한국기업회계기준(K-GAAP)와의 차이점(1) IFRS의 주요 특징첫째, IFRS는 전세계 100개국 이상의 협의과정을 거쳐 제정되는 국제적인 기준입니다. 따라서 국내의 회계 관행과는 다르게 해석될 수도 있습니다.둘째, ..

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.04.15

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  실험4 LED 광전소자

  실리콘이나 게르마늄에서는 대부분의 열의 형태로 발산되어 발생하는 빛의 양은 무시할 정도로 매우 작기 때문에 LED 디바이스를 만드는 데 사용이 되지 않고, GaAs를 이용한 다이오드는

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.14

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  DIY LED

  반도체에 전압을 가할때 생기는 파장이 가시영역에 속할때 이를 활용하여 발광 효과를 내도록 하는 장치로써 비소화 갈륨(GaAs), 인화갈륨(GaP), 갈륨-비소-인, 갈륨-알미늄-비소 ... , 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3 B 및 5 B족인 2원소 ... 이르렀다.발광다이오드에 적합한 재료로는 ① 발광파장이 가시 또는 근적외영역에 존재할 것, ② 발광효율이 높을 것, ③ p-n접합의 제작이 가능할 것 등의 조건을 만족시키는 것으로서 주로 비소화갈륨 GaAs

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.10.16

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