"GaA" 검색결과 441-460 / 1,174건

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  ZnO

  Si, G, GaAs , GaN 등도 반도체 nanowire 로 개발중 60mV 의 결합에너지를 갖는 ZnO 가 더 관심을 가짐 ZnO 란 ?

  리포트 | 28페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.05.07

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  반도체 공학 개론 HW#3

  RF와 Microwave용 IC를 제작하는데 있어서, 실리콘 반도체에 비하여 화합물반도체(GaAs, InP)가 더욱 유리한 이유를 2가지 이상 설명하라.1.온칩 인덕터의 Q에 대한

  리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.06.12

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  반도체기술동향, 반도체, 최신기술동향, 물리전자, 반도체공학

  실리콘 공정은 종종 GaAs 공정보다 더 많은 층(layer)을 요구한다.GaAs 칩 메이커들은 오랜 동안 GaAs만을 고집해왔으나 이제는 실리콘 외에도 SiGe나 InP와 같은 다른 ... 뿐만 아니라 GaAs는 공정상에 어려움을 가지고 있어 재료 및 생산 비 용이 더 높다. ... 긍정적인 면에서는 GaAs 디바이스는 마스크 공정 수 면에서 생산 비용의 이점을 가지기도 한다.

  리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.01.05

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  STEAM-가정생활1008

  , 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3 B 및 5 B족인 2원소 ... 있다.발광다이오드에 적합한 재료로는 발광파장이 가시 또는 근적외 영역에 존재해야하고 발광효율이 높고 p-n접합의 제작이 가능해야 하는 등의 조건을 만족시키는 것으로서 주로 비소화갈륨 GaAs

  리포트 | 45페이지 | 7,000원 | 등록일 2012.04.29

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  LED발광메커니즘을 전자론적 근거.ELD발광메커니즘을 전자론적

  .-1962년의 Pankove의 GaAs p-n 접합부에서의 발광관측을 시작으로 GaAs, GaP, GaAsP, ZnSe등의 결정성장기술, 주입 발광현상에 관한 수 많은 연구 발표가

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.10.31

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  Semiconductor, 세미컨덕터, 기초전기전자실험, 기초전자전기실험

  , 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3B 및 5B족인 2원소 또는 ... 한다.발광다이오드에 적합한 재료로는 발광파장이 가시 또는 근적외영역에 존재할 것, 발광효율이 높을 것, p-n접합의 제작이 가능할 것 등의 조건을 만족시키는 것으로서 주로 비소화갈륨 GaAs

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.04.22

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  [반도체] 에피택셜성장

  , AlGaAs, GaP 에피택시에 널리 이용되고 있습니다.L P E 액상에피택시..PAGE:8GaAs 기판에 AlGaAs및 GaAs층 성장..PAGE:9VPE 기상에피택시Vapor ... Epitaxy의 약자로 액상에피택시라고 합니다.결정재료가 녹아 있는 포화용액을 기판과 접촉시켜서 결정을 성장시키는 것1963년 Nelson에 의해 최초로 구현된 후, 주로 Si, GaAs ... 열에 의한 분해와 반응을 통해 기판위에 결정을 성장반응가스의 원료형태에 따라 H-VPE, MOVPE 등으로 분류됩니다.- 대량생산가능, 불순물 변화 용이, 낮은 온도..PAGE:10GaAs

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.09.13

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  자연계의 여러가지(17가지) 물질들의 구조와 그 용도에 대한 리포트..

  GaAs (Zinc Blende 구조)갈륨 아세나이드는 갈륨과 비소로 이루어진 화합물로서, 반도체의 중요한 재료며, 또한 마이크로 웨이브파 집적회로와 레이저 다이오드와 같은 기기들을

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.12.12 | 수정일 2021.11.21

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  화합물 반도체

  그림6과 7은 각각 GaAs와 CdTe의 상태도로서 대부분의 Ⅲ-Ⅴ와 ⅡⅥ 화합물 반도체는 이와 같은 형태의 상태를 보인다. ... 기판 위에 박막을 성장시키는 경우이며 박막에 결함이 전파되지 않기 위해서는 결함이 적은 웨이퍼 즉 기판이가장 많이 사용되는 방법이다.LPE 방법으로 성장되는 Ⅲ-Ⅴ반도체로는 GaAs ... Terrace구조는 device 제조의 관점에서 볼 때 결함이 되기 때문에 이의 제어를 위해서 많은 연구가 되어 왔다.LPE 박막에 대해 doping도 행해지며 GaAs 경우에 n

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.07.02

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  Coating - PVD & CVD Deposition, Sputter, Evaporation

  PVD에 묶일 수 있는 이유는 증착시키려는 물질이 기판에 증착될 때 기체상태가 고체상태로 바뀌는 과정이 물리적인 변화이기 때문이다.좀더 풀어서 말하자면, 많이 쓰이는 산화물 반도체나 GaAs

  리포트 | 11페이지 | 5,000원 | 등록일 2014.06.23

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  진성반도체

  예를 들어 Si에서의는 1.12ev이고, GaAs의 값은 1.42ev이므로 Si쪽의 캐리어가 GaAs보다 훨씬 더 많을 것이라는 것은 쉽게 생각할 수 있다.에너지 띠 간격과 캐리어 ... 그러나 이 둘만 비교 대상으로 놓고 볼 때 GaAs에서는의 크기가 Si에서의값보다 1/10,000 정도로 매우 작기 때문에 Si이 보통 반도체라고 불리우는 것과는 달리 GaAs는 보통 ... 흥미로운 것은 GaAs의 경우엔 CB쪽이 VB쪽보다 더 뽀족하여 전자의

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.06.15

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  GaN의 식각

  방법들이 공통적으로 PVD에 묶일 수 있는 이유는 증착시키려는 물질이 기판에 증착될 때 기체상태가 고체상태로 바뀌는 과정이 물리적인 변화이기 때문이다.많이 쓰이는 산화물 반도체나 GaAs

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.05.22

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  [자기홀센서,스피드센서,AD컨버터] Speed sensor & 홀센서(HAll Sensor) - 전자기 변환 소자

  GaAs 홀센서.동작 온도 범위가 넓다GaAs 홀 센서는 200℃ 이상의 온도에서도 동작 가능하지만 패키지(용기)가 그 온도 에 견딜 수 없으므로 일반적인 동작온도 범위는 -55∼ ... InSb 홀 센서.출력전압이 높다.대략 GaAs 홀 센서의 수 배에서 수십 배이다..가격이 저렴하다..정전압 구동시의 온도 특성이 양호하다..동작 온도 범위가 좁다.좁다고 해도 -20 ... 있다..주파수 특성이 우수하다..홀 전압의 온도계수가 작다(정전류 구동시).홀 전압의 온도계수는 -0.06%/℃(max)이고 대푯값은 - 0.04%/℃ 정도이다..출력전압이 낮다.GaAs

  리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.09.14

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  염료 감응 태양전지(DSSC)

  Layer type Compound silicon Bulk Thin film Bulk Thin film Thin film Dye A-Si/ CIGS Polymer CuInSe2 GaAs ... CdTe GaAs/Ge 1 generation : Single, Poly crystal silicon 2 generation : Thin film type silicon, compound

  리포트 | 24페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.11.28

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  나노 태양 전지

  GaAs를 바탕으로 한 소자의 문제점은 GaAs 위에 적층할 때, 다양한 파장의 밴드갭을 갖는 물질을 올리는 것이 GaAs-AlGaAs-Al능한 물질들이 준비되어있어 MQW 구현 시 ... 반면에 InP를 바탕으로한 소자는 GaAs를 바탕으로 한 소자에 비해 광학적 밴드갭이 작아 자외광 영역에서의 수집효율이 떨어져서 적외선보다는 자외광이 많은 지상용 소자에 있어서는 GaAs를 ... GaAs보다 InP가표면에 전자의 포획이 적기 때문에 표면 재결합이 적어서 보다 높은 효율을 나타낸다.

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.08.19

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  에피택시

  단결정의 GaAs 층을 시드 결정 위에 성장 시킨다. ... , AlGaAs, GaP 에피택시에 널리 이용되고 있다.예) GaAs의 용융점은 1238`C이나 금속 Ga와 GaAs의 혼합물은(이 혼합물의 조성비에 따르지만) 상당히 낮은 용융점을 ... 따라서 GaAs 시드 결정을 그것 자체가 용융되는 온도보다 낮은 온도에서 녹는 Ga+GaAs 용액 속에 담가둔 후, 이 용액을 용융점(melting point)으로부터 서서히 냉각시키면서

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.05.24

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  박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거 (반도체 식각)

  리소그래피에 임해서는 먼저 그 기판을 잘 세척하으로 사용되는데 GaAs, InSb, Gap, CdS, PbSnTe 등이 있다. ... 현대 소자에서는 Si, Ge, GaAs, InP등이 주류를 이룬다.반도체 소자는 반도체의 전기적 성질을 제어하기 위해 극히 소량이지만 외부 불순물이 포함된 순수한 반도체 물질을 사용하고 ... 금속등과 접촉시키면 정류작용이 있다.ⅵ)홀 효과(Hall effect)가 크다.원소반도체Ⅳ족실리콘(Si), 게르마늄(Ge)Ⅵ족셀렌(Se), 테르르(Te)Ⅲ-Ⅳ족화합물반도체갈륨비소(GaAs

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.10.13

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  태양광 발전 및 사례

  초고층건물에 적용USE _BIPV 대규모 태양광 발전시설CASE STUDY _BIPV 호텔 옥상개수에 적용USE _ 플렉시블 태양전지 구조와 장점 구조 태양 전지층은 PN 접합을 가지는 GaAs

  리포트 | 27페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.06.02

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  LTCC 새로운 조성에 대한 동향 조사 레포트 입니다.

  선단의 부품 (듀플렉서, ASM, FEM 등)이나 Bluetooth 모듈 등의 MCM 용 (Multy Chip Module)다층 세라믹 기판으로 사용되어 왔다.또한 Si, SiGe, GaAs

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.01.03

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  발광다이오드, LED

  물리학에서는 에너지보존의 법칙에 따라 위치에너지만큼의 동일한 에너지가 나오는데 이것이 빛일 수도 있고 열일 수도 있다.LED를 만드는데 쓰이는 대표적인 화합물로는 갈륨 아세나이드(GaAs ... GaAs1-XPX의 조성비 x를 적색 LED보다 크게 취함으로써 단파장화한다. x값이 0.65 및 0.75에서는 각각의 발광 피크파장이 630㎚ 및 610㎚의 등황색 LED로 된다.⑤ ... 발광효율에 한계가 있고 저 전류에서의 사용에 적합하기 때문에 표시소자는 포터블 타입을 비롯해 옥내용 각종 기기에 많이 이용되고 있다.③ GaAsP계 적색 LEDGaAsP 결정은 GaAs1

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.12.18

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