"GaA" 검색결과 701-720 / 1,170건

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  박막의 응용분야, 각각의 property 별로 정리

  이러한 schottky 장벽은 분자선 에피탁시 방법으로 만든 GaAs 의 단결정 박막위에 Al 박막을 증착하여 제조된다. ... 이 두 층은 진공을 깨지 않고 만든 것이므로 GaAs 상에 산화층이 없고, 접촉도 합금법 으로 만든 경우보다 훨씬 더 좋은 ohmic접촉을 갖는다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.01.24

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  기상증착법, 물리증착PVD와 화학증착CVD에 관하여

  레이저 분자 빔 증착법(Laser Molecular Beam Epitaxy), 펄스레이저 증착법(Pulsed Laser Deposition)등이 있다.3많이 쓰이는 산화물 반도체나 GaAs ... (A+AB2 2AB 2SiI2 SiI4+Si)주로 화학적 수송 반응은 3-5족 화합물 박막 제작하는데 쓰인다.GaAs어떤 물질이 HCl, 기타 기체, 증기와 같은 것이 활성 화합물을

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.25

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  반도체 제조 공정

  그러나 현재는 거의 모든 집적회로가 실리콘(Si) 결정으로부터 제조되고 있고, 그 다음으로 많이 사용되고 있는 재료는 갈륨비소(GaAs) 반도체이다. ... 한편 화합물 반도체(예: GaAs) 에피택시에 있어서의 가역 할라이드 환원반응 계는 그 V족 원료로 염소화합물(예: AsCl3)이 사용되는 경우와 수소화합물(예: AsH3)이 사용되는

  리포트 | 15페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.05.01

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  광전도 Cell (CdS Cell)

  SiGe과 GaAs는 에너지갭이 ∼1eV, 1.4eV인데 비해 SiC와 GaN는 에너지 갭이 3.0∼3.3eV, 3.4eV로 높아 고전력·고온용으로 주로 사용되는 광대역 폭(wide ... bandgap) 반도체라고 불린다. Ⅳ족 화합물반도체인 SiC와 SiGe은 간접 천이 밴드구조인 반면, Ⅲ-Ⅴ족 반도체인 GaAs와 GaN는 직접 천이 밴드 갭 이어서 적색, 청색

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.07.09

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  4장 LED

  일반적으로 드레시홀드 전압(threshold voltage)은 LED의 재료에 따라 달라지며, GaAs는 약 1.0V, GaAsP는 1.5V, GaP(적색)은 1.8V, GaP(녹색

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.09.02

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  염료감응형태양전지

  화합물 반도체의 경우에는 GaAs 가 25.1%, CIGS가 18.8% 기술 수준에 있다. 하지만 이들 값은 거의 이론 효율에 접근하고 있다.

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.10.02

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  [전자공학]LED에 대하여

  예-적색LED GaAsP는 GaAs 기판위에 6:4의 비율로As와 P를 성장시켜 얻을 수 있다. ... 위해 천이 될 때 그 에너지만큼 빛으로 발광 된다.직접 천이형간접 천이형에너지에너지전도띠전도띠가전자띠가전자띠빛빛-전자와 정공의 결합시 발생하는 에너지 주로 빛 -발광효율이 높음 -GaAs ... 성장에 이용결정 성장법에피택셜 기술-기판 결정상에 발광층을 형성GaAs및InP기판의 에피택셜 성장 관계기판위에 같거나 다른 성질 의 물질을 성장 시켜 기존 믈질의 성질을 향상 시키거

  리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.01.23

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  7 segment 예비 & 결과 보고서

  그림 16.8은 전기발광(electroluminescence)이라고 부르는 과정을 보여주고 있다.LED에 사용되는 반도체 재료는 GaAs(gallium phashide)이다.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.11.15

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  반도체 기초 및 논리회로

  주기율표 14족에 속하는, 최외곽 전자가 4개인 실리콘(Si), 게르마늄(Ge) 등이 대표적인 반도체이며 순수한 물질인 Si, Ge 등을 진성 반도체, 화합물 형태인 SiGe, GaAs

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.06.21

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  양자역학의 기초와 고체의 양자이론

  밴드 Bandgap: 1~3.5eV (T 0K)금속 부분적으로 채워진 밴드나 중첩된 밴드를 가짐 낮은 저항도7. 3차원으로 확장직접 밴드갭(direct bandgap) 반도체 : GaAs에서

  리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.03.26

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  자동차 전조등을 개선하기 위한 설계계획서

  , 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3 B 및 5 B족인 2원소 ... 적합한 재료로는 발광파장이 가시(可視) 또는 근적외영역(近赤外領域)에 존재할 것, 발광효율이 높을 것, p-n접합의 제작이 가능할 것 등의 조건을 만족시키는 것으로서 주로 비소화갈륨 GaAs

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.07.01

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  [전자.물리]반도체에 대해서..

  재료Si, Ge, GaAs, Se, CdSCdS, PbO, Se, ZnO, 유기반도체ZnS, ZnO 등ZnS, ZnSe 등Si, Ge, GaAs, Se열전변화재료열전발전재료열전냉각재료열전자방출재료서미스터 ... 대표적 재료능동소자재료다이오드 재료트랜지스터재료사이리스터 재료집적회로재료Si, Ge, GaAs, SeSi, GeSiSi광전변환 재료광전셀, 광전지 재료광도전 재료형광재료EL재료발광다이오드 ... 2Te3(Ba,Sr)O,ThO2 ,LaB6NiO 등SiC자전변환재료홀소자재료자기저항재료InSb, InAsInSb, InAs,Bi압전변환 재료압저항 재료압전반도채 재료Si, Ge, GaAs

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.05.06

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  Magnetic Hysteresis 자기이력선 측정

  홀소자 : GaAs? 탐침 : 수직형 (자기장에 대하여 직각방향으로 사용)? 자계의 극성 : + (표시없음) 부호일 경우 N극, - 부호일 경우 S극?

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.01.31

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  LED산업분석 및 향후전망

  참고로 LED를 만드는데 쓰이는 대표적인 화합물로는 갈륨 아세나이드(GaAs), 갈륨 아세나이드 포스파이드(GaAsP), 갈륨 포스파이드(GaP), 갈륨 나이트라이드(GaN) 등이

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.26 | 수정일 2015.12.17

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  [일반물리학실험] 편광 예비보고서

  건 다이오드 마이크로파 발신자 및 수신자건 다이오드 발신자 - GaAs등과 같은 결정에 높은 전기장을 걸었을 때 일어나는 전류 진동현상을 이용하는 것을 말하며 여기에서 방출되는 마이크로파는

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.03

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  염료감응 태양전지

  또 GaAs 태양전지 경우 최대 효율이 28.7%로 높으나 우주용과 같은 특수용도에 주로 사용된다.

  리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.11

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  chapter+9+반도체와+다이오드_10

  다이오드 (LEDs : Light Emitting Diodes)특수 재질로 만들어진 다이오드는 순방향 바이어스 되었을 때 공핍영역에서 재결합에 의한 에너지로 광자 발생비화갈륨 (GaAs

  리포트 | 32페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.06.17

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  LED I/O 응용 및 실습

  저전력화, 소형화, 집적화가 진척되었고, 이것의 기본적 기술력이 화합물 반도체에도 응용전개 된 결과, LED 관련 기술을 약진시키는 원동력으로 작용하게 되었다.특히 화합물 반도체인 GaAs와

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.31

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  미래 성장 동력형 LED용 사파이어 단결정

  (molybdenum) 도가니에서 한쪽 끝에 seed 결정은 녹지 않게 원료를 용융 시킨 후에 도가니를 가열영역에서 점차 벗어나도록 이동시킴에 따라 융액을 결정화 시키는 방법으로 GaAs

  리포트 | 18페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.05.11 | 수정일 2016.11.29

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  [반도체공학] SOI(Silicon On Insulator) 조사 (파워포인트)

  Colinge SGT 구조를 기초로 SOI 기판을 사용한 GAA 구조 제안 (1990)Gate all around(GAA) transistor의 구조 (from [3]).특징 폴리실리콘이 ... 게이트가 채널영역을 원통형으로 감싸는 구조 장점 기존의 MOS보다 좀더 나은 I-V 특성 단점 제조 공정이 까다로움Gate All Around(GAA) Transistor J. ... 제작 장점 SGT에 비해 제작공정이 기존의 MOS 공정에 가까움 MOS 보다 포화전류 약 3배 이상 단점 게이트와 소스 및 드레인의 Overlap 정전용량이 매우 증가현재 SGT와 GAA

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.01.24

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