"GaA" 검색결과 621-640 / 1,170건

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  반도체 재료

  흔히쓰이는 고유반도체의 재료 규소 (Si), 게르마늄 (Ge), 비소화갈륨 (GaAs) 6 원소반도체원소반도체의 이용 7 다이오드 트랜지스터 수광소자화합물반도체 재료 8 탄소와 양성원소의

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.23

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  금속 산화물 및 질화물 합성 (예비)

  Knoop 경도에 있어서 c축과 직각 방향으로 이방성이 존재하며 그 값은 10 ~ 14 GPa 정도이다.(3) 열적 특성AlN의 열팽창계수는 Si나 GaAs의 열팽창계수와 비슷하다.

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.04.04

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  태양전지 연구동향

  결정질 실리콘 및 박막형 태양전지Si 계열 및 CdTe, CIGS, GaAs와 같은 반도체 태양전지가 포함된다. n형 반도체 물질과 p형 반도체 물질을 접합하여 태양전지를 제조하며,

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.03.09

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  Oligonucleotide-Based Microarrays를 이용한 폐수속의 수인성 병원균의 탐지

  -a-S-24CGC TTT ATA GGA CGC GAA TTG TACProvidencia spp.UnpublishedW-G-Citr-unk. ... -a-S-21TCG TGC GCT GGT TGA GCG TGCEnterobacter spp.UnpublishedW-F-Ente-0523-a-S-21TTT AGC TTC CAT GAA ... ACC AAAEnterobacteriaceaeAL62727922787-22767W-F-Ente-0526-a-S-20AGC TTC CAT GAA ACC AAA AAEnterobacteriaceaeAL62727922784

  리포트 | 23페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.03.26

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  LED란

  GaAs1-XPX의 조성비 x를 적색 LED보다 크게 취함으로써 단파장화한다. x값이 0.65 및 0.75에서는 각각의 발광 피크파장이 630㎚ 및 610㎚의 등황색 LED로 된다.5 ... 마찬가지로 GaP이며, GaP 기판 결정 위에 LPE법을 이용해 p-n접합을 형성하여 제작하는 LED로 옥외용 디스플레이로도 사용되고 있다.3 GaAsP계 적색 LEDGaAsP 결정은 GaAs1

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.30

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  래핑실험 보고서.

  소자응용 분야나노 소자실리콘 계ㆍCMOS 소자ㆍ양자ㆍ단전자 소자ㆍ터널링 소자ㆍ메모리소자ㆍ시스템 LSI 소자ㆍSoC 소자ㆍ정보통신관련제품비실리콘 계ㅇ 화합물반도체ㆍIII-V족 소자(GaAs

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.10

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  GMR(Giant Magnetoresistance)

  있다.홀효과(Hall effect)에 의한 전기저항의 증가는 자장에 의한 물질 내 전류분ㅍ의 변화에 기인한 것으로 전자의 이동도(mobility)가 높을수록 크며 InSb, InAs, GaAs등의

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.26

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  GMR(Giant Magnetoresistance)

  있다.홀효과(Hall effect)에 의한 전기저항의 증가는 자장에 의한 물질 내 전류분포의 변화에 기인한 것으로 전자의 이동도(mobility)가 높을수록 크며 InSb, InAs, GaAs등의

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.26

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  고체전자 3장

  직접형 반도체이고 AlAs는 간접형 반도체 이다 3원소 합금 AlxGa1-xAs에서 조성비 x가 0(GaAs)에서 1(AlAs)로 변함에 따라, 전도대역의 최소점들이 가전자대역에 ... 그것은 세 개의 가지를 가진다. 1.가장 작은 곡률을 가지는 무거운 정공대역 2.가장 큰 곡률을 가지는 가벼운 정공대역 3.한 다른 에너지에서 분리된 대역 GaAs에 대해 전도대의 ... 비어 있다금속, 반도체 및 절연체고체에서 전류의 흐름이 발생하기 위해서는 전자들이 인가전계에서 가속되Ⅲ-Ⅴ족 3원소와 4원소 합금의 조성비가 변화할 때 에너지대역의 구조도 변화한다 GaAs는

  리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.03.30

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  태양 전지 ppt

  태양전지의 다량생산으로 이어지는 반도체들은 주로 실리콘(Si)과 갈륨아세나이드(GaAs)이다.실리콘 태양전지의 결정상에 따른 분류단결정실리콘 태양전지 (monocrystalline

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.04.20

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  LED에 관한 전반적인 PPT 발표입니다.

  LED 발광재료LED 발광파장 영역 - 발광재료Ga1-xAlxAs GaAs1-xPx InGAlPGaAs1-xPxAlP GaP InGaNInGaN응 용 분 야SIDE VIEW TYPEPOWER

  리포트 | 20페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.05.17

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  반도체 재료 종류와 구분

  흔히쓰이는 고유반도체의 재료 규소 (Si), 게르마늄 (Ge), 비소화갈륨 (GaAs) 5원소반도체의 이용 6 다이오드 트랜지스터 수광소자화합물반도체 재료 7 탄소와 양성원소의 화합물

  리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.23

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  Light Emitting Diode

  CharacteristicsLight Emitting Diodes are made from compound type semiconductor materials such as Gallium Arsenide (GaAs

  리포트 | 18페이지 | 20,000원 | 등록일 2010.02.24

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  래핑4

  소자응용 분야나노 소자실리콘 계ㆍCMOS 소자ㆍ양자ㆍ단전자 소자ㆍ터널링 소자ㆍ메모리소자ㆍ시스템 LSI 소자ㆍSoC 소자ㆍ정보통신관련제품비실리콘 계ㅇ 화합물반도체ㆍIII-V족 소자(GaAs

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.09.22

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  광전자

  Si 이나 GaAs 등의 반도체의 pn접합이나 쇼트키 접촉에 반도체의 에너지갭 이상의 에너지를 가진 빛이 비춰지면 전자ㆍ정공쌍이 생성되는데.

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.07.17

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  K-GAAP와의 차이점을 통해 알아보는 K-IFRS의 특징

  원칙중심의 회계처리K-GAA터 6년 연속 "미국에서 가장 혁신적인 기업"으로 평가받았다.

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.07.15

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  L E D (Light Emitting Diode)

  . -1962년의 Pankove의 GaAs p-n 접합부에서의 발광관측을 시작으로 GaAs, GaP, GaAsP, ZnSe 등의 결정성장기술, 주입 발광현상에 관한 수 많은 연구 발표가 ... GaAsP계 적색 LED - GaAsP 결정은 GaAs1-XPX의 성분비 x를 바꿈으로써 적외선(x=0)부터 녹색(x=1)까지 발광한다. 4. GaAsP계 등황색. ... 적외 LED - 적외선 LED의 재료는 주로 GaAs로 양성불순물인 Si를 이용하여 LPE결정 성장조건으로 그 치환위치(Ga 또는 As원자)를 제어함으로써 p-n접합을 형성한다.

  리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.11.10

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  태양전지

  : CuInSe2, CdS, CdTe, ZnS등② 적층형 (tandem) 태양전지화합물/VI 족 계열 : GaAs/Ge, GaAlAs/Si, InP/Si 등? ... ① 화합물 반도체 태양전지 ( compound semiconductor solar cell )III-V족 화합물계 : GaAs, InP, GaAlAs, GaInAs 등II-VI족 화합물계

  리포트 | 21페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.07.03 | 수정일 2021.07.08

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  LED와 Laser Diode의 특성평가

  , 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소인 GaAs1-xPx,갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln1-xGax P 등 3 B 및 5 B족인 2원소 또는 ... ) 발광파장이 가시(可視) 또는 근적외영역(近赤外領域)에 존재할 것, 2)발광효율이 높을 것, 3) p-n접합의 제작이 가능할 것 등의 조건을 만족시키는 것으로서 주로 비소화갈륨 GaAs

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.01.01

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  태양전지에 대해서

  entrator) 이 기록이며 GaAs/GaSb 중첩전지로는 34.2% (100 sun concentrator) 가 기록이다. ... . * GaAs 태양전지 - 태양전지 재료 중에서 가장 높은 효율을 달성하였고 현재 우주용으로 상용화에 성공하여 흑자를 기록하고 있는 재료이다. ... GaAs는 최적의 밴 드갭(1.45eV) 및 높은 광 흡수계수와 가장 높은 이론 효율치(39%) 등의 장점과 In, Al등과 쉽게 합금을 형성하여(InGaAs, AlGaAs) 밴드갭을

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.03.16

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