"GaA" 검색결과 661-680 / 1,177건

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  [TV 공학 디스플레이] 디스플레이 시장현황과 CRT LED LCD PDP 개념, 특성, 원리, 동작방식 및 구조 분석

  다만 한 가지 단점이 있다면, 아직은 가격대가 좀 비싸다는 흠이 있습니다.갤륨비소(GaAs)재질이나 이 재질에 인·알루미늄 등을 첨가해 만든 칩을 사용하는 LED는 직경 3 , 5

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.04.26

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  클리핑회로,클램핑회로, 발광, 제너 다이오드 PSPICE 시뮬레이션 까지 포함된 보고서

  , 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3B 및 5B족인 2원소 또는 ... 발광다이오드에 적합한 재료로는 ①발광파장이 가시(可視) 또는 근적외영역에 존재할 것, ②발광효율이 높을 것, ③p-n접합의 제작이 가능할 것 등의 조건을 만족시키는 것으로서 주로 비소화갈륨 GaAs

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.22

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  LED의 구조와 기본 원리, LED산업의 전망

  주로 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체의 GaAs(비소화갈륨), Gap(인화갈륨), GaAsl-xPx(갈륨-비소-인), Gal-xAlxAs(갈륨-알루미늄-비소), InP(인화인듐),

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.01.23

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  전자회로실험보고서_광전자 소자

  LED에 사용되는 반도체 재료는 GaAs(Gallium Arsenide : 적외선 발광), GaAsP(Gallium Arsenide Phosphide : 적색 또는 황색 발광), GaP

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.12.09

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  Breakdown voltage, Contact Resistance

  Electric field를 보다 균일하게 분산 Drain edge의 electric field 감소Breakdown Voltage(1)SemiconductorEG (eV)Si1.12GaAs1.42DInP1.35DGaN3.34DWide

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.03 | 수정일 2017.02.17

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  회계감사

  독립적이고 객관적인 시각을 가질 수 있는 제3자가 수행하는 것을 기본 원칙으로 하기 때문에 미국은 오래전부터 공인회계사(CPA)들로 하여금 감사를 수행하도록 여러 가지 감사기준(GAAS

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.04.02

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  반도체 물리

  , InP …ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS …성분원소의 수2원소(binary)3원소(ternary)4원소(quaternary)5원소(pentanary)…SiC, SiGe, GaAs ... crystalline Sipolycrystalline Siamorphous Si구성 성분단일 원소(elemental)Si, Ge화합물성분 원소Ⅳ-ⅣⅢ-ⅤⅡ-ⅥSiC, SiGe …GaN, GaP, GaAs

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.04.18

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  Light-Emitting-Diodes

  ), 인화갈륨(GaP), 갈륨-비소-인(GaAs1-x Px), 갈륨-알루미늄-비소(Ga1-xAlxAs), 인화인듐(InP), 인듐-갈륨-인(ln1-xGaxP) 등 3B 및 5B족인 ... 발광다이오드에 적합한 재료로는① 발광파장이 가시 또는 근적외영역에 존재하는 것② 발광효율이 높은 것③ p-n접합의 제작이 가능한 것등의 조건을 만족시키는 것으로서 주로 비소화갈륨(GaAs

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.09.25

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  저잡음 증폭기에 관한 졸업논문

  저잡음용 소자로는 BJT(Bipolar Junction Transistor)를 사용하며 그 이상의 주파수에서는 GaAs MESFET, HEMT(High Electron Mobility

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.07.08

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  [반도체공학]반도체 기초

  Structure'.Energy BandEnergy BandbandbandDirect–Indirect Band gap SemiconductorDirect band gap material : GaAs

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.02.02

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  Breakdown voltage, Contact Resistance - 대본

  생성하는 데에 있어서 더 많은 electric field가 필요하고 그러므로 좋은 breakdown voltage 특성을 얻을 수 있다.SemiconductorEG(eV)Si1.12GaAs1.42DInP1.35DGaN3.34D2

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.03 | 수정일 2017.02.17

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  (Chromogramin)크로모그라닌에 관한 연구

  CTT 3’ (21nt)G/C content : 48%Tm : 4*10+2*11 = 62℃Reverse primer ( stop codon)5’ TCA GCC CCT TTG GCT GAA

  리포트 | 83페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.07.05

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  반도체레이저

  파장선택범위가 넓다. ⑦ 변조가 쉽다. ⑧ Intensity가 우수하다. ⑨ 유도방출의 원리로 빛을 생성한다.반도체 레이저의 재료와 구조* Laser diode 의 주재료 -InP,GaAs

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.10.02

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  전송선(Transmission Line) 이론

  4350hydrocarbon/ Ceramic laminates3.480.004 at 10 GHzLow-cost substrate; Widely usedGallium ArsenideCrystal (GaAs

  리포트 | 25페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.04.03

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  LED에서의 열

  , 일본을 제외하고 한국, 대만 등은 열관리 소재의 80% 이상을 수입에 의존하고 있다는 점에서 관련 기술의 독립이 절실하다.LED 방열 원리발광다이오드는 화합물 반도체(GaP, GaAs

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.10.12 | 수정일 2022.06.21

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  태양전지

  화합물 태양전지의 특성① 특성 : 단경정 화합물 3-5족 태양전지는 주로 집과 발전용이나 우주용 태양전지로 개발되고 있으며 GaAs 태양전지는 25.7% AlGaAs/GaAs 탄템형은27.5% ... 순방향전류에 의하여 회복되는 등 우주에서 이점이 되는 특성을 가지고 있다② 단점 : GaAs 단결정 기판의 가격이 높고 Si 에 비해 무겁다 표면재결합속도가 크다6. ... GaAs와GaSb 를 붙여 만든 탄딤형은 집광시에 35.8%에의 변화효율이 보고되고 잇다 InP 태양전지는 22%의 변환효율이 실현되고 있으며 이전지는 우주선에 의한 열화가 광조사,

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.04.27

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  반도체

  흔히 쓰이는 고유반도체로는 규소(Si), 게르마늄(Ge), 비소화갈륨(GaAs)의 단결정들이 있다.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.18

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  결정의 전기전도도 실험 레포트

  GaAs와 같은 화합물 반도체는 이온 및 공유결합 양쪽의 힘이 다같이 참여하게 되는 혼합된 결합을 이루고 있다. ... 주기율 표에서의 Ga와 As 원자의 자리가 다르기 때문에 GaAs와 같은 결정에서는 어떤 이온결합을 예측할 수 있는 것이다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.08.28

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  태양전지제조공정

  ARC) 형성 TEXTURING Cell 제조 공정 태양전지 구분 OUTLINE화합물 계 기 타 실리콘 계 단결정 Si (c-Si) 다결정 Si (mc-Si) 비정질형 Ⅲ-Ⅴ 형 GaAs

  리포트 | 27페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.11.25

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  [ FET ]에 대하여

  극초단파이상에서는 실리콘보다 캐리어의 이동도가 빠른 갈륨 비소(GaAs)와 같은 화합물 반도체를 이용한 FET가 사용되고 있다.4단자형(MOS(metal?oxide?

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.17

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