"Ge, Si" 검색결과 261-280 / 1,193건

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  태양전지과제(최종)

  , GaAlAs/Si, InP/Si 등2. ... GaAs 계열, 적층형 등2) 위성용 태양전지IV 족 : 단결정 실리콘, Ge (저온용)GaAs 계열 : GaAs, InP 등적층형(Tandem) : GaAs/Ge, GaInP/GaAs ... 기술혁신의 파장태양전지업계에서는 SI계 이외의 신재료의 연이다.

  리포트 | 24페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.12.07

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  7장예비 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)

  이론바이폴라 트랜지스터는 Si나 Ge 중의 하나로 만들어진다. ... 만약 DMM에 표시된 값이 낮다면(근사적으로 Si 는 0.7V, Ge는 0.3V거나 더 낮은 저항)트랜지스터의 형태는 pnp의 경우 순서⑩(1)로 가라.⑩⑴pnp형에 대하여, 음의

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.05.30 | 수정일 2016.11.26

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  [기초회로실험] 25장. 제너다이오드의 특성 결과레포트

  보면 제너다이오드와는 다르게 Si 다이오드에서는 꽤 높은 전압을 인가하여도 쉽사리 전류가 흐르지 못하였음을 관찰하였다.Ge 다이오드와 제너다이오드의 순방향 특성 역시 서로 비슷한 ... 역방향 실험에서는 Ge 다이오드는 Si 다이오드와는 다르게 조금 일찍 I값이 증가하였지만 제너다이오 드와는 또 다르게 급격한 증가가 아닌 완이한 곡선의 기울기를 보여주었다.즉, 간단하게 ... 다이오드와 Si 다이오드를 가지고 실험을 하였다.Si 다이오드의 실험과 제너다이오드의 실험을 비교하여보면 순방향에서는 두 실험값 모두 상당 히 비슷한 결과값을 보였지만 역방향 특성을

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.01.16 | 수정일 2022.10.13

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  울산대 예비전자 1장.다이오드 특성

  Si과 Ge의 다이오드 특성다이오드의 DC 또는 정저항은 위 그림과 같이 특성 곡선의 임의의 동작 점에서 다이오드전압과 전류의 비로 결정된다. ... 실험 준비물(1) 실험 장비직류 전원 공급기DMM(Digital Multimeter)(2) 부품◇ 저항 1kΩ, 1MΩ 각 1개 씩◇ 다이오드 Si diode, Ge diode 각 ... Si 다이오드의 그림 1-4.

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.10.30

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  연대 소자재료 ppt 필기(2016)

  또한, 학습기능을 갖춘 로봇의 두뇌(인공지능), 센서와 CMOS, Si 과 SiGe, Ge, 화합물반도체 등의 재료의 융합을 통한, 융합반도체 등으로 지속적 발전을 해 나갈것이다.

  시험자료 | 37페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.06.29 | 수정일 2016.07.02

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  접합다이오드 특성 결과 리포트

  Si 접합 다이오드의 도통 또는 문턱전압은 0.7V, Ge 경우는 0.3V 이다. ... 반도체의 기초가 되는 물질은 Si, Ge이며 순수 상태에서는 절연체에 가깝다. 이 반도체의 저항율을 낮추고 도전율을 높이기 위해 불순물을 도핑한다.3. ... 이것을 이상적인 다이오드 근사법이라 한다.1. 1N4154 Si 다이오드의 양극, 음극, 단자를 구별하여 다이오드가 순바이어스 되도록 그림 1-13 회로를 구성 한다.

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.10.30

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  3.직렬 및 병렬 다이오드

  병렬 구조-Si 와 Ge 다이오드를 병렬로 연결하여 문턱전압을이용하여 다이오드 전압과 저항의 전압계산 ... 역내압을 높이거나 전류용량을 높일 때 적절히 연결하여 사용하면된다.실험회로 및 시뮬레이션 결과(1) 다이오드 직렬 연결-Si 다이오드와 Ge다이오드를 직렬로 연결하고 저항값과 전압 ... , 전류를 문턱전압을 이용해 계산 하고 측정한다.(2) 다이오드 병렬 연결-Si 다이오드와 Ge 다이오드를 병렬로 연결하고 전압의 이론적인 값을 계산하고 측정한다.(3)PspiceVoID실험방법

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.11.26

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  1 접합다이오드의특성 예비

  그에 대한 설명으로는, 우선 Bias에 대하여 역방향일 경우 공핍층의 증가로 전류가 감소하는 특성, 또, 반도체 매질(Si, Ge 등등)에 따른 전기전도도의 변화, 온도 상승에 따른 ... 일단, 반도체의 원리에서 반도체 자체가 물질 Si Ge P As Al Ga 을 이용하여 원자들이 공유결합 형태를 띌 때 열로 인해 원자들 사이에서 자유전자와 hole(정공)에 의해

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.10.06

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  센서시스템 - 열화상카메라, 제어계측

  적외선 카메라의 렌즈의 소재로는 규소(Si)와 게르마늄(Ge)이 사용하여 제조 되며, 대체로 규소는 중간 파장대의 적외선(MWIR) 카메라에 적합하며 게르마늄은 장파장 적외선(LWIR

  리포트 | 13페이지 | 4,500원 | 등록일 2019.05.10

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  [기초회로실험] 22장. 다이오드의 특성 예비레포트

  또한 다이오드의 종류 Si, Ge에 따라 전위장벽의 변화 및 도통특성 등에 대하여 검토한다.2. ... 이들은 정류기, 증폭기, 검지기, 발진기 및 스위칭소자 등에 이용한다.Ge과 Si의 전도성은 매우 작은 양의 어떤 불순물을 부가함으로써 증가하게 된다. ... 및 Ge 다이오드의 문턱전압에 대해서 기술하여라.문턱 전압이란 전압을 점점 올리다 보면 어는 순간 다이오드 내에 전류가 급격히 많이 흐르게 되는 순간이 있는데 이때가 바로 문턱 전압을

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.01.16 | 수정일 2022.10.13

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  세미컨덕터

  그 중에서도 4개의 전자를 가진 실리콘 Si, 게르마늄 Ge에 3개의 전자를 가진 원소(B, Ga, In 등)를 섞어서 최외각전자가 7개인 물질을 만들었더니 이 물질에는 '정공'이라는 ... , 게르마늄 Ge에 5개의 전자를 가진 원소(Sb, As 등)를 섞어서 총 9개의 전자가 만나도록 했더니 이 물질에는 최대 최외각전자의 개수인 8개만 결합이 되고 1개의 전자가 남아 ... 전자의 개수가 비교적 모자라기 때문에 +전하를 띤다고 하여 P형 반도체 (Positive Semiconductor)라고 불리게 되었다.이와 유사한 방법으로 4개의 전자를 가진 실리콘 Si

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.12.10

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  일반 물리 실험 2 다이오드 1

  순수한 상태의 Si나 Ge는 진성반도체라고 불린다. 진성반도체는 전류를 잘 흐르게 하지 못한다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.04.10

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  2장 예비보고서

  경우는 0.7V, Ge의 경우는 0.3V, GaAs의 경우엔 1.2V 의 문턱전압을 가진다.1N4148 : 소 신호용 스위칭 다이오드. ... 반도체에 +전하가 들어가면서 중간에 전자가 접합부분을 통과하지 못하는 현상이 발생하는데 이 현상이 발생하는 구간을 공핍영역이라고 하며, 여기서 생긴 전위차를 문턱전압이라고 한다.Si의

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.10.07

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  일반 물리학 실험 및 실습 - 다이오드 I(Diode I)

  2 실험 이론실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)은 4족 원소로서 대표적인 반도체이다. 순수한 상태의 Si나 Ge는 진성반도체라고 불린다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.03.25 | 수정일 2018.04.02

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  2장 결과보고서

  문제점및애로사항이번 실험은 회로도 간단했고 장비조작에도 문제는 없었지만, Ge다이오드가 없었고 온도영향실험을 진행할 수 있는 여건이 되지않아 실험 중 몇몇 부분은 진행하지 못 하였다.DMM으로 ... 실험 내용 및 결과1.DMM의 다이오드 검사 기능을 이용하여 다이오드검사(실험에 사용하는 다이오드는 모두 Si다이오드인 1N4008을 사용)순방향 ? ... E-Vr)/Is=20/0=무한측정값과 계산값에 따라 KOhm 범위의 저항과 직렬 연결시 역방향 바이어스의 저항값이 무수히 크기 때문에 개방되어있는 회로라 봐도 무방하다.4.DC저항Si다이오드

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.10.07

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  3장 예비보고서

  Si의 경우는 0.7V, Ge의 경우는 0.3V, GaAs의 경우엔 1.2V 의 문턱전압을 진다.2) 양논리 AND 게이트그림 13-2(a)는 2개의 입력을 갖는 AND 게이트를 나타내었다

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.10.07

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  전자회로실험 - 다이오드의 특성 실험 (예비보고서)

  이 문턱전압은 Si다이오드의 경우는 0.7V, Ge 다이오드의 경우는 0.3V의 문턱전압을 갖는 것으로 알려져 있다.

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2018.01.01

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  연세대 창의설계 보고서

  III-V 화합물 반도체인 GaAs는 Ge(a=0.566)과 비슷한 격자상수로 Si(격자상수 a=0.543) substrate에서 성장시키면 약 4%의 lattice mismatch가 ... 이때 Si 기판의 표면 일부를 식각하는 것을 특징으로 한다. 즉 트렌치 내부에서 성장시키는 III-V 화합물 층은 Si 층이 노출되어야만 증착할 수 있다. ... 따라서 III-V 반도체는 Si 기판에 결정결함을 최소화 하며 성장 시킬 수 있어야 한다.GaAs를 Si substrate 위에서 성장 시킬 때 결정결함을 최소화하기 위해, 결정결합을

  시험자료 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.06.29

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  실험17 접합 다이오드의 특성

  p-n 접합 특성을 이용한 다이오드이며, Ge 다이오드란 고순도의 N형 게르마늄을 사용한 접촉형의 다이오드로서 Si 와 Ge 모두 최외각 전자가 4개이다. ... 반면에 역으로 전압을 걸때 누설전류(Leakage Current)는 Ge 다이오드가 많다. Si 다이오드는 단위가 pA~nA정도로 낮지만 Ge 다이오드는 uA정도이다. ... Si 다이오드와 Ge 다이오드 모두 반도체의 특성이 그렇듯이 P형 N형 반도체를 접합 또는 접촉시켜 만드는데, 두 다이오드의 차이점으로는 Si 다이오드의 일반적인 문턱전압은 약 0.7V이고

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.12.11

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  다이오드특성(결과)

  2.1043.5614.5615.1426.1537.1708.1859.214측정V _{D}0.59230.61450.63930.64900.65870.66430.67030.6713표 1-4 Ge ... 다이오드 특성(결과)---○ 실험 결과1kΩ 측정값 = 980Ω표 1-3 Si 다이오드의 V _{D`} 대 I _{D}측정V _{R} (V)0.10040.20440.30180.39930.5050.60560.80421.003I

  리포트 | 1페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.05.30 | 수정일 2016.11.26

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