"Ge, Si" 검색결과 221-240 / 1,193건

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  The Oxidation States of Tin

  , Ge, Sn, Pb C, Si, Ge 는 sp 3 오비탈을 가져 +4 의 산화수를 갖는다 Cost Return` 14 족 산화상태 전자가 승진하기 위해 필요한 에너지 는 결합 시 ... 방출되는 에너지 에 의해 덜 보상받는다 C, Si, Ge, Sn, Pb Pb 는 p 오비탈에 2 개 홀전자가 존재 +2 의 산화수를 갖는다 Cost Return` 14 족 산화상태 ... 전자가 승진하기 위해 필요한 에너지 와 결합 시 방출되는 에너지 가 유사하다 C, Si, Ge, Sn, Pb Sn 은 +2, +4 의 산화수를 갖는다 (+4 가 미세하게 유리 )

  리포트 | 25페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.11.23

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  전자회로 제너,실리콘 다이오드 특성 실험보고서

  표3에 나타난 식을 사용하여I _{D}를 계산한다.3.나머지V _{R}도 순서 2의 과정을 반복한다.4.Si다이오드를 Ge 다이오드로 바꾸고 표4를 완성한다.5.Si과 Ge 다이오드의I ... ) Si의 DC 저항 결정R _{DC} = {V _{D}} over {I _{D}} = {0.2} over {0.52} =2.67)Ge의 DC 저항 결정I _{D} (mA)V _{eqalign ... ) Si와 Ge의 역포화 전류 및 역방향 직류 저항값I _{D} (mA)V _{eqalign{D#}}R _{eqalign{DC#}}0.20.522.610.590.5950.670.134100.710.716

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.05.14

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  기초전기전자실험 보고서 - Semiconductor, OP-amp

  특성을 이용한다.(2) Ge 다이오드와 Si 다이오드의 각각의 특성 및 차이 비교Si 다이오드는 일반적으로 Ge 다이오드보다 더 높은 PIV(Peak Inverse Voltage)를 ... 그러나 Ge에 비교하여 Si이 불리한 점은 순방향 바이어스 전압이 통상적으로 Ge이0.2 SIM 0.3`` rm V인 데 비해서 Si은0.6 SIM 0.7`` rm V정도이므로 더 ... Si 다이오는 PIV 정격이1000`` rm V근처까지 가능하나, Ge 다이오드는 최대가400`` rm V정도이다.

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.09.04

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  반도체 재료적&전기적 성질에 대한 리포트입니다(재료공학과제)

  .- Silicon(Si)원료로 사용되는 실리콘(Si)은 지곡이 많이 함유되어 있는 원소이나, 순도 98.4~99%의 고순도실리콘의 원료인 공업용실리콘에 이용되는 양질의 규석(SiO2 ... 그리고 최우선적으로 금속 Ge의 다결정체를 제조하며, 존멜팅(Zonemelting)법으로 단결정체를 얻는다. ... , 경면연마, 실리콘웨이퍼, 디바이스메이커에 의해 디바이스프로세스를 거쳐 IC, LSI, 트랜지스터, Diode, 태양전지 등의 반도체소자로서 사용되고 있다.- Germanium(Ge

  리포트 | 34페이지 | 3,000원 | 등록일 2019.05.29 | 수정일 2020.11.02

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  국민대학교 신소재공학부 신소재기초실험1 반도체 에칭 실험 레포트

  반도체의 기본이 되는 원소들은 원자가 전자가 4개인 Si(규소), Ge(저마늄)을 주로 사용한다. ... .- P type: 순도가 높은 4가의 Ge(저마늄)이나 Si(실리콘)을 베이스로 하여 3가의 In(인듐), Ga(갈륨), B(붕소), Al(알루미늄)을 첨가하면 8개의 전자가 서로 ... 이 정공이 이동하면서 전류가 흐르게 되는 반도체 형태를 P형 반도체라고 한다.N type: 순도가 높은 4가의 Ge(저마늄)이나 Si(실리콘)을 베이스로 하여 5가의 P(인), Bi

  리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2018.09.30 | 수정일 2021.04.21

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  접합 다이오드 결과

  Ge다이오드에 순방향 바이어스 상태에서의 전압(V)에 따른 전류(mA)의 값이다.결론 및 토의실험결과 Si과 Ge다이오드에 순방향으로 전압을 가했을 때 어떠한 기점을 기준으로 전류의 ... Si다이오드의 경우 문턱전압 0.7V를 기준으로 흐르는 전류의 양이 급격하게 증가해야 하지만 전압전류 측정 실험값과 그래프를 통해서 알 수 있듯이 전류의 상승 폭이 예상했던 거와는 ... 게르마늄실리콘00.00100.10.02900.20.12600.30.2900.0010.40.5870.1030.50.8020.2860.60.9870.5540.71.3290.8890.81.6481.3822.역방향전압(V)전류(mA)게르마늄실리콘000-500-100.0010-150.0020-200.0030-250.0040-300.0050.001위의 그래프는 Si과

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.10.11 | 수정일 2017.10.27

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  다이오드

  "다이오드"에 대하여 설명하시오다이오드(diode)는 게르마늄(Ge)이나 규소(Si)로 만들어지고, 주로 한쪽 방향으로 전류가 흐르도록 제어하는 반도체 소자를 말한다. ... 오늘날의 대부분의 다이오드는 실리콘(Si)으로 만들어 지지만, 셀레늄(selenium)이나 게르마늄 등의 반도체 등을 사용하기도 한다.

  리포트 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2019.06.24

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  (전자회로실험)접합다이오드의 특성 결과보고서

  mA00000.10-500.20-1000.30-1500.40.027-200.0060.50.115-250.0530.60.322-300.1020.70.506-350.80.763-402) Ge ... Si 다이오드의 벌크 저항의 계산법은 다음과 같다.Si 다이오드에서는 먼저 장벽전압을 초과하는데 쓰이고 남은 전압 0.3V가 다이오드의 벌크저항에 걸린다. ... 전류 특성순방향 바이어스 전압이 0.7V 미만일 경우 Si 다이오드는 적은 전류가 흐른다.

  리포트 | 6페이지 | 1,800원 | 등록일 2019.09.08 | 수정일 2021.08.03

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  F6 리튬이차전지용 비탄소계 음극활 물질

  산화물결 가능용이한 가공성▷Ge계(Li4.4Ge0.67Si0.33/a-60Li2S40SiS2, Mg2Ge, etc.)Si 와 Sn의 중간적 성질고비용으로 인해 실용화 가능성 낮음금속 ... 고용량 출력을 위해 사용할 Precursor로 실리콘과 같이 높은 이론 용량을 구연하는 Si/Sn/Ge 중 선택6. ... 비탄소계 음극활 물질의 종류로는 금속복합계( Si계, Sn계, Ge계 등), 금속산화물계(Internal Action Type, Conversion Type 등) 등으로 구분 할 수

  리포트 | 14페이지 | 20,000원 | 등록일 2017.10.15

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  [전자회로실험3과 예비레포트]직렬 및 병렬 다이오드 구조

  Si, Ge 다이오드가 서로 병렬로 연결되어있을 때, 문턱 전압이 낮은 Ge 다이오드쪽으로만 전류가 흐르고 Si 다이오드 쪽으로는 전류가 흐르지 않는다.? ... Ge 다이오드가 전류 역방향으로 걸려있어서 전류가 흐르지 않는 개방회로로 보면된다.?병렬 회로에서 Ge는 없다고 생각하면 전류가 모두 Si에 흐르게 될 것이다.내용3.

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.06.10 | 수정일 2019.01.07

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  1장결과-다이오드 특성

  실험결과1) 다이오드 테스트① 다이오드 테스트 스케일테스트순방향 바이어스역방향 바이어스상태Si603mV0V정상Ge338mV0V정상② 저항 스케일테스트순방향 바이어스역방향 바이어스상태Si4.18kΩ0Ω정상Ge1.78kΩ0Ω정상2 ... Ge다이오드도 마찬가지로 0.3V일 때 Si과 같은 현상이 나타난다. ... =2mA일때 Ge다이오드의 AC저항: (계산치)r_d= 13.0mΩ6) 문턱전압VT (Si) = 0.59ＶVT (Ge) = 0.35Ｖ2.

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.05.30 | 수정일 2016.11.26

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  2장 다이오드특성 예비레포트

  Si 다이오드의 DC 저항을 다음 식으로 계산하라.다이오드 0.7V(Ge)에 비해서 0.3V(Si) 가 흐르므로 저항이 3/7배 더 적다.V= 100fV*0.42 / I= 52,67uA ... -Reverse Breakdown:PN junction에 큰 역방향 전압이 인가되면 갑자기 과도한 전류가 흐르는 Reverse Breakdown 현상이 발생한다.Ge diode / ... 다이오드 전류가 증가하여 특성곡선의 수직 상승영역으로 올라감에 따라서 Si에 대한 저항은 어떻게 변화하는가?전류가 상승할수록 옴의 법칙에 의하여 저항은 점점 줄어든다.5-a.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.06.20

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  2장결과_직렬 및 병렬 다이오드회로

  직렬구성에서 VO 는 R에 걸리는 전압을 KVL에 의해 공급된 전압 VS에서 Si다이오드에 걸린 전압을 빼는 것이고 병렬 구성에서는 Si와 Ge중 Ge의 VT가 낮아 가해준 전압에 ... 직렬구성의 마지막 네 번째 실험은 Ge다이오드와 Si다이오드를 함께 사용하였는데 함께 사용한다 하여도 입력전압이 5V이기 때문에 아무 상관없이 Ge다이오드에 0.3V가 걸리고 Si다이오드에 ... 실험결과1) 문턱 전압Si 다이오드 Vт=0.583V 이상적인 Si=0.7VGe 다이오드 Vт=0.319V 이상적인 Ge=0.3V2) 직렬구성(1) 다이오드 회로(1)계산치 VD =

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.05.30 | 수정일 2016.11.26

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  빅데이터의이해4공통) 다음을 설명하시오 데이터과학자 빅데이터기업 공공기관에서 빅데이터를 이용하여 얻은 최신 성과를 낸 국내외의 사례를 바탕으로 정리하시오

  소비 업종과 상품 판매 현황을 종합적으로 분석하여 지오비전(Geovision)이라는 상권 분석 및 타겟 마케팅지원 서비스를 개발하여 제공하고 있다.카드 등 금융사와 유통 업체, SI ... GE는 고객들에게 산업 생산성 향상으로 보다 더 스마트한 Factory를 구현할 수 있도록 자사의 IT 역량을 대폭 강화하기 위해 GE소프트웨어 루게릭병을 안고 살면서도 전 세계를 ... 회장의 말은 산업 인터넷을 캐치프레이즈로 데이터 분석의 힘을 통해 생산성 혁명의 원동력을 찾겠다는 GE의 야심을 상징적으로 압축한다.

  방송통신대 | 12페이지 | 9,700원 | 등록일 2017.09.26

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  전북대 반도체 센서 시험범위 정리 chapter1

  Ex) 온도센서, 광 센서, 압력센서, 가스센서구성재료 Ex) 반도체, 세라믹, 유기, 금속, 복합 재료반도체 재료 : 온도, 자기, 빛에 큰 영향 받기 쉬운 것대표적인 것 → Si ... , Ge, GaAs세라믹 재료 : 우수한 기능의 센서 재료Ex) 파인 세라믹유기 재료 : 전기 절연재료, 전자부품 유전체 재료로 연구Ex) 폴리프로필렌, 페놀수지금속 재료 : 종류가

  시험자료 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.07.06 | 수정일 2020.05.03

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  직렬 및 병렬 다이오드 구조

  이때 가해주는 최소 전압은 Si타입은 0.7V Ge 타입은 0.3V이다. ... 문턱 전압이론적인 문턱 전압은 Si 다이오드 = 0.7V, Ge 다이오드 = 0.3V 이다.2. ... Si의 경우는 0.7V, Ge의 경우는 0.3V, GaAs의 경우엔 1.2V 의 문턱전압을 진다.P형 반도체와 N형 반도체를 결합한 것으로, 정방향에는 작은 전압으로도 전류가 흐르지만

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.06.17

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  [결과보고서]실험2.다이오드 특성

  Si, Ge 다이오드의 Id-Vd 그래프(Si 다이오드) (Ge 다이오드)고찰 : 먼저 Si 다이오드를 살펴보면 0.68V에서 갑자기 증가하는 것을 볼 수 있다. ... 그리고 Ge 다이오드의 그래프를 보면 0.5V부터 갑자기 증가하는 것을 볼 수 있었으며, Ge 다이오드의 Knee Voltage는 0.5V로서 Si 다이오드의 Knee-Voltage의 ... 다이오드 전류가 증가함에 따라 Si과 Ge의 DC 저항에서 어떤 변화가 있는가?위 두 표에서 보면 다이오드의 전류가 증가할수록의 값이 감소한다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.15

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  계명대 다이오드1

  자유전자(과잉전자)가 사용되는 반도체이다. 4가 원소의 진성반도체인 Ge(게르마늄), Si(실리콘)에, 미량의 5가 원소인 P(인), As(비소), Sb(안티몬) 등의 불순물을 첨가 ... 반도체의 전기적 특성을 변화시켜 전도도를 크게 할 수 있다.2. p형 및 n형 반도체의 차이를 설명하라.P형 반도체 : P형반도체란 전하를 옮기는 운반자로써 정공이 사용되는 반도체이다.Si ... (실리콘), Ge(게르마늄) 등의 결정 중 붕소, Ga(갈륨), In(인듐) 같은 원자가가 3가인 원소를 정당히 가한 불순물 반도체이다.N형 반도체 : N형반도체란 전하를 옮기는 운반자로써

  리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.10.31

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  [기초회로실험] 22장. 다이오드의 특성 결과레포트

  순방향 Si 다이오드 사진3. 역방향 Si 다이오드(전압-전류풀샷)사진2. 역방향 Ge 다이오드3. ... V/I 로서 동저항을 구할 수 있다.(4) Si 및 Ge 다이오드의 차이점을 표 22-1, 22-2로부터 고찰하여 기술하여라.표와 그래프로 나타낸 Si 및 Ge 다이오드의 가장 큰 ... Si는 문턱전압이 0.6V인 반면에 Ge는 이보다 다소 낮은 0.2V인 것을 확인할 수 있다.

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.01.16 | 수정일 2022.10.09

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  반도체 기본

  -Ge(32) 궤도가 커서 전자 이탈용이, Ge Diode는 0.4V이상 Si(14) 0,6~0.8v이상블루다이오드의 제조법(발광다이오드) 백색광 다이오드 노란 LED제조법(백라이트 ... Diode가 Si Diode 보다 낮은 전압에서 도통하는가? ... 흡수하여 그에 해당된 높은 에너지 준위에 올라가지만 에너지의 일부가 실질적으로 발생되는 형광은 여기광 여기광 보다는 낮은 에너지를 갖는 즉 파장이 길어진 형태의 전자파가 된다.왜 Ge

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2018.05.24 | 수정일 2018.08.22

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