"Ge, Si" 검색결과 421-440 / 1,193건

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  디지털 전자회로 정리

  ), 게르마늄(Ge)② 다결정 : 단결정의 조각들이 많이 모여있는 구조.ex) 구리(Cu)③ 자유전자 : 전자 중에서 원자핵의 인력에 의한 구속을 떠나 자유롭게 이동할 수 있는 것.④ ... 1개씩 비교하면 양서자 수는 같지만, 핵자의 총수로 나타내는 질량수가 다른 원소[3] 자유전자① 단결정 : 다수의 원자가 규칙적인 그물 눈금(격자)모양으로 배열된 결정.ex) 실리콘(Si

  시험자료 | 52페이지 | 2,500원 | 등록일 2017.11.17

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  [광통신]광통신 공학 실습

  □ 1 주차 Ge, si 다이오드의 특성다이오드는 재질에 따라 전위장벽(문턱전압)이 다릅니다.물론 전류량에 따라 전압이 다르지만 보통 SI는 0.7V정도이고, Ge 는 0.2~0.3V정도 ... 따라서 두 다이오드를 병렬로 연결하면 대부분 전류는 Ge DIODE를 통해서 흐르게 됩니다. ... 다만 Ge 다이오드의 경우 내부저항이 높기 때문에 정류용으로는 거의 만들지 않고 대부분 검파용.※ P형 반도체는 +, 즉 정공이 많은 반도체이지만, 물체의 극성으로 따지자면, 중성.한마디로

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.01.13

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  다이오드 특성 실험2 결과레포트

  0) 순방향 바잉어스 다이오드 특성그림 2-5에 Si과 Ge 다이오드의 순방향 바이어스 특성을 그리기 위해서는 충분한 데이터가 필요하다.z. ... Si 다이오드를 Ge 다이오드로 바꾸고 표 2.4를 완성하라.표 2.4Ge 다이오드의대0.10.20.30.40.50.60.70.80.90.120.1860.270.3140.3360.3780.4070.4420.4560.10.20.30.40.50.60.70.80.9123456789100.4760.4910.5230.5580.5920.6150.630.6420.6510.66212345678910d ... 표 2.3에 나타난 식을 사용하여를 계산하라.표 2.3Si 다이오드의대0.10.20.30.40.50.60.70.80.90.4940.5260.540.5590.5680.5780.5850.5940.60.10.20.30.40.50.60.70.80.9123456789100.6030.6410.6640.6770.6900.70.7050.7110.7150

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.10

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  전자전기실험-MOSFET

  반도체의 동작 원리 : 물질에 전류를 흐르게 하는 것 = 전하를 나르는 일 (Carrier= erectron , hole ) 반도체의 주 재료 : Si( 실리콘 , 비소 ), Ge ... ( 게르마늄 ) - 4 족원소 Si 와 Ge 의 순수결합물 ( 진성반도체 (intrinsic semiconductor)) 은 평소에 공유결합 으로 매우 안정적인 상태 Intrinsic

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.11.09

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  광전자

  대표적인 예로 4가인 Si, Ge에 5가 인 P, As, Sb를 도핑 시켜 준다.ⓒ p-type doping- 4가운소에 3가원소를 도핑하면 공유결합에서 정공이 하나 부족한다. ... 대표적인 예로 4가인 Si, Ge에 3가인 B, Ga, In을 도핑 시켜 준다.②물질에 의한 빛의 흡수, 발광현상-빛의 흡수현상이란 에너지가 hv인 빛을 물질이 흡수한다는 것은 그 ... 따라서 인접한 Si 원 자가 이온화 되어서 정공을 위해서 공유결합 을 한다.

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.07.17

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  불순물확산_기본

  왜냐하면 보통의 semiconductor device에 사용되는 material인 Si ,Ge 에서는 vacancy와 interstitial과 같은 defect로 인한 영향을 무시할 ... 라고 할 때, 에 가장 가까이 있는 Si atom이 vacancy로 jump하면서 가 이동하게 된다. ... 결국, Si atom과 의 자리가 서로 바뀌는 것이다.검게 칠해진 원자가 불순물이고, 비어있는 것은 Vacancy이다.

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.06.27

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  2. 다이오드의 특성 결과레포트

  Si과 Ge 다이오드의 결과값를 비교하면 어떤가?☞ Si의값이 훨씬 더 작다.e. Si과 Ge 다이오드의 DC 저항을 다음 식으로 계산하라. ... Si 다이오드를 Ge 다이오드로 바꾸고 표 2.4를 완성하라.표 2.4Ge 다이오드의대(V)0.10.20.30.40.50.60.70.8(V)0.160.1930.2190.2390.2550.2720.2870.301 ... 순방향 바이어스의 다이오드 특성곡선그림 2-5에 Si과 Ge 다이오드의 순방향 특성곡선을 그리기 위해서 충분한 데이터를 이 실험에서 얻고자 한다.a.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.09.18

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  MOS트랜지스터와 최적의 재료 탐색_전자재료물성론

  후보반도체물질 Si, Ge, Ga, As, ImP 의 장단점 조사.원소기호Si원자번호14원자량28.0855녹는점1414℃끓는점2335℃비중2.33(18℃)1-1. ... Si규소(Si)규소는 지하 매장량이 산소 다음으로 두 번째 순위에 해당할 정도로 매우 높으며 이는 실리콘에서 높은 함량을 보여준다.실리콘 반도체라는 것은 반도체 소자들 중에서 실리콘을 ... Ge게르마늄(germanuim)온도나 빛에 의해 크게 영향을 받는다.게르마늄은 반도체의 역방향, 순방향 전자, 전공 흐름에 있어서는 반응성이 매우 작아서 순도가 높기에 진성반도체로

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.05.27

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  클리핑 회로 (결과 레포트)

  문턱 전압DMM 혹은 곡선 추적기의 다이오드 검사기능을 이용하여 Si 다이오드와 Ge 다이오드에 대한 문턱전압을 결정하라. ... 만약 다이오드 측정 능력 혹은 곡선 추적기를 이용 할 수 없다면, Si 다이오드에 대해=0.7V, Ge 다이오드에 대해 0.3V로 가정하라. ... -(Si) = 0.527V-(Ge) = 0.255VPart2. 병렬 클리퍼a. 그림 5-1의 클리핑 회로를 구성하라. 측정된 저항치와 D셀의 전압을 기록하라.

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.24

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  다이오드의 특성

  부품→ 저항 : 1kΩ(1개), 1MΩ(1개)→ 다이오드 : Si(1개), Ge(1개)3. 공급기 : 직류전원 공급기2. 다이오드(Diode)란? ... 반도체의 재료에는 Si, Ge, Se 등이 있고, 다이오드는 전원장치에서 교류전류를 직류전류로 바꾸는 정류기의 용도로 쓰인다.다이오드 기호의 의미는 (Anode) (Cathode)로

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.20

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  반도체 웨이퍼 전기적 특성 실험 보고서

  , Ge)(결정질)배위수 : 4네개의 사면체FCC 구조..PAGE:5반도체의 종류설계 이론진성 반도체(Intrinsic Semiconductor): 불순물이 첨가되지 않은 순수한 반도체외인성 ... ..PAGE:1전기적 특성 실험(Hall effect)..PAGE:2목차설계 목적설계 이론설계 방법설계 결과결론 및 고찰..PAGE:3설계 목적n형 반도체 Si웨이퍼(단결정) 에 대한 ... 750℃, 1000℃) 에 따른 열처리 및 어닐링 후의 전자기적 특성을 비교 분석 해 본다...PAGE:4설계 이론반도체 결정구조다이몬드 구조(zinc-blende)반도체 원소 : (Si

  리포트 | 23페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.07.21

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  2. 다이오드 특성

  실험소요장비DMM, 저항(1kΩ, 1MΩ), Si 다이오드, Ge 다이오드, 직류전원3. 관련이론(1) 다이오드의 특성+방향은 순방향전압이고, -방향은 역방향 전압이다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.11.16

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  태양광 발전의 개요 및 전기적 특성

  /GaAs/Ge 등따라서 암(dark) 상태의 태양전지는 넓은 pn접합의 면적을 갖는 다이오드의 전압-전류 특성과 유사하다.일반 Si 다이오드의 특성곡선에서 순방향 문턱전압(threshold ... ,GaAlAs/Si,InP/Si 등화합물/화합물 계열GaAs/InP,GaAlAs/GaAs,GaAs/CulnSe2 등2. ... 실리콘, Ge(저온용)GaAs 계열GaAs/GaAs, GaAs/Ge, InP 등적층형(Tendem)GaAs/Ge, GalnP/GaAs, GaAs/GaAs,GalnAs/InP, GalnAs

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.06

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  퀀텀닷(Quantum Dot•양자점,QLED) 디스플레이 이해 (퀀텀닷,퀀텀,QLED,양자점,)

  대표적인 양자점 소재에는 CdSe·ZnSe 등 II-VI족, InAs·InP 등 III-V족, Ge·Si 등 IV족 원소의 나노입자 등이 있다.

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.11.16

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  [캡스톤디자인] 아두이노 로봇을 활용하여 물체운반로봇 만들기. 모터동작, 적외선센서, 초음파센서 동작 포함

  또한 광기전력 센서는 외부에 전압을가하지 않아도 사용 할 수 있다.재 료 명에너지갭[eV]반응파장[um]GaAs1.40.89Si1.121.1Ge0.681.82InAs0.294.2InSb0.215.9Hg ... 많이 사용되며 현대 의학기술에서 의료용으로도 자주사용이 된다.센서의 종류동작온도[℉]피크파장[mum]D˚[500K][10^10Hz^{{1}over{2}}/W]내부저항[Ω]응답시간Ge

  리포트 | 30페이지 | 5,000원 | 등록일 2014.12.23

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  X선 분광법의 모든것 흡수법, 발광법, 회절 등등

  Si(Li) X-ray Detector2-1. Detector현재 EDAX는 Si(Li) detector가 널리 사용되어 지고 있으며 이는 20keV 범위까지 검출이 가능합니다. ... (Li) 또는 Ge 반도체 소자가 가장 널리 이용되고 있습니다.EDAX는 WDS에 비하여 peak의 분해능 과 정량분석시의 정밀도 떨어지는 단점이 있으나 조작이 매우 간단하여 초보자도 ... 파장과 양을 측정하여 정성분석과 정량분석을 하는 Wave Length Dispersive X-ray Spectroscopy (WDS)가 있습니다.EDAX는 X-ray 검출에 주로 Si

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.06.29

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  직렬 및 병렬 다이오드 구조

  만약 다이오드 검사 기능 또는 커브 트레이서를 이용할 수 없다면 Si에 대해서, Ge에 대해서로 가정하라.=> 커브트레이서를 이용할 수 없으므로 Si은, Ge은로 가정그림 3-2 Si와 ... 순서 1에서 측정한 Si과 Ge 다이오드의 문턱전압을 이용하여와의 이론적인 값을 계산하라. ... 문턱 전압Si과 Ge 두 다이오드에 대해서 DMM의 다이오드 검사 기능 또는 커브 트레이서(curve tracer)를 사용하여 문턱 전압을 측정하라.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.10.05

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  결과보고서 - Hall Effect

  대표적인 반도체로서 주기율표에서 14족에 위치하는 게르마늄(Ge), 실리콘(Si) 등이 있다.순수한 반도체는 14족 원소로 모든 전자가 공유결합을 이룬다.

  리포트 | 24페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.07.04 | 수정일 2016.10.30

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  [형설출판사] 일반물리학실험 - 기초회로

  반면에 반도체를 이용한 다이오드나 트랜지스터의 경우에는 옴의 법칙이 성립되지 않고 전기저항은 걸린 전압의 방향이나 크기에 따라 달라진다.다이오드 특성IV족 원소인 실리콘(Si)나 저마늄 ... (Ge)은 이들이 결정상태를 이루고 있을 때 각 원자가 가지고 있는 4개의 원자가 전자들이 이웃하는 4개의 다른 원자와 강한 공유 결합을 형성하고 이들에 속박되어 아주 큰 저항을 가지고

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.01.05 | 수정일 2017.01.31

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  클리핑회로 클램핑회로ppt

  실험장비 - 오실로스코프 ,DMM, 함수발생기 - 저항 2 ㏀ - 다이오드 Si , Ge클리퍼란 ? ... ◈실험장비 및 재료 오실로스코프 DMM 함수발생기 저항 100 Ω 1 ㏀ 100 ㏀ Si 다이오드 커패시터 1 ㎌ 1.5-V D cell 과 홀더클램퍼 (Clamper) 란 ?

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.28

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