"Ge, Si" 검색결과 141-160 / 1,192건

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  Transistor의 원리, 관찰 실험

  Si 소재의 transistor는 Ge보다 온도 특성이 좋기 때문에 널리 사용되고 있다.3. ... LC는 Ge인 경우에 수 micro Ampere이며, Si인 경우에는 수 nano Ampere로 온도가 올라갈수록 LC도 증가한다.?

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.16

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  고체 전자공학 졸업시험 족보(2020)

  항복다이오드에서 동일 분순물농도에서 Ge이 Si 보다 Vbr이 작은 이유는?→ Eg이 작기때문21.

  시험자료 | 3페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.10.21

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  전기전자공학실험-클리퍼 & 클램퍼 회로

  PSpice를 이용하여 클램퍼 회로의 시간 영역 해석을 수행한다.실험 소요 장비클리퍼1)계측기 : 오실로스코프, DMM2)부품 : 저항(2.2Ω)3)다이오드 : Si, Ge4)전원 ... : 1.5V 건전지, 함수발생기클램퍼1)계측기 : 오실로스코프, DMM2) 부품 : 저항(100Ω,1kΩ,100KΩ),3)다이오드 : Si4)커패시터 : 1 μF5)전원 : 1.5V

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14

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  반도체공정 Report-1

  silicon compound(Si-H, Si-D etc.)와 반응하여, donor 형태의 interface state와 positive fixed charge를 생성하는 현상이다 ... PCRAMPCRAM device는 chalcogenide glass(가장 일반적으로 사용되는 화합물은 Ge2Sb2Te5 의 amorphous와 crystalline 상태 간의 저항 ... NBTI는 전기-화학적 반응에 의해서 제어되는 것으로 보고되어 있으며, P-MOSFET channel의 정공이 silicon/silicon oxide(Si/SiO2) interface에서

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.04.11

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  [전기전자실험]다이오드&연산증폭기 실험보고서

  결론 및 고찰⑴결론①다이오드 특성 실험Si Diode와 Ge Diode 각각의 역방향에 대한 모든 값들이 0임을 확인할 수 있는데, 이는 다이오드에 있어서 전류가 거의 흐르지 않는 ... Diode에서보다 Si Diode에서 더 크게 증가한다는 것을 실험값을 통해 확인 할 수 있다. ... 전압을 공급함으로써 전자와 정공이 각각 단자 쪽으로 끌어당겨져 공핍층이 확장되어 전류는 거의 흐르지 않게 된다는 이론과 일치하는 것을 알 수 있다.전압의 변화에 따른 전류의 증가가 Ge

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.12.17 | 수정일 2023.11.27

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  SK 하이닉스 최종합격 자소서 2022 상반기 (서합4번,최합)

  ‘광전자 재료 실험실’에서 1년간 학부 연구생으로 활동하며 미래 Si의 3차원 CMOS기술의 후보기술인 Ge TFT를 위한 저온 결정법으로 MIC 와 SIC를 비교 실험 진행하였습니다 ... Ni를 sputtering 한 Ge를 wet etching과 thermal annealing을 진행한 후 Raman과 XPS분석을 진행했습니다. ... 그 결과, SIC와 MIC 방식이 유사한 결정화도를 보여주지만, SIC 방식이 Ge의 grain 사이즈가 더 크며 MIC 대비 금속 오염이 적어 MIC 방식을 대체할 저온 결정화도

  자기소개서 | 8페이지 | 5,000원 | 등록일 2022.10.15 | 수정일 2023.02.05

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  [무기화학실험] The Oxidation States of Tin 주석의 산화상태 - 이론보고서

  원자량은 118.71, 전기음성도는 1.8, 녹는점과 끓는점은 각각 505.1K, 2543K이며 +2와 +4의 산화상태를 갖는다.2) 14족 원소주석과 같은 14족 원소로는 C, Si ... , Ge, Pb가 있다.이들은 모두 ns2 np2 최외각 전자배치를 가지며 p 궤도함수에 존재하는 홀전자로 두 개의 공유결합을 형성할 수 있다.s 궤도함수에 있는 두 전자는 p 궤도함수에 ... , Ge의합 시 방출되는 에너지) 이므로 sp3 혼성 궤도함수를 형성하여 4개의 결합을 형성한다, 즉 Ⅳ 산화상태를 선호한다.크기가 큰 Pb의 경우, (승진과 혼성 시 필요한 에너지

  리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.03.20

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  전기전자공학실험-다이오드의 특성

  DMM저항 - 1KΩ, 1MΩ다이오드 - Si, Ge전원 -직류전원1. 이론 개요다이오드의 동작 상태를 파악하기 위해서 대부분의 디지털 멀티미터를 사용할 수 있다.

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14

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  단면계산 자동프로그램

  C)2.33E-06게르마늄Ge5.323(25。 ... -33.214E-06카드뮴Cd8.650.00865칼륨K0.860.00086칼슘Ca1.550.00155금Au19.320.01932은Ag10491.049크롬Cr7.190.00719규소Si2.33

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.02.28 | 수정일 2022.05.09

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  계명대 (일반 물리 및 실험) 다이오드2 보고서 A+

  .• P형 반도체는 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)와 같은 순수한 상태의 진성반도체에 불순물 미량의 3가원소(붕소, 알루미늄)을 첨가해 만들어진 것으로 전하를 옮기는 캐리어로 정공 ... 즉 전자가 부족한 것이다.• N형 반도체는 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)와 같은 순수한 상태의 진성반도체에 불순물 미량의 5가원소(인, 비소)을 첨가해 만들어진 것으로 전하를 옮기는

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.03.14

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  [컴퓨터로 하는 물리학 실험 (북스힐)] 13. 다이오드 1 결과보고서 (A+)

  (실리콘), Ge(게르마늄) 등의 결정 중 붕소, Ga(갈륨), In(인듐) 같은 원자가가 3가인 원소를 정당히 가한 불순물 반도체이다. ... 통하며 전기저항이 작아지는데, 이것이 바로 광전효과이다.2. p형 및 n형 반도체의 차이를 설명하라.P형 반도체 : P형반도체란 전하를 옮기는 운반자로써 정공이 사용되는 반도체이다.Si

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.12.31

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  실험4. 반파 및 전파 정류

  이렇게 편차가 크게 난 데에는 여러 이유가 있겠지만, 기본적으로 Si와 Ge 다이오드의 문턱전압 측정값이 실제 이론상의 문턱 전압 값과의 오차가 작지 않아서 생긴 편차로 볼 수 있다.이후

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.10.01

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  투명전극 결과보고서 [A+ 레포트]

  Ge(게르마늄)이나?Si(실리콘) 등의 원자에 5가의?As(비소)나?Sb(안티몬)을 극히 소량을 섞으면 5개의 외각?전자 중 4개는?Ge,?Si의 가전자와?

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.06.01

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  광운대학교 반도체 공정1 조()()교수님 레포트과제

  또한 붕소가 도핑된 SI-Ge gate electrode를 사용해야한다. ... Si와 SiGe의 교대층을 이용하여 다.

  리포트 | 63페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.12.21

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  A+ 광통신 - 13. PIN 포토다이오드와 APD

  기본적으로 선형 소자임※ PIN PD 재료별 주요 특성구분주요 파장 범위[㎛]최대 양자효율최대 응답도[A/W]역전압[V]Si0.8 ~ 0.9약 0.80.55 ~ 100Ge0.5 ~ ... Si APD의 대표적인 분광 응답도 특성은 아래 그림과 같다.

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.02.05

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  A+ 광통신 - 7. Optical Fiber(광섬유)의 종류와 모드

  분류하면 석영, 다성분 유리, plastic, plastic clad fiber, plastic fiber로 나누어진다.종류성분융점(CENTIGRADE)손실[dB/km]석영석영, Ge ... 수평 광선 : 근거리, 고굴절률 영역(1) NA = a 와TRIANGLE에 의해 결정(2) GRIN = 광섬유 축으로부터 멀어질수록 감소(3) SI = 균일(4) 수광각 = 광섬유 ... 축으로부터 멀어질수록 감소(5) 결합 효율 비교 = 코어 크기가 같고 동일한TRIANGLE일 때, SI > GRIN- Parabolic profile의 경우※ 광섬유 N축으로 부터의

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.02.05

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  전자회로실험 제11판 예비보고서 실험5(클리퍼 회로)

  만약 다이오드 점검 기능 또는 커브 트레이서를 사용할 수 없다면 Si에 대해서는 Vt= 0.7V, Ge에 대해서는 Vt= 0.3 V로 가정하라.2. 병렬 클리퍼a. ... 문턱 전압DMM의 다이오드 점검 기능 또는 커브 트레이서를 사용하여 Si과 Ge 다이오드의 문턱 전압을 결정하라. 아래에 기록할 때 반올림하여 소수 둘째 자리까지 표시하라.

  리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.03.19

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  재료과학의 이해와 응용 2장

  Ge: △EN=0이므로, 이온결합은 아니다. Ge는 강한 전기양전성(electropositive)도 전기 음전성도 아니나,=4이므로 공유결합일 것이다.? ... SiC: △EN=EN(C)-EN(Si)=2.55-1.90=0.65, 이는 단지 약 10% 이온결합에 해당하므로, 최외각전자수를 고려해야 한다.

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.04.29

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  1주차 예비보고서- 반도체 다이오드, 제너 다이오드

  일반 Si다이오드의 항복전압은 약 100V, Ge다이오드는 60V가 넘지만 제너 다이오드는 10V 정도가 되기도 한다(도핑에 따라 다름). ... 구동전압을 비교해보면 Si다이오드는 약 0.7V이고, Ge다이오드란 순방향 바이어스에선 일반 다이오드와 같은 특성을 갖지만, 역방향 바이어스에서 낮은 항복전압을 가져 Breakdown

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.01.02 | 수정일 2020.09.21

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  모두를 위한 물리학 요약

  *반도체 물질원소 반도체 ; 최외각 전자가 4개인 원소(Si, Ge)+특정 불순물 -> 화합물 반도체 : 최외각 전자가 3개와 5개인 원소의 화학(GaAs)-공유결합에서 최외각 전자가

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.12.18

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