"계산시뮬레이션" 검색결과 21-40 / 5,939건

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  [A+][예비보고서] 중앙대 전자회로설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정

  설계실습 계획서3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산 (A) Data Sheet를 이용하여 VT, kn을 구하여라. ... (VDS=5V를 이용하여 측정) 참고: [Current Marker: Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→ DC Sweep, Sweep variable→ ... (OrCAD PSPICE)(A) OrCAD를 이용하여 그림 1의 회로도를 설계하여라. (2N7000/FAI 이용)(B) PSPICE를 이용하여 iD-vGS특성곡선을 시뮬레이션 하여라

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.04.08

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  [에리카 A+ 전기기기] 실습1. 다이오드 정류회로

  결과 값이다.우리가 시뮬레이션에서 사용할 V2는 18.675[V] 이다. 18.675[V]로 위 공식에 대입해 계산한다면, I2 = 1.8675[A] 가 나온다.정리하자면, Vo에 ... (이는 앞서 이야기하였듯이, 권선비를 18.675:1 로 수정 시 시뮬레이션 결과, < Vo >는 15[V]가 될 것이다.)I2의 값을 구한다면,이는 역시나, V2를 18[V]로 계산한 ... 시뮬레이션 블록도 of 예제 문제< 시뮬레이션 블록도 of 예제 문제 >3.

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.04.09 | 수정일 2020.08.26

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  [에리카 A+ 전기기기] 실습4. 단상 하프브릿지 인버터 제어

  이론적 계산을 통한 예측 값 of 문제v _{f} = {V _{DC}} over {2} m _{a} sin`wtm _{a} = {기준파의`진폭} over {반송파의`진폭}V _{DC ... 시뮬레이션 블록도 of 문제< 시뮬레이션 블록도 of 문제 @ Sine = 0.6 >< 시뮬레이션 블록도 of 예제 문제 @ Sine 0.797524 >< 시뮬레이션 블록도 of 예제 ... 시뮬레이션 파형 of 예제 문제Vmax = 23.8832 [V]< 시뮬레이션 파형 of 문제 @ Sine = 0.6 >Vmax = 30.124 [V]< 시뮬레이션 파형 of 문제 @

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.04.09 | 수정일 2020.08.26

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  [A+] 전자회로설계실습 4차 예비보고서

  설계실습 계획서3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산(A) Data Sheet를 이용하여 VT, kn을 구하여라. ... 이용하여 iD-vGS특성곡선을 시뮬레이션 하여라. ... (OrCAD PSPICE)(A) OrCAD를 이용하여 그림 1의 회로도를 설계하여라.(2N7000/FAI 이용 및 RD는 Short시켜 시뮬레이션 진행 이용)(B) PSPICE를

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.06.21 | 수정일 2023.06.23

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  [중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 예비보고서4 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)

  설계실습 계획서2.1 MOSFET의 특성 parameter 계산(A) Data Sheet를 이용하여V _{T} `,`k _{n}을 구하여라. ... (E) PSPICE를 이용하여i _{D`} -v _{GS} 특성곡선을 제출하여라.참고 : [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅 : ① Analysis ... 값을 이용해g _{m} =k _{n} V _{OV} =0.231A/V ^{2} TIMES 0.6V` APPROX 0.139S 임을 구할 수 있다.2.2 MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.08.28

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  실습4.MOSFET의 특성측정-에이쁠-예비보고서

  3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산(A) Data Shet를 이용하여 VT, kn을 구하여라. ... 직접 연결시켰다.그 다음 시뮬레이션을 돌려 iD-vDS특성을 확인했는데, vDS가 vOV와 같아지는 순간부터 전류iD가 증가하지 않음을 잘 확인했다. ... 이 값을 gm의 식에 대입시켜 gm또한 구해준다. gm=kn*VoV=0.2299*0.6=0.1379A/V3.2 MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 (OrCAD PSPICE)(A)

  시험자료 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.09.04

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  전자회로설계실습 4 예비보고서 MOSFET 소자 특성 측정

  설계실습 계획서3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산(A) Data Sheet를 이용하여V _{T``} ,```k _{n}을 구하여라. ... (VDS=5V를 이용하여 측정)참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→DC Sweep, Sweep variable→Voltage ... 회로도를 설계하여라.(2N7000/FAI 이용, VG와 MOSFET 게이트 연결 시 점퍼 와이어 대신 1KΩ 이하 저항 사용 가능)(B) PSPICE를 이용하여 iD-vGS특성곡선을 시뮬레이션

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.29 | 수정일 2022.03.31

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  [에리카 A+ 전기기기] 실습2. Buck 컨버터의 회로 구성 및 동작

  이 중 올라갈 때를 계산해서 (delta)IL값을 구하였다. ... 시뮬레이션 블록도 of 예제 문제< 시뮬레이션 블록도 of 예제 문제 >3. ... 이론적 계산을 통한 예측 값 of 예제 문제V _{i} =100`[V],`f _{s} =`100`k[Hz],`D`=`0.6#R`=`10`[ohm],`L`=`50`[uH],`C`=`100

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.04.09 | 수정일 2020.08.26

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  [에리카 A+ 전기기기] 실습3. Boost 컨버터 설계

  이론적 계산을 통한 예측 값 of 문제Boost`Converter,`V _{out} =400`[V],`f _{s} =`50`k[Hz],`D`=`0.55#R`=`10`[ohm],`L` ... 시뮬레이션 블록도 of 문제< 시뮬레이션 블록도 of 예제 문제 >3. ... 108.305 [A]IL,min = 68.7071 [A]출력 전압 리플 (Vo)=0.2183 [A]< 시뮬레이션 파형 of 문제 >4.

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.04.09 | 수정일 2020.08.26

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  레포트 - 엑셀을 활용한 비즈니스 모델을 분석하시오

  정확하고 효과적인 수치 계산과 추세 분석을 통해 비즈니스 모델의 성과와 동향을 명확하게 파악할 수 있다.3) 시뮬레이션 및 예측시뮬레이션 및 예측은 비즈니스 모델 분석에서 매우 중요한 ... 시나리오 관리 기능을 활용하여 시뮬레이션을 수행할 때, 다양한 가정과 조건을 설정할 수 있다. ... 엑셀의 시나리오 관리 기능을 활용하여 다양한 시나리오에 따른 결과를 시뮬레이션하고 예측할 수 있다.

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.08.16

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  [중앙대 전자회로설계실습 4 예비보고서] MOSFET 소자 특성 측정

  4개Breadboard (빵판) : 1개점퍼 와이어 키트 : 1개MOSFET : 2N7000 : 1개저항 1 KΩ 1/2W (점퍼선 대채 가능) : 1개3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산 ... 가 1V 보다 작으므로 Triode 영역의 근사식을 이용하면 이다.일 때 이다.3.2 MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 (OrCAD PSPICE)(A) OrCAD를 이용하여 그림 ... 참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type→DC Sweep, Sweep variable→Voltage source→VDC

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.08.09

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  MOSFET 소자 특성 측정 예비보고서

  실계실습 계획서3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산(A) Data Sheet를 이용하여 VT, kn을 구하여라. ... -V _{t} /V _{DS(ON)}#g _{m} =k _{n} (V _{GS} -V _{t} )`를 이용하자.Vt = 2.15V 이므로 Kn은 0.45V 이다.gm을 공식에서 계산해보면 ... 75`mA,`V _{GS} =4.5V,`V _{t`} =2.15V)#g _{m} =k _{n} (V _{GS} -V _{t} )=0.9984V`3.2 MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.06.18

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  전회실험5 결보

  실험 결과와 시뮬레이션에 대한 비교 및 오차율 계산1) 1차 저역 통과 필터f시뮬레이션측정값상대오차(%)100Hz0.99710.301200Hz0.9920.9900.202500Hz0.9540.9510.3141kHz0.8460.8450.1182kHz0.6520.6570.7675kHz0.3560.3433.65210kHz0.1970.1865.584f시뮬레이션실험결과100Hz200Hz500Hz1kHz2kHZ5kHz10kHz실험 ... 결과와 시뮬레이션 결과를 비교할 때 전압이득을 이용해서 비교했다. ... 결과와 시뮬레이션 결과를 비교할 때 전압이득을 이용해서 비교했다.

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.26

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  외팔보 진동 측정과 분석 실험

  오차계산 및 고찰이론실험 (상대오차)시뮬레이션 (상대오차)1차 고유진동수(Hz)44.0140.625 (7.69)42.57 (3.27)2차 고유진동수(Hz)275.87250 (9.38 ... 컴퓨터 시뮬레이션 (Ansys 이용)1) 시뮬레이션 과정① 카티아를 이용해서 외팔보(b TIMES h TIMES l=35 TIMES 3.5 TIMES 260`[mm]) 설계 후 stb파일로 ... )266.44 (3.42)3차 고유진동수(Hz)772.54712.5 (7.78)417.18 (46)주파수 분석실험과 컴퓨터 시뮬레이션을 통해서 외팔보의 고유진동수를 알아보았다.

  리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2020.11.08 | 수정일 2024.01.06

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  졸업작품 제작발표(UV-C LED를 이용한 신발 살균기)

  구동 시뮬레이션 살균 계산 살균부 설계 수행 현황 향후 계획 기대 효과 및 활용 방안 5. 향후 일정 1. ... 살균부 | Relux 프로그램 시뮬레이션을 통한 설계 근거 270mm 150mm 150mm 40

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.04.12

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  [A+]중앙대 전자회로설계실습 예비보고서 설계실습4. MOSFET 소자 특성 측정

  설계실습 계획서3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산(A) Data Sheet를 이용하여 VT, kn을 구하여라. ... (VDS=5V를 이용하여 측정)참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type->DC Sweep, Sweep variable-> ... OrCAD PSPICE)(A) OrCAD를 이용하여 그림 1의 회로도를 설계하여라.(2N7000/FAI 이용, 1k 저항 사용)(B) PSPICE를 이용하여 iD-vGS특성곡선을 시뮬레이션

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.12.24 | 수정일 2022.01.10

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  [A+] 중앙대 전자회로설계실습 예비보고서 4주차 MOSFET 소자 특성 측정

  설계실습 계획서3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산(A) Data Sheet를 이용하여 VT, kn을 구하여라. ... 그 값을 사용하는 것이 가장 정확하나, Data Sheet(2N7000)을 참고하여 적절한 조건의V` _{DS(ON)`}이나R _{D`(ON`)`}을 선정하여k` _{n} `을 계산하면 ... (VDS=5V를 이용하여 측정)참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type->DC Sweep, Sweep variable->

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.07 | 수정일 2021.04.16

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  전회실험7 결보

  실험 결과와 시뮬레이션에 대한 비교 및 오차율 계산-Class-A Output Stage 검증·DC Bias(피스파이스)node전압node전압node전압Q1의 전류A-40.81mVC4.939VE ... 시뮬레이션과 측정한 결과도 Class-A에 비해 크게 전류가 작았고 이것은 전력소모도 작다는 것을 의미한다. ... 입력전압이 증가할수록 오실로스코프의 측정값이 안정되어 피스파이스 시뮬레이션 결과와 유사한 값을 얻을 수 있었다.

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.26

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  [중앙대 전자회로설계실습]설계실습 4(MOSFET 소자 특성 측정) 예비보고서

  MOSFET 소자 특성 측정) 실습계획서201xxxxx 홍길동6조 : 홍길동 xxx xxx실험날짜 : 20190408제출날짜 : 201904083.1 MOSFET 특성 parameter 계산 ... 때g _{m}을 구하면 다음과 같다,g _{m} =k _{n} V _{OV} =223`mA/V ^{2} TIMES 0.6`V=133.8`mA/V3.2 MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.01.02

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  전자회로설계실습 실습4(MOSFET 소자 특성 측정) 예비보고서

  설계실습 계획서3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산(A) Data Sheet를 이용하여V _{t} ,k _{n}을 구하여라. ... _{m} 구하기g _{m} =k _{n} V _{OV} =223mA/V ^{2} TIMES 0.6V 에서g _{m} =133.8mA/V 이다.3.2 MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 ... OrCAD를 이용하여 그림 1의 회로도를 설계하여라. (2N7000/FAI 이용,R _{G} =1㏁ 으로 설정)(B) PSPICE를 이용하여i _{D} -v _{GS} 특성곡선을 시뮬레이션

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.09.07 | 수정일 2020.09.15

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