"6sig" 검색결과 21-40 / 1,877건

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  충북대 전자회로실험 실험 9 MOSFET 공통 게이트 및 공통 드레인 증폭기 예비

  v _{"in"}이므로v _{g}을 1/2로 만드는R _{sig}는R _{G1} DLINE R _{G2} = {8k TIMES 2k} over {8k+2k} =1.6k OMEGA 일 ... }이 클수록v _{s}가 작을 것으로 예상했고 시뮬레이션 결과R _{sig}이 커질수록v _{s}가 감소하였다.R _{sig} =15k OMEGA(4) 을 100kΩ으로부터 parameter ... 증가시켜, 소신호 소스 전압()을 1/2로 만드는 을 구하시오.v _{s} = {1/g _{m}} over {R _{sig} +1/g _{m}} v _{"in"}이므로R _{sig

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.03.03 | 수정일 2022.03.07

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  Common Emitter Amplifier 설계 예비보고서

  >교과서에 의하면 over all gain 은 다음과 같다.G _{V} = {v _{o}} over {v _{sig}} =- {R _{in}} over {R _{in} +R _{sig ... 따라서{R _{in}} over {R _{in} +R _{sig}} SIMEQ 1 이다. ... Early effect를 무시하면,r _{o} = {V _{A}} over {I _{C(sat)}} = INF (open) 이므로G _{V} = {v _{o}} over {v _{sig

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.01.21

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  충북대 전자회로실험 실험 10 MOSFET 다단 증폭기 예비

  전압(v _{g})을 1/2로 만드는R _{sig}을 구하시오.v _{g} = {R _{G1} DLINE R _{G2}} over {R _{sig} +R _{G1} DLINE R ... 또한R _{sig} =R _{G1} DLINE R _{G2}이면v _{g} = {1} over {2} v _{"in"}이므로v _{g}를 1/2로 만드는R _{sig}는R _{G1} ... _{G2}} v _{"in"}이므로R _{sig}가 클수록v _{g}는 작을 것으로 예상하였다.

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.03.03 | 수정일 2022.03.07

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  전자회로실험 BJT 공통 베이스 및 공통 컬렉터 증폭기 결과보고서 (충북대 및 타 대학교)

  이미터 전압(v _{E})을 1/2로 만드는R _{sig}을 측정하시오.가변저항이 없을 때 이미터 전압은 약 4.82[V]이다.가변저항R _{sig}의 값이 0.114[kΩ]일 때 ... } over {112mV} =41.07(3) 에서R _{sig}를 가변저항500 OMEGA 으로 교체한다.v _{i`n}의 주파수가1kHz, 진폭이100mV인 사인파를 인가하여, 소신호 ... }을 측정하시오.가변저항이 없을 때 소신호 베이스 전압은 약 5.45[V]이다.가변저항R _{sig}의 값이 47.84[kΩ]일 때 소신호 베이스 전압은 절반이 된다.(4) 에서R

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.06.21 | 수정일 2022.12.10

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  [A+][중앙대학교 전자회로설계실습] 실습6 Common Emitter Amplifier 설계 예비보고서

  OHM단위 이고R_sig= 50 Ω보다 매우 크다. ... ⇒Overall voltage gainG_V는G _{V} = {v _{o}} over {v _{sig}} =- {R _{IN }} over {R _{IN } +R _{sig}} g ... 전자 회로 설계 실습설계 실습 6.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.04.15 | 수정일 2022.04.20

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  충북대 전자회로실험 실험 8 MOSFET 공통 소스 증폭기 예비

  시뮬레이션 결과R _{sig}가 커질수록v _{g}이 감소하였다.R _{sig} =1.9k OMEGA(4)R _{L}을100k OMEGA 으로부터 parameter sweep으로 감소시켜 ... _{sig}가 커질수록v _{g}는 작아지고R _{sig} =R _{G1} DLINE R _{G2}이면v _{g} = {1} over {2} v _{"in"}이므로v _{g}을 1 ... _{sig}을 구하시오.마찬가지로v _{g} = {R _{G1} DLINE R _{G2}} over {R _{sig} +R _{G1} DLINE R _{G2}} v _{"in"}이므로R

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.03.03 | 수정일 2022.03.07

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  실험 15_다단 증폭기 결과보고서

  실험회로 1([그림 15-8])에서V _{DD} = 12V,v _{sig} = 0V,R _{D1} = 10kOMEGA ,R _{s1} =R _{s2} =5k OMEGA ,R _{1} ... 실험회로 2[그림 15-11])에서V _{DD} = 12V,v _{sig} = 0V,R _{D1} = 10kOMEGA ,R _{s1} =R _{s2} =5k OMEGA ,R _{1} ... 3.36V6.72V1.64V0.33mA포화13kOMEGA 3.25V6.61V1.54V0.31mA포화13.5kOMEGA 3.18V6.52V1.47V0.29mA포화14kOMEGA 3.07V6.39V1.38V0.28mA포화R

  리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.01.31

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  충북대 전자회로실험 실험 10 MOSFET 다단 증폭기 결과

  소신호 게이트 전압(v _{g})를 1/2로 만드는R _{sig}을 구하시오.R _{sig} =0일 때v _{g} =1.23Vv _{g} =6.10V일 때R _{sig} =165k ... v _{"in"} =36.0mV,DELTA v _{out} =3.28V{} _{}A _{v} = {3.28} over {36.0 TIMES 10 ^{-3}} =91.1(3)R _{sig ... }} +R _{S} DLINE R _{L}}#=-167 TIMES 10 ^{-6} (20k DLINE 800k DLINE 592.2k) TIMES -167 TIMES 10 ^{-6}

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.03.03 | 수정일 2022.03.08

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  실험 12_소오스 팔로워 예비 보고서

  -12V6V3.921V3.921mA포화2kOMEGA -12V6V4.02V2.01mA포화2.5kOMEGA -12V6V4.046V1.618mA포화2.v _{sig} 값을 0V, 전압을 ... 실험회로 1([그림 12-5]) 에서V _{DD} 값을 12V,v _{sig} 값을 0V,V _{GG} 값을 6V로 두고,R _{GG} 저항값이 2kOMEGA 인 경우v _{o}의 ... )R _{S}값(측정)V _{D} 전압V _{G} 전압V _{S} 전압I _{D} 전류동작 영역900OMEGA -12V6V3.903V4.337mA포화950OMEGA -12V6V3.912V4.118mA포화1kOMEGA

  리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.01.25

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  양병도 전자회로실험 실험9 예비보고서

  전압이득A _{V} = {29.460} over {33.881} =0.87(2)( 주파수에 따른V _{out} 그래프 )(3)R _{sig} = 0ohm 일때v _{g}= 97.6mVR ... 주파수에 따른V _{out} 그래프 )(3)R _{sig} = 0ohm 일때v _{s}= 130.191mVR _{sig} = 1.06kohm 일 때v _{s}= 64.636mV 로 ... _{sig} = 1.7kohm 일 때v _{s}= 48.7mV 로 소신소 소스 전압을 1/2 로 만드는R _{sig} 는 1.7kohm 이다.(4)R _{L} = 10Kohm 일

  리포트 | 13페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.05.14

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  [중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 예비보고서6 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)

  (B) gm을 구하라.G _{V} = {v _{o}} over {v _{sig}} =- {R _{i`n}} over {R _{i`n} +R _{sig}} g _{m} (r _{o} ... 따라서{R _{i`n}} over {R _{i`n} +R _{sig}} SIMEQ 1이다. ... 이 때,R _{i`n}은 수k OMEGA 의 크기를 가지므로R _{sig}(50OMEGA )보다 굉장히 크다.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.08.28

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  [분반 1등], [A+], 중앙대학교 전자회로설계실습 6. Common Emitter Amplifier 설계 결과보고서

  이러한 현상이 나타난 이유는 시뮬레이션을 실행할 때에는v _{sig}가 정확히 20 mVpp가 입력이 되었지만, 실제 실험에서 측정해 본 결과,v _{sig} =23.0mVpp이었기 ... Funtion Generator의R _{sig} 값의 오차 2. 수동소자(저항, 커패시터)들의 값의 오차 3. ... 측정한 overall voltage gain과 simulation결과를 비교하여 오차를 구한 후 오차의 이유를 서술한다.오차의 이유는 시뮬레이션을 실행할 때에는v _{sig}가 정확히

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.09.25 | 수정일 2022.09.30

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  실험 13_공통 게이트 증폭기 예비 보고서

  -6V6V4.213V106.3uA트라이오드60kOMEGA -5.624V6V4.213V106.3uA트라이오드2.v _{sig} 값을 0V,V _{SS} 전압을 0V, 12V, 3V? ... 실험회로 1([그림 13-5]) 에서V _{DD} 값을 12V,v _{sig} 값을 0V,V _{GG} 값을 6V,V _{SS}값을 4V로 두고,R _{S} 저항값이 2kOMEGA ... 등가회로4 실험회로 및 PSpice 시뮬레이션[그림 13-5] 공통 게이트 증폭기 회로(실험회로 1)[그림 13-5]는 입력에 DC 바이어스 전압V _{GG}와 소신호 전압v _{sig

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.01.25

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  실험 14_캐스코드 증폭기 예비 보고서

  }V _{S2}I _{eqalign{D2#}}M _{eqalign{2#}}의 동작영역1k4V9.654V2V2.346mA포화2k4V7.308V2V2.346mA포화2.5k4V6.135V2V2.346mA포화3k4V4.962V2V2.346mA포화3.5k4V3.789V2V2.346mA트라이오드실험절차 ... M2N7000(NMOSFET) (1개)6. 저항7. ... 입력에 DC 전압V _{GG}와 소신호 전압v _{sig}가 인가되었을 때M _{1} 트랜지스터에 의해서 전류로 변환되고,M _{2} 트랜지스터는 공통 게이트 증폭기이므및 전류(I

  리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.01.25

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  실험 14_캐스코드 증폭기 결과보고서

  전류(I _{D})는 실험 절차1에서 구한 값이 되도록R _{S} `,`R _{1} `,`R _{2} `,`R _{3} `,`R _{4}를 구하고, [표 14-6]에 기록하시오. ... 실험회로 1([그림 14-8])에서V _{DD} 값을 12V,v _{sig} 값을 0V,V _{GG} 값을 2V,V _{b1} 값을 4V로 두고,R _{GG} 저항값이 2kOMEGA ... 이때 캐스코드 증폭기의 입력-출력 전압의 크기를 [표 14-4]에 기록하여 전압 이득을 구하고, 크기와 위상을 고려하여v _{sig}, 입력 전압(M _{1}의 게이트 전압), 출력

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.01.31

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  전자회로실험) ch.15 다단증폭기 예비보고서

  R _{D1} PVER (R _{3} PVER R _{4} )) TIMES (R _{D2} PVER R _{5} PVER R _{6} ){V _{o}} over {V _{sig}} ... `A/VV _{i1} `=` {(R _{1} PVER R _{2} )} over {(R` _{1} ` PVER R _{2} )`+`R _{sig}} V _{sig}V _{i2} `= ... (R _{D2} PVER (R _{5} PVER R _{6} ))V _{o} `=` {(R _{s3} PVER R _{L} )} over {(R _{s3} PVER R _{L} )

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.10.26

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  실험 13_공통 게이트 증폭기 결과보고서

  -5.63V6.09V4.53V0.256mA포화23.3kOMEGA -6.04V6.09V4.53V0.257mA포화25k일 때 회로도23k일 때 회로도2.v _{sig} 값을 0V,V ... 실험회로 1([그림 13-5]) 에서V _{DD} 값을 12V,v _{sig} 값을 0V,V _{GG} 값을 6V,V _{SS}값을 4V로 두고,R _{S} 저항값이 2kOMEGA ... 이때 공통 게이트 증폭기 회로의 입력-출력 전압의 크기를 [표 13-4]에 기록하여 전압 이득을 구하고, 크기와 위상을 고려하여 입력 전압(v _{sig})과 출력 전압의 파형을 캡처하여

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.01.31

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  충북대 전자회로실험 실험 8 MOSFET 공통 소스 증폭기 결과

  }을 측정하시오.R _{sig} =0일 때v _{g} =3.32Vv _{g} =1.66V일 때R _{sig} =1.82k OMEGA(4) 에서R _{L}을 가변저항100k OMEGA ... 또한 (3) 실험에서R _{sig} =0일 때v _{g} =3.74V로 측정되었는데v _{g} = {R _{G1} DLINE R _{G2}} over {R _{sig} +R _{G1 ... } DLINE R _{G2}} v _{"in"}에서R _{sig}서처럼

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.03.03 | 수정일 2022.03.07

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  실험 15_다단 증폭기 예비 보고서

  [그림 15-2] 다단 증폭기의 등가회로신호원v _{sig}부터 추력v _{o}까지의 전압 이득을 식 (15.1)과 같이 계산할 수 있다.식 (15.1)로부터, 신호원v _{sig} ... 가 증폭기 1의 입력v _{i1}에 인가될 때는R _{sig}와R _{i}{} _{n1}에 의해서 전압분배됨을 알 수 있다. ... 전압원v _{sig}가 인가되면, 증폭기 1은v _{i}{} _{n}{} _{1}이 입력으로 받아서 증폭을 한 후v _{i}{} _{n}{} _{eqalign{2#}}를 생성한다.

  리포트 | 28페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.01.25

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  18.공통 베이스 및 이미터 플로어(공통 컬렉터) 트랜지스터 증폭기-결과레포트

  (측정치)V _{i} = 6.35mV다음 식을 이용하여Z _{i}를 결정하라.V _{i} = {Z _{i}} over {(Z _{i} +R _{x} )} V _{sig}Z _{i} ... 주파수가 f=1kHZ,이고V _{sig} =2V(실효치)인 입력을 인가하여V _{i}를 측정하라.그림 18-6(측정치)V _{i} = 0.84V다음 식을 이용하여Z _{i}를 계산하라.V ... AC 입력신호V _{sig} =50mV(실효치)를 인가하라.

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.12.08

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