"6sig" 검색결과 61-80 / 1,877건

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  전자회로실험 17장 - 공통 이미터 트랜지스터 증폭기 with PSPICE

  `=` {1} over {{1} over {33k} + {1} over {10k} + {1} over {145 TIMES 16.6}} =1832ΩV _{i} = {V _{sig}} ... _{v} = {V _{o}} over {V _{sig}} =` {3.09} over {20} =154 으로 이론값과 26.8의 차이가 발생하였습니다.3. ... =180.8실제로f=1kHz,V _{sig} =20mV 인 교류 입력신호를 인가하고 출력 파형을 오실로스코프에서 관찰한 결과V _{O} =`3.09V 로 측정되었습니다.따라서`A

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.02.10

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  [전자회로실험] MOSFET 소스 팔로워

  ->R _{S} =167 OMEGA 정도가 나오는 것을 확인할 수 있다.R _{s}V _{D}V _{G}V _{S}I _{D}동작영역50 OMEGA 12.067V6.08V4.07V80.41mASaturation ... GG}값을6V로 두고,R _{GG}저항 값이2"k" OMEGA 인 경우v _{O}의DC값이4V가 되도록 하는R _{S}값을 결정한다. ... (L=1u``,``W=600u로 설정해두고 시뮬레이션을 진행하였습니다.)R _{s}V _{D}V _{G}V _{S}I _{D}동작영역167 OMEGA 12V6V4V23.96mASaturation

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.02.04 | 수정일 2022.05.25

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  응용면역학 4장 연습문제 풀이

  재조합되고 이러한 과정은 체세포에서 일어나기 때문에 somatic recombination이라고 한다.)4-6A. ... B세포 발달과정에서 V,D,J조각들은 DNA splicing에의해 재조합 되고 이러한 과정은 체세포에서 일어나기 때문에 somatic recombination이라고 부르다.B. heavy ... 사람이 만들 수 있는 항체의 다양성은 IG유전자의 구성이 일반적인 유전자와는 다른데서 기인한다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.05.28

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  면역 수혈학과 ABO 혈액형 및 기타 혈액형 레포트 정리

  유도기 → 대수증가기 → 편평기 → 감퇴기1차 면역 반응2차 면역 반응잠복기5~10일1~3일항체의 농도낮음높음항체의 종류Ig M>Ig GIg G>Ig M(Ig A, IgE)항체의 친화성낮음높음6 ... α2κ2)2또는 (α2λ2)2(μ2κ2)5또는 (μ2λ2)5δ2κ2또는 δ2λ2ε2κ2또는 ε2λ2분자량(Da)150,000160,000900,000180,000190,000침강계수7S7S19S7S8S탄수화물 ... G는 단량체(항원결합부위 거리 250Å)이고 Ig M 은 5량체(항원결합부위 거리 1,000Å) 이기때문에 Ig M 이 응집반응을 일으키는데 효과적.②항원의 수 (Antigen Sites

  리포트 | 22페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.04.11

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  공통 게이트 증폭기 [A+/PSpice/배경이론포함(교재카피)/예비레포트] 전자회로실험,이강윤

  실험회로 1에서 V_DD값을 12V, v_sig값을 0V, V_GG값을 6V로 두고, V_SS값이 4V로 두고, R_S저항 값이 2kΩ인 경우 DC 값이 6V가 되도록 하는 R_D값을 ... 각 단자들의 전압을 바탕으로 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하시오(2). v_sig값을 0V, V_SS전압을 0V, 12V, 3V~9V는 500mV 간격으로 변화시키면서 ... 이 경우 MOSFET의 각 단자들의 전압(V_D,V_G,V_S) 및 전류(I_D)를 구하여, 표에 기록하시오.

  리포트 | 11페이지 | 71,000원 | 등록일 2021.06.19 | 수정일 2024.02.28

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  기초 독일어 정리

  숫자1eins11elf2zwei12zwolf3drei13dreizehn4vier14vierzehn5funf15funfzehn6sechs16sechzehn7sieben17siebzehn8acht18achtzehn9neun19neunzehn10zehn20zwanzigㆍ십의 ... 자리 수 : 숫자 뒤에 ~zig를 붙임ex) 40 : vierzig50 : funfzig90 : neunzig예외) 20 : zwanzig30 : dreiβig60 : sechzig70 ... )- 21의 경우, eins가 아닌 ein사용ㆍ31~39 : 숫자 뒤에 ‘~unddreiβig’ㆍ41~49 : 숫자 뒤에 ‘~undvierzig’ㆍ51~59 : 숫자 뒤에 ‘~undfunfzig

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.12.03

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  [전자회로실험] 공통 이미터 증폭기 회로 결과보고서(A+)

  _{i} `=` {R _{x} V _{i}} over {V _{sig} `-`V _{i}} `=` {LEFT ( 3k RIGHT ) (4.6)} over {(`10-`4.6)} ` ... DMM을 이용해V _{sig}와 베이스-접지 사이의V _{i}를 측정하고 기록하라.V _{sig} `=`10mVV _{i} `=`0.0046V다음 식을 이용해Z _{i}를 계산하라.Z ... 측정저항R _{x} `=`3k OMEGA을 입력V _{sig}와 직렬로 연결하라.

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.12.12

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  Common Emitter Amplifier 설계 예비보고서

  결정하라.G _{V} = {V _{o}} over {V _{sig}} =- {R _{i`n}} over {R _{i`n} +R _{sig}} g _{m} (r _{o} ||R _{L ... (B) gm을 구하라.G _{V} = {V _{o}} over {V _{sig}} =- {R _{i`n}} over {R _{i`n} +R _{sig}} g _{m} (r _{o} ... 반올림하여 유효숫자 세 개로 다음 표를 작성하라.G _{V} = {V _{o}} over {V _{sig}} =- {R _{i`n}} over {R _{i`n} +R _{sig}}

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.06.18

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  [전자회로실험] 공통 이미터 트랜지스터 증폭기 결과보고서(A+)

  주파수f`=`1kHz이고 피크-피크값은V _{sig} `=`20mV인 교류 입력 신호에 대해 그림 17-3에V _{sig}와V _{o}의 파형을 그려라.입력 신호입력 파형, 출력 파형6 ... 실효값이V _{sig} `=`20mV인 입력 신호에 대해 출력 전압V _{o}를 측정하라. ... 실효값이V _{sig} `=`20mV인 입력 신호를 인가하라. 출력 파형을 오실로스코프에서 관찰하고 파형에 왜곡이 없도록 하라.

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.12.13

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  [전자회로실험] MOSFET 공통 소스 증폭기

  DD}값을 12V,v _{sig}값을 0V,V _{GG}값을 4V로 두고,R _{GG} 저항 값이 2㏀인 경우v _{o}의 DC 값이 6V가 되도록 하는R _{D}값을 결정하시오. ... 각 단자들의 전압을 바탕으로 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하시오.R _{D}v _{sig}V _{G}V _{O}I _{D}동작영역0.974k` OMEGA 0V4V6V0.16mA포화영역 ... (2)v _{sig}값을 0V,V _{GG} 전압을 0V, 12V, 3V~9V는 500mV 간격으로 변화시키면서v _{o}의 DC 전압을 측정하여 기록하고, 입력-출력(V _{GG}

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.02.04 | 수정일 2022.05.25

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  여성간호학실습 자근근종(2020년 8월 작성)

  )0.0-0.9(s/co)0.28C형간염검사Rubella Ig Gnegative9.99(IU/mL)-Ig G 음성 /? ... 경련 발작의 병력 이 있는 환자6. ... Ig M 음성 -> 이전의 감염 또는 예방접종에 의한 항체 있는 경우로 풍진 유행시 감염의 확률 낮음Ig G 음성 /? Ig M 양성 ->?

  리포트 | 20페이지 | 3,300원 | 등록일 2021.02.20 | 수정일 2021.02.22

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  (전자회로실험)MOSFET기본특성 결레 레포트

  또한,I_D를 측정하여 기록한다.(2)V_sig 전압을 6V,R_D저항을 0Ω으로 고정하고,V_DD를 0V, 12V, 3V~9V는 500mV 간격으로 변화시키면서V_DS 전압, 드레인 ... Triode 영역에서밖에 동작하지 않았으Triode99.073242.3518.965Triode-R _{D}가 100OMEGA 일 때의 결과값V _{sig}전압(V)V _{GS}전압( ... 실험절차 (2) -V _{sig}를 변경시키며I_D값을 측정하는 실험V _{sig}전압(V)V _{GS}전압(V)V _{DS}전압(mV)I_D 전류(mA)동작영역0012V27uA차단1112V27uA차단2212V27uA차단337.604V43.96포화4434.05119.66포화5518.33119.82포화6612.63119.87포화779.67119.90포화887.858119.92포화996.635119.93Triode10압

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.12.11

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  실험 17_능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 예비보고서

  이때 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 전압의 크기를 [표 17-2]에 기록하여 전압 이득을 구하고, 크기와 위상을 고려하여v _{sig}입력(M _{1}의 게이트 전압V _{gs}) ... } |) 선형 스케일전압 이득(A _{V} =20log|v _{o} /v _{sig} |)9.759210kHz1.23110kHz0.1261-17.983------=0.01일 때 입출력 ... 공통 소오스 증폭기의 실험 결과입력신호의 크기(mV)입력 신호의 주파수(kHz)출력 신호의 크기(mV)출력 신호의 주파수(kHz)전압 이득 (A _{V} =|v _{o} /v _{sig

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.01.25 | 수정일 2023.02.07

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  전자회로설계실습 실습6(Common Emitter Amplifier 의 주파수 특성) 예비보고서

  )}} = INF (open) 이므로G _{V} = {v _{o}} over {v _{sig}} =- {R _{in}} over {R _{in} +R _{sig}} g _{m} (r ... (B)g _{m} 을 구하라.R _{in} 은 ㏀ 단위이므로R _{sig} =50Ω 보다 매우 크다. ... 따라서{R _{in}} over {R _{in} +R _{sig}} SIMEQ 1 이다.Early effect를 무시하면,r _{o} = {V _{A}} over {I _{C(sat

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.09.07 | 수정일 2020.09.15

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  실험 01 PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드 예비 보고서

  단V _{eqalign{sig#}} 전압을 바꿀 때, 다이오드의V _{D0} 값을 구하기 위해서 600mV~900mV 사이는 50mV 간격으로 측정하시오.실험 1 PSpice 회로[ ... 실험회로 1([그림 1-10])에서V _{eqalign{sig#}} 전압을 -10V~10V까지 1V 간격으로 바꾸면서, 다이오드 D1(1N4004)에 흐르는 전류(I _{D})와 전압 ... 실험회로 2([그림 1-13])에서V _{eqalign{sig#}} 전압을 -10V~10V까지 1V 간격으로 바꾸면서, 다이오드 D1(1N4733)에 흐르는 전류(I _{Z})와 전압

  리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.01.25

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  전자회로설계실습 실습7(Common Emitter Amplifier 의 주파수 특성) 예비보고서

  수평축은 로그스케일의 주파수로, 수직축은 로그스케일(dB)의 overall voltage gain (v _{o} /v _{sig}) 으로 설정한다.AC sweep 을 이용하여 분석한 ... (B) 반올림하여 유효숫자 세 개로 다음 표를 작성한다.SimulationSimulationV _{B}4.030 VI _{B}12.420 uAV _{C}6.821 VI _{C}1.036 ... : 596.362 ㎐, 13.614 ㎒unity gain frequency : 39.415 ㎐, 185.140 ㎒overall voltage gain(v _{o} /v _{sig}

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.09.07 | 수정일 2020.09.15

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  [A+] 모성간호학실습 케이스스터디 - 난소낭종(진단1, 중재9)

  Rx) H/D 1L sig IV8. Rx) 5% D/W 1L sig IV9. Rx) 5% D/W 1L sig IV10. Rx) Cephradine 3.0g #3 sig IV11. ... Rx) Rio 1.0g #2 sig IM12. ... Check V/S Tid2. NPO3. Check I & O4. Cold stream inhalation5. Encourage Coughing & deep breathing6.

  리포트 | 29페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.02.26

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  소오스 팔로워 [A+/PSpice/배경이론포함(교재카피)/예비레포트] 전자회로실험,이강윤

  실험회로 1에서 V_DD값을 12V, v_sig값을 0V, V_GG값을 6V로 두고, R_GG저항 값이 2kΩ인 경우 v_O의 DC 값이 4V가 되도록 하는 R_S값을 결정한다. ... 각 단자들의 전압을 바탕으로 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하시오.(2). v_sig값을 0V, V_GG전압을 0V, 12V, 3V~9V는 500mV 간격으로 변화시키면서 ... 이 경우 MOSFET의 각 단자들의 전압(V_D,V_G,V_S) 및 전류(I_D)를 구하여, 표에 기록한다.

  리포트 | 10페이지 | 81,000원 | 등록일 2021.06.19 | 수정일 2024.02.28

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  [중앙대 전자회로설계실습]설계실습 6(Common Emitter Amplifier 설계) 예비보고서

  (B) Rin은 kΩ단위이므로R _{sig} =50 OMEGA 보다 매우 크다. 따라서{Rin} over {Rin+R _{sig}} SIMEQ 1이다. ... 설계실습 6(Common Emitter Amplifier 설계) 실습계획서201xxxxx 홍길동6조 : 홍길동 xxx xxx실험날짜 : 20190429제출날짜 : 201904293.1 ... voltage gainG _{v} =- {Rin} over {Rin+R _{sig}} g _{m} (R _{C} PVER R _{L} ) 이다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.01.02

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  직사각형 단철근보 휨강도 검토 KDS 14 20 20

  (작용점 위치 계수)3000.00150.0050.578 rb295.04 28.6 642.4h=1.00 #DIV/0!#DIV/0! ... 31.6V/0! ... 휨부재의 최소철근량 검토b0.40 0.40 0.38 0.37 0.36 0.35Ig = bh3 / 12 =83333333333.3 mm4fr = 0.63 l √fck =0.63×1.00

  리포트 | 1페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.05.30

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