"dc sputtering" 검색결과 21-40 / 234건

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  신소재프로젝트3 광전자 A+ 예비레포트

  솔라시뮬레이터의 분광조사강도 측정을 위해서는 분광복사계(spectroradiometer)라는 측정기와 표준전구(standard lamp)라는 표준기(standard)가 요구되는데, ... 실리콘 계열 및 대다수 화합물 박막 태양전지는 대부분 수십 μsec 이하의 매우 빠른 광 응답속도를 가지고 있다. ... CZT(S,Se) 박막 태양전지의 기본 구조는 p-n 접합 구조와 이의 양면에 각각 음극 전극으로 사용되는 금속전극과 양극 전극으로 사용되는 투명전극으로 구성된다.

  리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.10.07

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  진공증착레포트

  마찬가지로 step coverage가 좋지는 못하지만 높은 에너지의 E-beam을 걸어주어 플라즈마상태를 만들어 준 후에 DC전압을 걸어주면 step coverage를 향상시킬 수 ... .- CVD : APCVD, LPCVD, PECVD, EPITAXY- PVD : Vacuum evaporation, sputtering, thermal evaporation, E-beam ... 그러나 물질이 등방성(isotropic)하게 퍼지기 떄문에 low step coverage를 가집니다.열 source로는 고융점의 filament, baskets, boats, 그리고

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.11

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  [2019 A+ 인하대 공업화학실험] 패터닝 결과보고서 공화실 결보

  이는 C2F6가 증가할수록 Ar+의 물리적식각, 즉 sputtering가 감소한다. ... 전체 기체 유량은 20 sccm이고 power은 700W 이며 압력은 5mTorr, dc-bias voltage는 300V이다. ... 실험에서도 C2F6가 증가하면 SiO2의 식각 속도가 감소하고, PR의 식각 속도가 증가할 것이라고 예측할 수 있다.Power이 실험은 20%의 Cl2와 80%의 Ar기체 비에서 dc-bias

  리포트 | 17페이지 | 3,500원 | 등록일 2020.04.13 | 수정일 2020.04.18

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  집적회로 소자 공정, 반도체 소자 제작 공정 실험 예비보고서

  PVD는 박막과 동일한 재료를 증발 또는 스퍼터링을 시켜 deposition하는 기술로서 thermal evaporation, e-beam evaporation, sputtering ... 실험 순서집적회로 소자 공정(1) volt meter를 on하고 DC mode에 위치하며, 전압범위를 mV로 놓는다.(2) probe stage상에 wafer를 위치시킨다.(3) probe ... [Ω/sq]Resistivity는 시료의 두께(t)를 곱하여 구한다.[Ω*cm]여기서 비례상수 로 정의되며 S는 tip간의 간격, D는 시료의 size이다.

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.09.25

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  sputtering (스퍼터링)

  DC sputtering에서는 target이 산화물이나 절연체일 경우 sputtering 되지 않는다. ... 않아 균일한 두께의 증착이 어려움스퍼터링 (sputtering)의 종류1) DC sputtering소스2) RF sputtering부도체 박막을 증착 시키기 위해 개발된 방법으로, ... 크게 sputtering과 evaporation으로 나눌 수 있다.스퍼터링 (sputtering)의 원리스퍼터링은 DC 또는 RF 전원이 두 전극 사이에 가해지면 음극에서 방출, 가속된

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.12.07

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  투명전극(ITO)과 진공펌프 및 게이지와 스퍼터링의 종류들과 원리

  Reactive sputtering : RF보다 불리함-RF sputtering-a. 전도체, 절연체, 비금속, 유전체b. HIP 또는 sintered powderc. ... Reactive sputtering에 적합③DC/RF 마그네트론 스퍼터링 장치기존 스퍼터링 방법에 자기장을 사용하면 마그네트론이라는 단어를 붙여 마그네트론 스퍼터링 방법의 특징을 띄게 ... 등 최첨단 전자 디바이스 제작에 폭넓게 이용되고 있다.여기에서 산화물이나 질화물박막을 원하는 조성으로 증착하고 싶을 때 추가적으로 가스를 공급하여 반응을 일으킬 수 있는데, 이를 DC

  리포트 | 22페이지 | 2,500원 | 등록일 2019.07.03 | 수정일 2019.07.04

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  sputtering(스퍼터링)

  이러한 electron은 chamber안의 sputtering gas(주로 Ar)를 때리게 되고 sputtering gas는 다시 target 표면을 때리게 된다. ... (DC or RF)- cathode로부터 방출된 전자들이 Ar 기체 원자와 충돌하여, Ar을 이온화시킨다.Ar+e-(primary) = Ar+ ＋ e-(primary) + e-(secondary ... 스퍼터링(Sputtering)1) 스퍼터링(sputtering)의 정의Figure 1.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.12.01

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  [기초공학실험]Cu film의 전기적 특성 분석 실험

  종류 ① DC sputtering직류전원을 이용한 sputtering 방법이다. ... DC sputtering에서는 target이 산화물이나 절연체일 경우 sputtering되지 않는다. ... 따라서 전자가 어느 한 쪽으로 몰리게 되면 다른 전극에는 ion으로 생성된 sheath가 생기게 되며 DC의 경우와 마찬가지로 sputtering이 발생하게 된다.

  리포트 | 8페이지 | 3,200원 | 등록일 2019.09.02 | 수정일 2020.08.10

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  [고체 물리] 스퍼터링 결과 보고서

  토의사항우리 실험의 목적은 박막 성장 방법 중의 하나인 sputtering을 이용해 substrate 물질인 silicon에 target물질인 구리를 증착시키는 것이다. ... 그리고 이러한 둥근 모양은 heat distribution이 골고루 잘 되게 한다.그리고 이 실험이 오래 걸렸던 이유 중 하나는 온도가 떨어질 때까지 기다려야했기 때문인데, sputtering에 ... 실리콘은 melted sand로부터 만들어 지는데, 이 것이 적정한 온도까지 올라갔을 때 crystal seed(씨 결정)을 melted sand에 떨어뜨리면, 결정이 자라나면서 회전하게

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.07.30

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  [발광디스플레이 실험] Ni Sputtering을 통한 박막형성

  의하여 중성화되어 중성원자로 target에 충돌하기 때문이다.1) DC sputtering그림 SEQ 그림 \* ARABIC 12 DC sputtering의 개략도DC sputtering은 ... -기판이 과열되거나 손상되기 쉽다.표 SEQ 표 \* ARABIC 1 DC Sputtering의 장점과 단점2) RF(Radio Frequency) sputtering그림 SEQ 그림 ... 실험 제목: Ni sputtering을 통한 박막형성실험 날짜: 2011. 9. 22.실험 목적RF sputtering을 이용해 Ni 박막을 형성하고, SEM을 통해 그 두께와 표면을

  리포트 | 8페이지 | 5,000원 | 등록일 2011.12.28

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  진공의 이해

  sputtering • 원리 - 충분한 농도(1~5CNT/나노 초정밀 가공/NEMS 소자나노산업생체재료/멸균/신약바이오 산업정보통신산업통신부품용 박막제조/EMI 부품/ 광통신 소자 ... N/m2= 7.5 x 10-3 Torr 주요 압력 단위 환산 관계진공의 단위 및 분류증착 장비증착 기술 - PVD (Physical Vapor Deposition) • 스퍼터링 (sputtering ... pumpMain valveforeline valveroughing valveconductance valvetargetcathodeSputtering 의 특성 • 거의 모든 원소를 sputtering

  리포트 | 58페이지 | 2,000원 | 등록일 2018.06.10

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  스퍼터링

  electron이 Ar과 충돌해서 ionization시켜서 Ar+를 만들고 Ar+이 ground state로 떨어지면서 빛을 낸다.2)스퍼터의 종류※왜 금속은 DC sputter를 ... 기초이론 및 원리1)스퍼터링(sputtering)이란? ... 사용하고 세라믹은 RF sputter를 사용할까?

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.11.16

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  VLSI공정 5장 문제정리

  sputtering와 RF sputtering을 비교하여라.glow방전을 위해 DC power를 사용하는 것이 DC sputtering 이며 타겟으로 금속만 가능하다.RF sputtering은 ... -대면적을 균일한 두께로 증착 가능-두께 조절 용이-정확한 합금성분 조절-step coverage, grain structure(입자구조), stress(응력) 조절가능-전처기 청결 ... 높여 방전 전류를 증가BUT , 100Ev 이상의 전압에서 이온화 단면이 감소 –Ar의 압력을 증가.입사각이 약 80도 일 때 최댓값을 나타낸다.가 커지면 스퍼터링 효율도 증가한다.DC

  리포트 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2018.06.05 | 수정일 2020.05.03

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  플라즈마 공학 실험 - DC 스퍼터링 및 RIE 식각 실험 레포트

  5분동안 진행하는데 target에 있는 불순물을 없애주고 기판표면의 불순물을 없애주어 기 판 위에 불순물이 존재하지 않게 하는 작업으로 pre-sputtering이 끝난 후에 스퍼터링을 ... pump로 진공을 빨아들이는 모습(저진공)Throttle vavle와 Main vlave를 열어 Diffusion pump를 이용해 진공을 빨아들이는 모습(고진공)그 후 pre-sputtering을 ... Ar과 O2, N2기체를 주입하는데, 물리적 식각으로는 기판 표면에 이온충돌로 인하여 불순물들이 이온의 크 기와 비슷하면 탄성충돌로 인해 불순물 내부에서의 충돌로 표면의 불순물이 sputtering돼

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.06.25

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  부산대학교 졸업 논문 (Flexible Display용 PI기판 위 ITO 증착 시 Stage Temperature에 따른 특성 변화 연구)

  사용한 증착 장비는 DC/RF magnetron sputtering system이며, 측정 장비는 XRD, 4-point probe, UV-VIS spectrophotometer이다 ... 증착 장비로는 DC/RF magnetron sputtering system을 사용 했다. Table 1은 사전 실험 후 측정한 deposition rate를 보여준다. ... 또한, ITO가 다른 물질에 의해 오염이 되었을 수도 있으므로, pre-sputtering을 30분 동안 실시하였고, 증착이 완료된 시편은 알파스텝을 이용하여 두께를 측정했다.

  논문 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.05.18

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  스퍼터링(Sputtering) 결과 레포트

  등 스퍼터링 원리를 이용한 다양한 장비가 있다.- DC Sputtering직류 전원을 이용한 Sputtering 방법이다. ... 전기장에 의해 다시 음극으로 가속되어 음극과 충돌하고, 이 과정에서 2차 전자를 방출하면서 이온화 경향이 급증하게 되어 플라즈마가 형성되고, 유지하게 된다.위의 글로우 방전은 모두 DC ... 이 현상을 스퍼터링 현상이라 하며, 튕겨나간 원자들이 음극 반대편에 위치한 접 전달한다는 점이다.스퍼터링은 DC Magnetron, RF Magnetron, BIAS, Reactive

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.05.18

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  D.C magnetron sputter법으로 증착된 TiAlN의 중간층에 따른 특성연구

  한국재료학회 김명호, 이도재, 이광민, 김운섭, 김민기, 박범수, 양국현

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  표면개질공학 sputtering 원리와 특징, 현상과 응용

  이때 기질은 바닥상태를 유지한다.② universality(보편성)Sputtering은 그 능력을 향상시키기 위해 많은 응용이 이루어져 있는데, 가장 일반적인 것으로 DC plasma ... sputtering, RF plasma sputtering, magnetron sputtering등이 있다. ... 불가능② RF sputteringDC sputtering에서는 target이 산화물이나 절연체일 경우 sputtering이 되지 않는다.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.01.05

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  스퍼터링,비저항

  ◆ DC, RF sputtering◇ DC sputtering회로상에서 target 은 cathode 로 사용되며 높은 음의 전압이 걸린다. ... 전도체여야 한다.장치구조와 조작이 간단한 장점이 있지만, 낮은 증착속도, 높은 기판온도(target으로 부터의 열방사, 2차전자), 에너지의 비효율성, 방전가스의 압력이 높고, 절연체의 sputtering이 ... S로 주어진다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.10.19

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  Influence of Plasma Discharge Power on the Electrical and Optical Properties of Aluminum Doped Zinc Oxide Thin Films

  한국재료학회 Moon, Yeon-Keon, Park, Jong-Wan

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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