"dc sputtering" 검색결과 81-100 / 234건

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  CIS,CIGS

  )일경우 직류스퍼터링법(DC sputtering)라 하며 일반적으로 전도체의 스퍼터링에 사용된다. ... 이 공법은 가장 표준적인 스퍼터링 장치로서 구조가 간단하고 두께조절이 용이한 장점이 있으나, 타겟의 재료가 한정되어 있고 기판이 과열되기 쉬운 단점도 가지고 있다.그림2 DC sputtering ... RF sputtering법은 다른 디지털 회로에 noise의 발생 원인이 될 수 있으므로 시스템적으로 noise filter나 절연체에 의한 차폐와 접지가 중요하다.그림3 RF sputtering

  리포트 | 18페이지 | 15,000원 | 등록일 2010.12.22 | 수정일 2022.08.12

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  sputtering

  간단하나 sputtering 속도가 느리다. (∵ 대부분의 화합물 target은 sputtering yield가 작고많은 장점이 있다.- 부도체재료를 sputter 할 수 있고, 낮은 ... 불활성 gas plasma를 이용하여 sputtering- target이나 기판에 직접적인 화합물 형성에 참여하지 않음? ... electron trajectories.(4) magnetron sputtering system① electron source의 추가로 triode mode에서 수행- hollow

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.03.24

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  각종 진공 펌프 원리 사용방법 sputter

  전원을 인가한다.⑥. shutter를 열어 박막을 제조한다.- 종류1) 직류 다이오드 스파터링(DC diode sputtering)진공으로 된 유리관에 양극과 음극의 두 전극을 넣고 ... 따라서 sputtering시 기판과 target과의 거리는 중요한 인자가 된다.- 사용 방법?. 기판을 Cleanning 한다. 기판은 주로 유리를 사용한다. ... 진공 분위기로 만드는 방법은 먼저 rotary pump를 통해서Torr정도로 진공을 만든 후 turbo pump를 작동시켜 chamber가Torr로 진공 상태가 되게 한다.③. sputtering

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.03

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  [반도체 공학] pvd의 종류및 증착원리

  박막 증착에서 sputtering이라 하면 target 원자의 방출과 그 원자의 substrate에의 부착이라는 2가지 과정을 포함하는 개념으로 볼 수 있다. ... Target을 cathode로 하여 스퍼터링 할 때 주파수가 10 MHz 이상 되어야 효과적인 sputtering이 일어난다. ... 즉 거의 모든 element를 sputtering 할 수 있으며, alloy나 compound도 그 조성을 유지하면서 depos 사용된다.

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.09.30

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  스퍼터링 증착

  압력, excitation 등의 특징으로, discharge 내의 구성요소들의 존재는 특성 스펙트럼 파장의 조사로 알 수 있다.3) 스퍼터링 과정타겟(cathode) 쪽에 음전압(dc ... 위의 식은 sputter yield, S와 다음과 같은 관계가 있다. ... 타겟 표면으로 입사되는 입자에 의해 sputter 되는 원자 이외에 또 다시 secondary electron 도 나오게 되는데 이들은 다시금 sputtering gas 를 때려 연쇄적인

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.03.26

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  진공 및 박막 실험 최종 보고서

  DC Sputtering을 이용한 Ni 막 증착, RF Sputtering을 이용한 Si 막 증착가. ... 얻는 방식으로, 비전도성 표적재료의 경우 DC전력공급장치를 사용할 경우 피처리물 표면에 전학 축척되어 스퍼터링할 수 없는 경우에 사용한다. ... 즉, 전자의 충돌 전리에 의해 전극의 전하가 없어지는 과정을 방전이라 한다.그림 7 RF-Sputtering(4) RF Sputtering플라즈마를 DC전력공급장치가 아닌 AC전력공급장치로

  리포트 | 53페이지 | 6,000원 | 등록일 2012.11.24

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  SPUTTERING

  sputtering 종류- DC Sputtering그림 4. basic dc sputtering system스퍼터링 방법은 스퍼터링 가스를 진공상태인 chamber에 주입하여 증착시키고자 ... 여기서 인가된 전원이 직류(direct current, DC)일 경우를 직류 스퍼터링 법(DC sputtering methode)라 하며 일반적으로 전도체의 스퍼터링에 사용된다. ... DC glow discharge sputtering system기체의 압력이 100~103 Pa 정도의 진공내 두 개의 전극 간에 고전압을 걸어 주었을 때, 양전극에 생기는 방전현상이다

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.12.18

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  금속 박막증착

  성장속도가 크다.② RF 스퍼터: DC sputtering에서는 target이 산화물이나 절연체일 경우 sputtering되지 않는다.이러한 단점을 해결해주고 전반적으로 DC의 단점을 ... 스퍼터: 직류전원을 이용한 sputtering방법이며 구조가 간단하며, 가장 표준적인 장치이다.성장속도가 여러 종류의 금속에 대해 거의 일정하며, RF sputtering에 비해 ... DC 스퍼터의 원리 및 특성- DC 스퍼터링은 diode 스퍼터링 또는 cathode 스퍼터링 이라고 하며, 증착 속도는 기체의압력과 전류 밀도에 의존한다.

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.08.24 | 수정일 2015.02.12

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  신소재 실험

  교류 전원을 사용하면 electrode에 부착된 부도체 표면에 주기적으로 양전위를 가해주게 되어 표면에 쌓이는 이온을 떨어뜨리게 된다.최근 DC를 이용하여 SiO2 등의 부도체를 sputtering하는데 ... yield 감소.② Target의 온도: sputter yield가 아주 높은 경우를 제외하고는 민감하지 않음.③ 이온의 입사각: Max sputter yield –약 80°④ Target ... √이러한 현상 때문에 부도체를 sputtering, etching 등을 할 때는 교류전원을 사용한다.

  리포트 | 13페이지 | 4,000원 | 등록일 2010.03.01 | 수정일 2018.10.22

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  PVD 증착

  Sputtered atom or ion Ar ion target DC sputtering 증착 과정 Ar 양이온은 음극 외장을 통과하면서 가속 가속된 양이온이 알루미늄 target ... PVD ┃DC Sputtering절연체의 박막을 증착 시키기 위하여 개발 PVD ┃RF Sputtering장점 : 부도체 재료 sputter 가능 낮은 압력하에서 사용가능 단점 : ... Heating gas line To pump Rotation magnet Target 근처에서 electron 에 의한 plasma 발생 Target atom 의 sputtering

  리포트 | 46페이지 | 4,000원 | 등록일 2010.07.29

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  각종 진공 펌프 원리 사용 방법 sputter 1

  증착조건RF magnetron sputter를 이용하여 80 mA로 5분간 상온에서 증착 한다.(working pressuertorr)3. ... 이때 약하게 충돌한 이온은 cathode에 묻히게 되면서 제거되고, 강하게 충돌한 이온은 티타늄 cathode를 sputter하여 새로운 티타늄 표면을 형성하여 gettering으로 ... 갖고 있는 이온이 음극 표면의 수천 개의 격자형 원자와 격렬하게 충돌하여 제 1층 또는 제 2층에 있는 원자의 어떤 것을 격자 형태로부터 뜯어내어 공간을 튀어나가게 하는 데 이것이 sputtering

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.03

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  반도체공정 레포트 최종

  target이 산화물이나 절연체일 경우 sputtering이 되지 않는다. ... 장치이다.② 성막속도가 거의 일정하다.③ 전류량과 박막두께가 거의 정비례하므로 조절이 쉽다.④ RF sputtering에 비해 성막속도가 크다.⑤ 박막의 균일도가 크다.반면에 4가지 ... 쪽으로 가속되어 target의 표면과 충돌하면, 중성의 target 원자들이 튀어나와 기판에 박막을 형성한다.스퍼터링 방법의 장점은 다음과 같다.① 구조가 간단하며, 가장 표준적인 sputter

  리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.01.25

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  Sputter 원리 및 종류 영어 발표자료

  3mbarPositive Ion &ElectronDischarge is maintained: Accelerated electrons ionize new ions bycollisions with the sputter ... PowerSupplyeTarget(Insulator)+++++++- - - - - - - -TargetAccumulation of electric loadDC methods can not be used to sputter ... rate...PAGE:10SubstrateDC PowerSupplyTarget holderPlasmaShuttere+AnodeCathodeTargetType of Sputter DC

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.02.06

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  [발광디스플레이 실험] CNT 성장을 위한 기본 기판 만들기

  만일 충돌하는 입자들이 양이온이라면 cathodic sputtering이라고 부른다. 대부분의 스퍼터링은 cathodic sputtering이다. ... 스퍼터링DC 스퍼터링은 diode 스퍼터링 또는 cathode 스퍼터링이라고 하며, 증착속도는 기체의 압력과 전류밀도에 의존한다. ... 전기장을 인가해 줌으로써 가속하기가 쉽고 또한 target에 충돌하기 직전 target에서 방출되는 Auger전자에 의하여 중성화되어 중성원자로 target에 충돌하기 때문이다.① DC

  리포트 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.01.01

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  Sputtering 방법을 통해 증착한 Cu/Ti 박막의 후열처리 온도에 따른 Cu-silicide형성과 비저항에 미치는 영향의 특성평가실험

  yield 감소.② Target의 온도: sputter yield가 아주 높은 경우를 제외하고는 민감하지 않음.③ 이온의 입사각: Max sputter yield –약 80o④ Target ... 실험목표Silicide 형성 기구 이해(kinetic, themodynamic)제조 방법(sputtering)의 이해응용 내용 이해(반도체 metallization)2. ... (보통 금속 원자 한 개 승화시 필요한 에너지: 3~5eV)→ 대부분의 에너지가 열로 방출, 일부 에너지만이 스퍼터링에 이용.(3) 스퍼터율(sputter yield)스퍼터율: 하나의

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.26

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  반도체공학-MOS diode설계 최종보고서

  Metal deposition (sputter)5. ... 하는데 Flat Band Condition이라 한다.· Small bias applied· Semiconductor와 맞닿아있는 Metal표면에서만 작은 전하가 존재하게 된다.· DC ... _{s} >`0Depletion of holes (bands bend downward)PSI _{s} = PSI _{B}Mid-gap with n _{s} =n _{p} =n _{i

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.12.22

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  때려내기에 의한 박막증착

  그림과 같은 DC sputtering 법을 사용하여 박막을 증착시켰다.그림 SEQ 그림 \* ARABIC 1 Basic DC sputtering system실리콘 기판을 적당한 크기로 ... 우리는 박막을 증착시키기 위하여 이러한 sputtering 증착법을 사용하였다.인가하는 전원의 종류에 따라 DC와 RF sputtering 법으로 나뉘는데, 우리는 이번 실험에서 아래 ... 그 결과, 음극 표면의 원자가 튀어 나오는데, 이 현상을 sputtering 이라고 부른다. sputtering 된 원자를 기판에 증착시킴으로써, 박막을 형성할 수 있는데 이러한 성막

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.01.31

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  [LCD실험] TFT-LCD 분석

  일반적으로 sputtering 방법은 증착 속도가 느리고 증착할 수 있는 두께의 한계가 있으며 alloy나 ceramic 등과 같이 여러 물질이 조합된 물질을 증착할 경우에 조성비를 ... 증착(Deposition)1) Sputtering: DC 또는 RF magnetron을 이용하여 증착 하고자 하는 물질의 target으로부터 입자를 떼어내어 특정 기판상에 옮겨 붙이는 ... 현상액으로는 크게 염기성의 수용액과 solvent류가 있다.

  리포트 | 6페이지 | 10,000원 | 등록일 2013.06.14

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  GDS 실험

  일차적으로 각 일정한 조건에서 시료표면을 sputtering 하면서 발광되는 전자이 수를 count하여 시간에 따른 각 원소의 intensity를 도시한 다음 matrix-matched ... GDS를 이용한 depth profiling 원리Rf GDS는 DC GDS에 비하여 표 1에 나타낸 바와 같은 차이점을 가진다. ... standard를 이용하여 정량을 행한다.그림 .

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.06

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  ITO glass 의 개발과 용도

  <ITO glass 의 개발과 용도>&#983729;. ITO GLASS 란? ... OLED 에서의 ITO 방향매끄러운 표면, 광택나는 ITO, 제조공정의 다양화, DC/RF or 이온 도금(고강도), 플라즈마 처리(낮은 저항 성), 금속 코팅 등4.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.04

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