"tin oxide" 검색결과 21-40 / 438건

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  인하대학교 나노집적반도체소자 MOSCAPACITOR 설계 및 분석

  Table \* ARABIC 5 300K기준 각 TiN/HfO2/SiO2/p-Si과 TiN/SiO2/HfO2/p-Si stack별 +0.0001C/cm2와 -0.00001C/cm2의 ... 21.107V, VT는 22.117V로 나타났습니다.2) TiN/SiO2/HfO2/p-type Si의 경우에서 동일하게 진행해보겠습니다.동일 위치에(Si-substrate로부터 HfO2방향으로 ... MOS Capacitor 동작 원리- Gate Material- Metal Gate Material 고려사항 및 선택- Oxide Material- Oxide Thickness/Charge

  리포트 | 50페이지 | 5,000원 | 등록일 2024.01.07 | 수정일 2024.06.12

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  반도체공정, 반도체고집적공학 예상문제+공정순서 정리

  line 저항)Acoustic measurement(film thickness)Thermal stressIC fabrication에서 Ti의 용도를 세가지 이상 나열하라TiSi2TiN ... Thermal flow-reflow, Sputtering etchback, PR etchback, SOG etchbackPR etchback이 planarize잘 못하는 이유답)F가 oxide

  시험자료 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.12.15 | 수정일 2022.12.16

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  염료감응형 태양전지(DSSC) 실험 예비레포트

  Oxide) 글라스와 유연 플라스틱 기판이 아닌 FTO(Fluorine doped Tin Oxide)글라스를 사용해야 한다는 단점이 있다탄소 중립을 위해서 언젠가 해결해야 할 과제 ... 물질을 Paste 접착물질과 함께 코팅해서 사용하기 때문에 두께 조절이 어렵고 나노 구조 제어가 불가능하며 Paste 코팅 과정에 400도 이상 열처리가 필요해 ITO(Indium Tin

  리포트 | 3페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.03.13

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  한양대학교 일반대학원 융합전자공학부 학업계획서

  효율적인 프로필렌 카보네이트 합성 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 메틸 오렌지와 테트라사이클린의 UVC 보조 광촉매 분해를 위한 Zinc hydroxystannate/zinc-tin ... oxide heterojunctions 연구, 광 추출 개선을 위한 GaN 기반 LED의 TiO2 나노구체 단일층 어레이 연구, SnO2/ZnO 이중 전자 수송층에 의한 Cs2AgBiBr6

  자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.05.10

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  ReRAM 실험 예비레포트

  이러한 용액공정간 산화물 박막 트랜지스터 소자 제작을 위해서는 indium gallium zinc oxide(IGZO), indium zinc oxide(IZO), zinc tin ... Stacking하는 채널 물질로는 IZO(Indium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide) 등 다양한 물질들이 보고되고 있는데, 게이트 절연막 위에 ... oxide(ZTO), zinc oxide(ZnO) 등의 산화물 반도체 층이 SiO2 게이트 절연체 위에 코팅되고 200~400 ℃의 높은 온도에서의 열처리 공정을 거쳐야 한다.

  리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08

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  한양대학교 일반대학원 반도체공학과 학업계획서

  Oxide막의 특성에 미치는 산소의 영향 연구, 다중 모드 기술을 통한 비고정 환경에서의 일회성 모방 연구, 의사 난수 논리 BIST를 위한 천이 동결을 이용한 새로운 스캔 전력 ... 연구, 28nm FD SOI CMOS 공정을 사용한 140GHz 저잡음 증폭기 설계 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 rf 마그네트론 스퍼터링으로 증착한 Mg-doped Zinc Tin

  자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.03.03

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  반도체공정 Report-3

  이러한 유전체는 TiN, Ru 등의 전극 물질과의 조합으로 많은 연구가 진행되고 있다. ... 이러한 여러 장점들로 인하여 SiO2를 대체해 gate oxide로 HfO2가 쓰인다. ... HfO2에 의한 연구는 주로 TiN 전극의 이용에 초점이 맞추어 진행되고 있으며 HfO2 단일막 또는 HfO2와 Al2O3의 적층구조에 대한 연구가 주로 이루어지고 있다.

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.11

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  [A+] 면저항 결과 보고서 레포트

  이 조건으로 보 정계수를 계산하여 보면 다음과 같다.C.F = cf1 * cf2 * cf34.532 = 4.532 * 1 * 17) 시편(1) ITO (Indium Tin Oxide ... oxide) - 불소 도핑 된 주석 산화물- 전자, 광학 및 박막 광전지에서 ITO 보다 안정적이고 내마모성이며 비용이 저렴하다.- 전기 전도성, 색상 중립성 및 유연성이 뛰어나다 ... )로 된 막으로 주로 스파터링 방법으로 제조한다.- 고전도율이며 빛이 통할 때 가시광선영역에서 흡수와 반사가 잘 되지 않아 투과가 잘된다.(2) FTO(fluorine doped tin

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.06.23 | 수정일 2023.07.06

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  연세대학교 일반대학원 화공생명공학과 학업계획서

  기반 독립 고분자 마스크를 이용한 3차원 기판상의 유기 박막 트랜지스터 제작 연구, 근적외선 유기 광검출기의 성능 향상을 위한 산화아연막의 열적 어닐링 최적화 연구, Indium-Tin-Oxide

  자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.04.20

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  면 저항

  이 조건으로 보 정계수를 계산하여 보면 다음과 같다.C.F = cf1 * cf2 * cf34.532 = 4.532 * 1 * 16) 시편(1) ITO (Indium Tin Oxide ... oxide) - 불소 도핑 된 주석 산화물- 전자, 광학 및 박막 광전지에서 ITO 보다 안정적이고 내마모성이며 비용이 저렴하다.- 전기 전도성, 색상 중립성 및 유연성이 뛰어나다 ... )로 된 막으로 주로 스파터링 방법으로 제조한다.- 고전도율이며 빛이 통할 때 가시광선영역에서 흡수와 반사가 잘 되지 않아 투과가 잘된다.(2) FTO(fluorine doped tin

  시험자료 | 4페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.11.18 | 수정일 2023.11.23

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  반도체 공정 관련 내용 정리 리포트

  CVD(SiO2, SION) Nitride CVD(SiN) Metal CVD(W, Ti, TiN, Cu)Wafer 열에 의한 damage 가장 많이 받음CVD Film 분류 : Inter ... 순으로Material Safety Data Sheet 보호구 PPESputteringThin film (PVD) : Sputtering Direct(Ti) vs Reactive(TiN ... ) 2) Si3N4(Nitride) nitiride / oxide / wafer H3PO4 통과 못 함Sputter etching (PVD) – nonselectiveWet etching

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.03.12

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  [물리학과][진공 및 박막실험]진공의 형성과 RF Sputter를 이용한 ITO 박막 증착 결과 보고서

  Oxide;ITO)은 거의 모든 용도에서 사용되고 있는 박막 물질이다. ... Electro Luminescence Display; OELD) 등과 그 외 태양전지, 전자파 차폐막 등에 사용되고 있다.이러한 투명 도성 산화막으로서 인듐주석산화물(Indium Tin ... transfer)과 내부 물질을 펌프내의 특정 위치에 잡아 가두는 진공법(gas entrapment) 으로 나눌 수 있다.투명 도성 산화막(Transparent conductive oxide

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.09.23

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  일반화학및실험 OLED실험 레포트

  OXIDE): OLED :양극: 산화전극 ANODEITO를 사용하는 이유: 유연하고 전류가 통하고 빛이 잘 투과하기 때문이다.CATHODE: 음극: 환원전극: 반사형 금속전극 이용 ... 성질을 이용한 자체 발광 소자를 이용한다.2.디스플레이 소재 분야의 응용이 무궁무진하다.3.유연성을 가지는 특징이 있다.[2]OLED의 구조와 각 구성들의 특징ITO(INDIUM-TIN

  리포트 | 2페이지 | 2,500원 | 등록일 2020.12.18 | 수정일 2024.03.11

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  전자기적특성평가_면저항 결과보고서

  FTOFTO(Fluorine-doped Tin Oxide) 또는 불소 도핑 주석 산화물은 ITO와 유사하게 투명하고 전기 전도성이 있는 박막이다. ... ITOITO(Indium Tin Oxide) 또는 인듐 주석 산화물은 다양한 전자기기와 광전자 응용 분야에 널리 사용되는 투명하고 전도성 있는 박막이다.

  리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.01.11

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  [합격자소서] 어플라이드 머트리얼즈 AMK CE 자기소개서

  blocking oxide의 장벽으로 인해 retention 특성이 저하 된 것을 시뮬레이션 데이터를 통해 확인 했습니다. ... 결과값을 그래프로 비교하고 에너지 밴드 다이어그램을 활용해 retention 특성이 우수한 Al2O3와 TiN소재를 선정했습니다.하지만 Metal/High-K 는 상대적으로 낮아진 ... 이를 기존 Poly-Si/SiO2 대신 Metal/HIgh-K 구조를 선정하여 해결하고자 했습니다.High-K 소재는 Al2O3/HfSiO4/HfO2, Metal 소재로는 Ta/TiN

  자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.09.29

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  3-4. AMOLED Transparent OLED report (A0)

  ITO(Indium Tin Oxide) 산화?인듐?주석 등의 투명한 금속 박막을 사용.ETL(-), HTL(+) : 전공?

  리포트 | 8페이지 | 10,000원 | 등록일 2023.07.30 | 수정일 2023.08.18

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  반도체공학실험 보고서(Mos cap, RRAM)

  증착된 film에 lithography로 patterning을 한 후, sputtering(Ta, TiN)으로 gate를 형성한rier와 반대인 minority carrier가 모여 ... 이동하면서 metal oxide에 다수의 vacancy를 형성하게 된다. ... 또한 반응성이 높은 산소 gas로도 thin oxide film을 coating할 수 있다는 장점도 있다.

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.01.13

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  페로브스카이트 태양전지 제작

  그렇기 때문에 FTO (fluorine-doped tin oxide) 또는 ITO (indium tin oxide)를 적용하여 전기가 통하게 해준다.

  리포트 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.02.15

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  Slot die 공정을 통한 페로브스카이트 태양전지 제작 실험

  oxide)나 ITO(iodide tin oxide)를 적용한다. ... 구조는 Figure 1과 같다.Transparent Conducting Electrode (TCE)일반적으로 glass는 전기가 통하지 않기 때문에 FTO(fluorine-doped tin

  리포트 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.02.15

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  On-axis 스퍼터링과 FTS 공정으로 증착한 ZTO 박막트랜지스터의 특성

  한국재료학회 이세희, 윤순길

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.04.05

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