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"이방성식각" 검색결과 41-60 / 105건

  • 35WET_ETCHING
    이온 충격에 의한 물리적 작용이나, 기체 플라즈마에 의한 반응을 이용한 에칭 공정, 주로 이방성 에칭Wet Etching(습식식각)과정 : 반응물질이 용액상태로 들어와서 표면으로 이동 ... liquid-solid) 화학반응에 의해 식각이 이루어지게 하는 에칭 공정, 주로 등방성 에칭 건식 식각(Dry Etching) Chemical을 사용하지 않고 wafer 표면에의 ... 막질과 친수성 막질이 공존하거나 소수성 막질만으로 되어 있는 경우에 Wafer의 표면에 Di-Water에 녹아 있던 O2와 Wafer표면의 Si기가 결합한 SiO2들이 물반점을 형성
    리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18
  • 반도체 솔라셀 기말발표
    습식 식각 (wet etching ) – 등방성 , 정확도 낮음 : 식각용액에 wafer 를 넣어 웨이퍼 표면을 식각하는 방식 건식 식각 (dry etching ) – 이방성 , 정확도 ... Etching( 식각 ) wafer 표면에 불순물을 제거하는 공정 . ... Sputter Etching - wafer 표면에 이온 충격에 의한 식각하는 방식 2.
    리포트 | 32페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.01.23
  • 메모리 반도체 제작 과정 및 이론 설명 ppt
    현 상현상 (Development) 웨이퍼 표면 빛에 노출되어 성질이 변한 감광막을 현상액을 사용하여 제거 시키는 공정 성 가능 . □ 이방식각 (Anisotropic etching ... Dry etching식각 (etching) 식각모드 그림반응성 이온식각 (RIE) Company Logo식각 (etching)- 반응성 이온식각식각 (etching) 감광막 제거 ( ... ashing )식각 (etching) Dry 플라즈마 고주파 자외선 오존 Wet 솔벤트 비용매용액 Wet 솔벤트 ashing식각 (etching) 저진공 Working pressure
    리포트 | 72페이지 | 10,000원 | 등록일 2013.04.22 | 수정일 2023.04.24
  • 건식식각
    시스템 구성 이방식각 ICP- RIE 의 식각 메커니즘Wet etching? ... 진행되는 것을 막는 패시베이션 층으로서의 역할을 한다 .패시베이션 공정건식식각의 장점 이방식각이 가능 → 미세한 패턴 화학물질을 사용하지 않아 비용이 저렴 ( 습식식각에 비해 ... 박막두께와 선폭이 감소 , 소자의 구조가 더욱 복잡해짐 이에 따라 높은 이방식각과 선택도 , 선폭의 제어 균일도 확보 , 손상과 오염의 최소화가 요구됨ICP – RIE 란 ?
    리포트 | 25페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.06.13
  • 드라이에칭
    시스템 구성 이방식각 ICP- RIE 의 식각 메커니즘Wet etching? ... 진행되는 것을 막는 패시베이션 층으로서의 역할을 한다 .패시베이션 공정건식식각의 장점 이방식각이 가능 → 미세한 패턴 화학물질을 사용하지 않아 비용이 저렴 ( 습식식각에 비해 ... 박막두께와 선폭이 감소 , 소자의 구조가 더욱 복잡해짐 이에 따라 높은 이방식각과 선택도 , 선폭의 제어 균일도 확보 , 손상과 오염의 최소화가 요구됨ICP – RIE 란 ?
    리포트 | 25페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.06.02
  • LCD에 대한 모든 자료 입니다.(의미, 종류, 특징, 역사, 구조, 제조공정, 응용분야, 향후 연구개발 등)
    .※ 액정(Liquid Crystal)의 특징1) 유기화합물로써 가늘고 긴막대모양의 분자 구조2) 액정상(고체와 액체의 중간)3) 끈적한 유동성의 액체4) 광학적으로 이방성의 결정이러한 ... 물질로 변하는 현상을 이용한 식각방법이다. ... TFT 공정TFT공정은 반도체 제작 공정과 매우 유사하며, 증착공정(deposition) 및 사진 식각공정(Photolithography), 식각공정(Etching)을 반복하여 유리
    리포트 | 23페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.01.03
  • 기계공학응용실험 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 예비보고서 (2)
    이방식각의 대표적인 예는 KOH나 TMAH를 식각 매개체로 하는 경우의 결정방위 의존성 식각이다. (110)면을 표면으로 하는 기판을 이용하여 그 표면에 마스크를 이용하여 식각할 ... 이와 달리 결정면에 따라 식각 속도가 다르거나, 결정면에 상관없이 특정 방향으로만 식각이 진행될 경우는 비등방성(Anisotropic) 식각이라 한다. ... 대표적인 벌크 마이크로머시닝 방법은 3가지로 분류할 수 있으며, 식각 매개체의 상태에 따라 액상 식각, 기상 식각, 플라즈마 건식 식각으로 나눈다.
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.01.10
  • [A+] LCD 디스플레이 개념, 특성, 분류, 형대, 구동방식 및 동작방식, 제조공정 방법 구조 분석
    ( 관찰 방향이 달라져도 성질은 변하지 않는 것 ) 액정 : 유동성의 액체이며 , 광학적 이방성 ( 방향에 따라 물질의 광학적 성틱의 평행구조 나선형 구조 분자축 배열의 어긋남 EX ... ) 카이랄 (chiral) 화합물E - 외부에서 입사하는 빛을 이용 - 비발광형 디스플레이 - 복굴절성 , 선광성 , 2 색성 , 광산란 성 , 선광분산의 성질로 시각적 변화 6 액정과 ... : 화학용액 생산성 우수 / 저렴 Dipping 과 Spray 건식식각 : 플라즈마 방전 우수한 정밀도 진공에서 반응가스와 플라즈마의 방전 24 A-Si TFT 의 구조와 공정 식각공정25
    리포트 | 33페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.04.26
  • 박막재료의표면처리및식각실험(예비).
    이것은 높은 이방성 Etching을 할 수 있으나 선택도는 떨어지는 편이다. ... 그러나 라디칼이 존재하는 한, 가로 방향으로의 Etching도 진행되기 때문에 완전하게 이상적인 이방성 Etching은 없다. ... 따라서 위의 F계 가스 대신에 Cl2등 염소계 가스를 이용하여 Si의 Etching을 행하면 더욱 양호한 이방성 Etching이 얻어진다.
    리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.09.23
  • 박막 에칭
    의해 생성) ① 플라즈마 가스의 화학반응 이용 ② 식각율 : RF 전력, 가스 압력, 기판 온도 ③ 이방식각이 가능- 특성 - ① etch 시간단축 ② 오염방지 ③ PR 마스크 ... ,원자,분자substralesubstraleplasma휘발성 반응물질생성반응종substrale반응종반응종전계이온,전자,광전자휘발성반응물건식 식각이온식각반응 식각(reactive etching ... , 전자, 광자들에 의한 표면 화학 반응 및 휘발성 물질 생성가장 자리 윤곽이온,원자 혹은 분자Substratefilmmask휘발성반응성 생성filmmask반응종substrate휘발성반응성
    리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.05.13
  • [공업화학실험] 식각실험 예비보고서
    웨이퍼가 장착된 하단 전극판은 용기에 전기적으로 직접 연결되어 있으므로 웨이퍼 쪽에 형성되는 전위차가 적으며 이온들의 가속이 크게 되지 않아 이방식각보다는여준다. ... 따라서, 선택성 특성은 좋으나 등방성 식각 특성을 보인다.습식 식각은 보통 등방성 식각이 되므로 수직 방향뿐 아니라 부평 방향으로도 식각이 이루어진다. ... 등방성 식각 성질을 나타내며, 이온빔의 충돌로 인해 발생하는 방사손상이 발생하지 않는다. eon분의 원통형 식각 장치는 0.5~2.0torr의 고압에서 작동된다.2) 하류 식각장치
    리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.07.23
  • 박막 재료의 표면처리 및 식각 실험 예비보고서
    이방성 에칭방향과 같게 에칭되는 경우를 등방성 에칭, 수직방향으로만 에칭되는 경우를 이방성 에칭(Anisotropic)이라고 한다. ... 초LSI와 같이 정밀한 치수가 요구되는 가공에는 이방성 에칭 방법이 좋다. 이방성 에칭과 더불어 중요한 것은 에칭 선택성이다. ... 반응성 이온 식각장치 사용하여 적절한 식각가스와 식각가스를 선택하여 식각 실험을 진행한다.(4) 식각된 산화막의 표면, 표면 색깔과 패턴 관찰 - 광학현미경 관찰(5) 마스크 패턴의
    리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.03.20
  • 새로운 재료 제거 가공 방법 아이디어
    RIE 기술은 보통 크리닝, 디스컴등에 사용을 하며, 여러종류의 필름(전도성, 유전성)을 에칭한다.②용도/특징CF4와 O2 가스를 이용하여 진공상태에서 각종 물질의 이방식각이 가능하다③응용분야 ... 플라스마 상태로 하여 플라스마 중의 이온의 작용에 의해 에칭하는 반응성 이온 에칭법으로서, 기판면의 수직 방향으로만 식각이 진행되는 이방성(異方性) 에칭이 실현되기 때문에 초대규모 ... 써 마주 보고 있는 두 개의 평행판형 전극에 고주파전 원을 인가하여 플라즈마 상태에서 반응성가스를 활성 화시켜 식각시키고자 하는 물질을 화학반응을 일으켜 휘발성물질로 만들어 식각하는
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.03.30
  • Photolithography
    때문에 이방식각인 경우가 많다.⑥ 감광제 제거 (Photoresist removal)본연의 역할을 수행한 감광제는 유기 용제나 산성 또는 염기성 용액을 이용퍼를 'spin quarter'에 ... 일반적으로 화학적인 방법은 화학 반응이 모든 방향에 대해서 균일하게 일어나기 때문에 등방성 식각인 경우가 많으며, 물리적인 방법은 이온이 방향성을 가지고 막과 충돌하여 그 막을 식각하기 ... 가속도도 막 두께와 균일성에 영향을 미친다. 높은 가속일수록 균일한 막을 얻을 수 있으며 edge bead 도 줄일 수 있다.
    리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.09.26
  • 공업화학실험 박막식각 예비보고서
    때문에 이방식각인 경우가 많다.(6) 감광제 제거 (Photoresist removal)-본연의 역할을 수행한 감광제는 유기 용제나 산성 또는 염기성 용액을 이용하여 제거된다. ... 일반적으로 화학적인 방법은 화학 반응이 모든 방향에 대해서 균일하게 일어나기 때문에 등방성 식각인 경우가 많으며, 물리적인 방법은 이온이 방향성을 가지고 막과 충돌하여 그 막을 식각하기 ... etching.플라즈마 용접, 절단-Plasma의 고온을이용한 재료의 가공.Plasma 용사-고융점 분말을 Plasma로 녹여 고체 표면위에 coating시켜 내열, 내식, 내마모성등을
    리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.04.05
  • 반도체의 기본구조,동작원리,제작과정(MOSFET)
    따라서, 선택성 특성은 좋으나 등방성 식각과 비등방성 식각으로 나누어진다. 습식 식각은 보통 등방성 식각이 되므로 수직 방향뿐 아니라 수평 방향으로도 식각이 이루어진다. ... (등방성식각 및 비등방성 식각)(플라스마를 이용한 반응성 식각)- 불순물 주입 공정ㆍ 반도체 재료가 소자로 되기 위해서는 불순물 도핑에 의해 재료의 특성이 변해야 한다. ... 비등방성 식각 특성은 세밀한 패턴을 형성하는데 꼭 필요하므로 VLSI 공 정에서는 거의 건식 식각을 사용하게 된다.
    리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.06.20 | 수정일 2014.11.19
  • 박막재료의 표면처리 및 식각실험(예비)
    이것에 의한 Etching속도로 이방성이 만들어 진다. ... 그러나 라디칼이 존재하는 한, 가로 방향으로의 Etching도 진행되기 때문에 완전하게 이상적인 이방성 Etching은 없다. ... 따라서 위의 F계 가스 대신에 Cl2등 염소계 가스를 이용하여 Si의 Etching을 행하면 더욱 양호한 이방성 Etching이 얻어진다.
    리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.07.28
  • 그래핀(신소재)
    하지만 각 층의 힘은 대단히 강하며, 또한 층방향으로는 전도성을 띄기 때문에 전기적인 응용에 대한 잠재성을 갖는다. ... 효과 측정英 캠브리지大☞라만 분광법을 이용한 단원자층 분석법 제시美 UC버클리大☞그래핀 나노 리본이 전기장 하에서 반금속 성질을 보임을 이론적으로 계산2007美 컬럼비아大☞전자빔 식각법에 ... AIST☞그래핀 가장자리 미세구조의 전자현미경 분석美 오하이오大☞suspended 그래핀의 부도체 특성 예측英 멘체스터大☞그래핀의 수소화 반응을 이용한 소자美 컬럼비아大☞그래핀 양자 이방구조소자연합뉴스
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.09.09
  • TFT 기술개요, 단위공정&개선기술, 응용 및 최근기술 동향, 기술 관련 특허
    IBE(Ion Beam etching, Dry physical etching)- 낮은 압력과 높은 이온 에너지에서 반응높은 이방성2.1.3 포토리소그래피 공정(Photo-Lithography ... 또한 낮은 공정온도에서도 제작이 가능하기 때문에 구부릴 수 있는 유연한 Display로의 응용도 가능하여 그 잠재성은 무한하다고 할 수 있다.04 기술 관련 특허발명의 명칭금속 실리콘 ... 이용하여 식각 공정 진행해결하고자 하는 과제조성물 중량 조절 식각액 이용의 효과개발의 필요성 : 구리막과 몰리브덴막을 효과적으로 일괄 식각할 수 있는 식각 액 조성물 및 이를 이용한
    리포트 | 16페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.03.08
  • 습식 에칭 기술
    식각속도가 다른 이방성(anisotropic) 식각의 두 가지 성질을 가지고 있다. ... Etching(식각) 공1Fig. 2. 이방식각의 공정3Fig. 3. 스프레이 패턴의 차이에 따른 면내 균일성4Fig. 4. ... 다결정(poly crystal) 실리콘이나 비정질(amorphous) 실리콘은 모두 등방성 성질을 보여주지만 단결정(single crystal) 실리콘은 식각 용액에 따라 이방성과
    리포트 | 20페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.12.19
AI 챗봇
2024년 09월 03일 화요일
AI 챗봇
안녕하세요. 해피캠퍼스 AI 챗봇입니다. 무엇이 궁금하신가요?
4:23 오후
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- 작별인사 독후감
방송통신대학 관련 적절한 예)
- 국내의 사물인터넷 상용화 사례를 찾아보고, 앞으로 기업에 사물인터넷이 어떤 영향을 미칠지 기술하시오
5글자 이하 주제 부적절한 예)
- 정형외과, 아동학대