"Capacitors in DRAM" 검색결과 41-50 / 50건

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  DRAM SCHEDULER의 효율성 실험 설계

  현재 사용되고 있는 1 Transistor - 1 Capacitor (1T-1C) DRAM과 달리 capacitor를 만들 필요가 없어서 고집적화에 유리하다는 장점 때문에 1T-1C ... 두 종류의 비교할 수 있는 코드를 구현하였는데, 하나는 기본적인 프로토콜만 만족하는 First in First out(FIFO)e한 값들을 제대로 read했는지 확인할 수가 있었습니다 ... DRAM, DRAM controller, Scheduler 3개의 module을 구현하였으며, DRAM 컨트롤러는 activate, precharge, read, write, refresh

  논문 | 13페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.04.18

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  [고체물리]차세대 메모리

  캐패시터 대신 활용하는 것이다. ... 그 결과 수십 Mbit/in2에 머물렀던 HDD의 집적도는 GMR 헤드의 출현으로 오늘날의 수십Gbit/in2로 급속히 그 기록밀도를 상승 시킬 수 있었다.CMR초거대 자기저항은 거대 ... Fert와 공동작업자들이 Fe와 Cr의 나노 크기 다층을 겹겹이 쌓으면서 발견한 나노크기의 현상이다(Baibich et al. 1988).

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.06.12

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  p-ram

  감소하므로 캐패시터를 소형화하기곤란한 DRAM과 같은 Scalability 에서의 난재를 안고 있다.MRAM은 TMR(Tunnelling Magnetoresistive)막의 특성 ... , GeTe, Bi-Se-Sb, Pd-Te-Ge-Sn1987GeTe-Sb2Te3, (Ge2Sb2Te5, GeSb2Te4), In-Se-TI-Co1988In-Sb-Te, In3SbTe21989GeTe-Sb2Te3 ... 급의 성능특성을 구현 할 수 있는 차세대용 유망 메모리로는 FeRAM,MRAM,PRAM이 제품화에서 선행하고 있지만 에칭공정이 용이치 않고 셀크기 감소에 따라 사발분그의 신호마진이

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.09.28

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  박막 증착 기술 (Thin Film Deposition Technology)

  Suntola in Finland. ... and MRAM dielectrics Embedded Capacitors All thin films ( 90nm) Electromagnetic Recording HeadsApplication ... Flat-Panel Displays - Organic Light Emitting Diodes (OLED) Interconnect BarriersInterconnect Seed Layer DRAM

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.03.21

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  반도체 부품의 기능 및 응용 예

  DRAM은 Capacitor에서 전기를 축적시키는 형태로 정보를 기억, 읽는 메모리이며 캐퍼시터 로부터 전기가 흘러버리기 때문에 항상 정보를 다시 입력하는 기억 유지 동작(Refresh ... Computer Add-In card의 기능 구현 logic 및 controller(sound card, FAX,modem, MPEG/video overlay board 등)6. ... 냉장고, 세탁기, 선풍기, 에어컨 등의 각종 가전 제품의 제어기(controller) 및 logic 회로2. 오디오/비디오 기기의 음원 IC 및 controller3.

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.11.07

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  [정보저장재료] MRAM

  캐패시터 대신 활용하는 것이다. ... 그 결과 수십 Mbit/in2에 머물렀던 HDD의 집적도는 GMR 헤드의 출현으로 오늘날의 수십Gbit/in2로 급속히 그 기록밀도를 상승 시킬 수 있었다.CMR초거대 자기저항은 거대 ... Fert와 공동작업자들이 Fe와 Cr의 나노 크기 다층을 겹겹이 쌓으면서 발견한 나노크기의 현상이다(Baibich et al. 1988).

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.01

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  [반도체의 원리] 반도체의 원리 및 응용

  하나의 기억소자는 1개의 트랜지스터와 1개의 캐패시터롤 구성되어 있는데, 예를들 어 16M DRAM은 손톱만한 칩속에 트랜지스터와 캐패시터가 각각 1600만개씩 내장된 고집적 첨단메모리제품으로 ... DRAM에 비해 집적도가 1/4정도이지만 소비전력이 적고 처리속도가 빠르기 때문에 컴퓨터의 캐쉬(CACHE), 전자오락기등에 많이 사용된다. ... 실리콘웨이퍼의 경우 직경크기에 따라 4, 5, 6, 8, 12 inch의 크기를 사용하고 있다.

  리포트 | 30페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.10.09

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  D램반도체와 플래시반도체

  이후 1967년 IBM의 Dennard박사에 의해 1 MOS Transistor + 1 Capacitor DRAM Cell이 발명되었고 1970년 Intel사에 의해 1Kb MOS ... 그러나 In-Stat 그룹에서는 FRAM 시장이 성장하기는 하겠지만 플래시가 희생자가 되지는 않을 것이라고 믿고 있다. ... 비휘발성 메모리 사이의 기본적인 차별화 요소는 기록 소거의 용이성(ease of erase)과 최소 소거가능 크기(granularity of erase)이다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.04.25

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  [전자.물리]반도체에 대해서..

  Se, ZnO, 유기반도체ZnS, ZnO 등ZnS, ZnSe 등Si, Ge, GaAs, Se열전변화재료열전발전재료열전냉각재료열전자방출재료서미스터 재료발열재료PbTe, MnSi2, In ... ) 쓸 수 (Write)있는 램(RAM)제품과 읽기만 할 수 있는 롬(ROM)제품과 기타 스페셜메모리로 구분된다.RAMDRAM, SRAM, VIDEO RAM, SYNCRONOUS DRAM ... 해질수록 서로 연결해주어야 하는 부분이 기하급수적으로 증가하게 되고 바로 이 연결점들이 제품을 고장내는 주요 원인이 되었던 것이다.▣ 집적회로여러 개의 전자부품들(트랜지스터, 저항, 캐패시터

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.05.06

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  [디지털공학] 램&롬&디지털공학

  바이트는 항상 8비트로 구성되고,마이크로컴퓨터에서 가장 일반적인 워드크기이다.- 커패시터(capacitor): 여러 비트들은 특별한 메모리소자나 메모리시스템에 어떤 특별한 방법 으로 ... DRAM칩들은 1024K×1과 256K×4의 용량으로 되어 있다. 4비트 워드크기를 갖는 DRAM은 어레이에 있는 각 위치가 4개의 셀을 포함하고 있으며, 각 인가 어드레스가 읽기와 ... 후에 기 술하겠지만, 워드크기는 적절한 배열로 몇 개의 칩들을 조합함으로써 얻을 수 있다.

  리포트 | 31페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.03.12

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