"Focus Ion beam" 검색결과 41-60 / 63건

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  Auger Electron Spectroscopy(AES)

  그리고 전자빔은 1μ이하로 작게 할 수 있기 때문에 beam focusing이 가능하며, depth profiling을 이용하게 되면 3차원 구조도 알 수 있다. ... Analyzer CAE(Constant Analyzer Energy mode) CRR(Constant Retard Ratio) (3) UHV chamber (10-10 torr) (4) Ion ... 이온 식각은 ion gun에 의하며, 보통 computer에 의해 자동적으로 이온 식각과 스펙트럼 측정을 순차적으로 진행시키면서 결과를 얻는다.AES분석의 종류Concentration-depth

  리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.13

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  Physical metallurgy 정리_metal structure, crystal bonding

  Secondary electron 은 주로 raster 로부터 beam 아래로 directly 오기 때문에 high resolution 을 가짐 13 / 20Chapter 2. ... Plane of optimum focus 에서 선명한 초점이 이루어지며 , depth of focus 에서 유지됨 2.15 Microanalysis of specimens -. ... Optimum focus 를 유지하는 depth range -.

  리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.02.09

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  (PPT)SIMS

  종류Ion source의 종류Ion source의 종류Ion gun 구성 개략도Mass spectrometry의 종류double-focusing mass spectrometerMass ... source : O2- and Cs+ beam diameter Cs: ≤ 0.2 ~ 200 um O: ≤ 0.3 ~ 200 um mass resolution: 25,000 (10 ... source●Gaseous field ionization ion source●The canilaritron ion gun●The saddle field source●Ion source의

  리포트 | 23페이지 | 3,500원 | 등록일 2008.02.22

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  공주대 반도체제조공정 중간고사 족보

  ion beam)------------------------------------------------▶진공의 이익1.깨끗한환경조성:습기,파티클,먼지등 깨끗하게처리2.낮은분자밀도: ... spectronscopy)6.tem(transmission electron micriscipy):단면확인7.eds(energy dispersive x-ray spectronscopy)8.fib(focused ... 프로세서에 일정한 양의 액증착(확산)2photolithography:wafer에 패턴을 만들기위한 사진찍는 공정3dry etch:포토공중에 의한 pr패턴을이 이용하여 박막에 패턴을 형성4ion

  시험자료 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.11.08

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  FE-SEM (주사 전자현미경)의 기본 원리

  0.7kVSpecimen : SiO2 on Photo Resist Line PatternObservation at lower accelerating voltagesMovable aperture and Focus ... MicroscopeMagnifying mechanism in the SEMScanning(Y)Scanning (X)lScanning Electron ProbeS E MSpecimenScanning Electron Beam ... gauge (Pi)Penning gauge (Pe)Air～1Pa1×10-3 ～1×10-9Pa10Pa～1×10-4Paｲｵﾝﾎﾟﾝﾌﾟ放電電流 Electric Discharge of Ion

  리포트 | 51페이지 | 3,500원 | 등록일 2008.05.29

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  반도체공정 (Etching & Doping)

  scanning, hybrid scanning, parallel scanning 등이 있다.Figure 2.12 Electrostatic ion beam scanning of wafer전압으로 ... Analyzing magnet④ Accelerator : 전위차가 V인 두 지점을 지나게 하면 이온의 최종 에너지는 qV가 된다.Figure 2.10 Acceleration column⑤ Focusing ... and extraction assembly housing③ Mass analyzer magnet- Ion source에서 뽑아낸 이온을 다단형의 accelerator에서 가속한 후

  리포트 | 29페이지 | 4,500원 | 등록일 2007.01.27

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  [고분자공학]리소그래피(lithography)

  Ion Beam Lithography그림 11에서 Ion Beam Lithography 노광장비 개요를 보이고 있다. ... Ion Beam LithographyIon Beam Lithography는 Electron Beam이나 X-Ray Lithography 보다는 소수의 Group이 연구해왔으나 이론적으로는 ... Ion Beam Lithography HYPERLINK "http://physio_therapy.hihome.com/process1.htm" \l "제3장#제3장" 제 3 장 Resist

  리포트 | 41페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.03.02

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  Lithography

  Ion milling(=Ion etching) uses Ar+ to bombard the wafer surface. ... The wavelength(λ) of the illumination The numerical aperture(개구수) Focus is maintained : depth of field6 ... A 60-400KeV beam of electrons is used to illuminate a thin sample only 0.how}

  리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.01.18

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  이온빔 리소그라피

  이온빔 리소그라피 중 현재 가장 많이 적용되고 있는 것은 FIB (Focused Ion Beam) 리소그라피인데, 아직까지는 마스크의 불량부위를 수선하는 정도로 사용되고 있다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.12

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  라만 분광법(Raman Spectroscopy)

  lens - Focusing lens 위치 바꾸어 가며 Laser Beam을 시료에 집광Focusing lense▶ Raman Spectroscopy의 구조시료 / 셀 - 액체 셀 ... *형광을 피하기 위해 Nd/YAG488 or 514.5 530.9 or 647.1 632.8 782 or 830 1064Argon ion Krypton ion Helium/Neon ... - 고체 셀시료/셀▶ Raman Spectroscopy의 구조산란 Focusing - 모니터로 signal을 관찰하면서 Raman 산란 강도가 가장 높게 나오는 곳에 focusing

  리포트 | 28페이지 | 2,500원 | 등록일 2006.12.07

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  SEM의 이미지 생성원리

  증착재료로는 일반적으로 금, 탄소가 많이 사용되고 있다.② Ion sputter법가장 널리 손쉽게 쓰여지는 방법이다. ... 검출방법에 따라 이들을 EBIC (Electron Beam Induced Current) 혹은 전압 대조라 하고, 반도체 소자의 연결결함 검사, 작동상태의 검증 등에 활용된다. ... OM과 SEM 의 image를 보고 차이점을 말하고 그 이유를 설명하시오.SEM 은 electric, magnetic field를 이용해 electron focusing을 통해 object의

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.01.07

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  SIMS에 대하여

  Ion Extraction and Transferdouble-focusing mass spectrometerMass Spectrometers higher resolution  ... sample로 이동함  Mass filter는 빔에 존재하는 불순물을 제거  Electrostatic lenses와 apertures는 primary ion beam의 강도와 폭을 ... 제어  Electrostatic deflectors는 primary beam이 sample위에 균일하게 도달하게 함SIMS Primary Ion ColummElectrostatic

  리포트 | 34페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.09

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  [공학]미세구조분석

  Ion Beam) FIB 기술은 집속된 이온빔을 이용하여 시편표면을 서브마이크론 수준의 정밀도로, 식각(milling)과 증착(deposition)을 할 수 있는 기술 응용분야 식각과 ... 주로 Si(Li) 또는 Ge 반도체소자가 이용 입계에서 탄화물의 생성으로 인한 크롬의 고갈여부확인 입계에서 주요 합금 원소의 고갈 및 농축 확인 비금속 게재물 성분 분석FIB (Focused

  리포트 | 23페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.08

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  lithography

  obtained with (a) isotropic wet chemical etching and (b) dry anisotropic etching in a plasma or reactive-ion ... are in close proximity; (c) projection printing, in which light source is scanned across the mask and focused ... 때 입사광에 대해 기울어진 방향에서 보면 빛의 통로가 흐릿하게 보이는 현상2.6.2 Scanning Electron Microscopy Low-energy (0.5~40keV) beam

  리포트 | 33페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.01.18

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  [전자재료]SEM&XPS에 대하여

  초점 맞춤Vacuum system Remove air molecules Electrical Optical System Focus and control the e-beam Specimen ... 기판근처에서 퍼짐 – 박막의 평탄도 문제 해결Magnetron sputteringNi-Fe(50:50) target, Sputtering yield(S) for 1000eV Ar+ ions ... ×1.4 = 62: 38 The surface of the target becomes F하는 전자빔 제거, 전자빔 집광Coherent 한 전자빔 형성scanningScanning beam

  리포트 | 41페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.08.07

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  단순 염색과 현미경

  Beam을 분리시키는 방법은 "Doube focus system"과 "Shear system"의 2가지가 있다. ... Double focus system에서는 object beam이 시편 면에 초점이 맞추어지지만 reference beam은 시편의 아래 혹은 위쪽에 초점이 맞추어져서 시편에 대한 정보는 ... 결합한 염기성 색소를, (+)으로 대전하는 조직은 (-) ion의 결합한 산성색소를 흡착하여, 색소입자가 조직 내에 침착한다.※ 현색과 매염· 현색 : 현색물질이란 염료가 요철형으로

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.03.14

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  유도결합 플라즈마 질량분석법

  Einzel lens는 skimmer cone 으로부터 나오는 넓은 ion beam을 보다 좁은 beam으로 focusing하는 three-cylinder lens 이다. ... Einzel lens를 통과한 ion beam 은 Bessel lens라 불ode 형태의 channel electron multiplier(CEM)을 검출기로 이용하고 있다. fig ... 이 분석법은 ICP에서 생성된 singly charged analyte ion을 추출해서 mass spectrometer로 측정하는 기술이다.

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.03.05

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  화학공학-공업기기분석-X선과 X선 회절분석1

  Direct Beam 은 아주 강하므로 입사되지 않도록 한다. 강한 X선(X-rays)은 계수관의 수명을 단축시킨다. (2) 계수관은 기계적인} ... 사용하는 경우에도 전압, 전류를 급하게 변화시키지 않는다. (2) X선관(X-ray Tube)의 허용부하, 허용전류 이하에서 사용한다. (3) X선관(X-ray Tube)의 교환, Focus ... 형광판형광작용반도체 검출기(Solid-state Detector, SSD)위치민감형 비례계수관비례계수관(Proportional)GM 계수과(Geiger-Muller Counter, GMC)전리함(Ion

  리포트 | 35페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.05.31

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  [나노가공] Nano Technalogy(나노공학)

  나노 형상 가공 기술접촉식LithographyImprint Stamping Embossing Injection Molding 미세액적제어 대면적화기술비접촉식Lithographye-Beam ... Violet Lithography EPL : Electron Projection Lithography 4) PXL : Proximity X-ray Lithography 5) IPL : Ion ... wafer 기준)이상의 throughput을 기대할 수 있다. ② 작은 NA(Numerical Aperture)와 작은 파장을 사용함으로써 높은 해상도 및 큰 DOF(depth of focus

  리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.10.01

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  [재료] X-ray

  원소, Focus size 등에 좌우됨) 2KW 전후인것에 반해, 이 방식은 18KW가 보통이며, 90KW가 되는것도 시판되고 있다.ⅱ)냉각전자가 가지고 있는 Energy의 0.1 ... 것이므로, X선(X-Rays)과 물질의 상호작용을 이용하여 감지가능한 형태로 변환하지 않으면 안된다.일반적으로 다음과 같은 방법이 이용된다①사진작용-사진필름②이온화 작용-전리함(Ion ... 법이 이용되나, 일반적으로는 집중법이 이용된다.집중법은 평행 Beam 법에 비하여 분해능이 좋고 회절 X선의 강도가 강하다.평행 Beam법집중법의 원리②고니오메타(Goniometer

  리포트 | 25페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.06

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