"SiC 전력반도체" 검색결과 41-60 / 187건

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  LED와 ELD의 발광 메커니즘

  반도체 조명은 일반 조명에 비해 50%의 전력만 소모하므로 국가 총 전기에너지의 10%를 절감할 수 있다. ... 또한 대형 옥외 LED 디스플레이의 응용이 진행되어 온 최근에는 LED 램프의 집적기술, 복수소자의 단위화, 저소비 전력화 등의 기술 개발이 요망된다. ... LED의 최종색인 청색 led는 SiC로 수년전에 실용화되어, pilot lamp가 시장에 공급되고 있다.

  리포트 | 14페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.04.11

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  LED의 발광의원리

  LED의 최종색인 청색 led는 SiC로 수년전에 실용화되어, pilot lamp가 시장에 공급되고 있다. ... LED의 기본 특성① 광 변화 효율의 기존 광원 보다 높으며 , 에너지 소비량이 백열전구의 10분의 1, 형광등의 2분의 1정도로 매우 적다.② LED는 크기가 소형이고 전력소비가 ... 소등 속도가 9~10초 정도로 매우 빠르며, 전류에 의한 광출력 제어가 가능하다.⑦ 안정적인 직류 점등방식으로 소비전력이 작고, 고반복, 펄스 동작이 가능하며 시신경의 피로를 감소시킬

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.04.11

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  그래핀(신소재)

  따라서 그래핀이 실리콘을 대체할 최고의 후보자로 떠 오르고 있다.전자의 속도를 향상 시킨다는 것은, 예를 들어 실리콘 보다 무려 50-500배 빠르게 향상시키면, 이는 저전력에 더욱 ... 그래핀 분리美 컬럼비아大☞AFM 팁 끝에 터닝된 흑연 결정을 부착한 후 기판에 옮김英 멘체스터大美 컬럼비아大☞그래핀 단원자층에서 분수 양자홀 효과 측정2006獨 프리츠하버 연구소☞SiC ... 비록 이 속도가 진공 중의 빛의 속도보다 300배나 느린 것이지만 일반 도체나 반도체 내의 전자의 속도보다는 훨씬 빠른 것이다.반도체 산업들은 지금 실리콘의 성능을 뛰어 넘을 새로운

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.09.09

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  수소화 비정질 실리콘

  미세구간 정렬성을 가지고 있다 .박막 및 진공공학 Unit 02 ㅣ 수소화 비정질 실리콘 01 ㅣ 원자구조박막 및 진공공학 Unit 02 ㅣ 수소화 비정질 실리콘 02 ㅣ 상태밀도 반도체 ... 비정질 실리콘 06 ㅣ 수소화 비정질 실리콘의 합금화 실란에 메탄 (methane) 이나 게르마늄 수소화물 (germane; Ge ) 을 섞어주면 수소화 비정질실리콘카바이드 (a- SiC ... 비정질 실리콘 태양광 발전소 ( 설치용량 1MW) 매년 1 백만 kwh 의 발전량을 예상 . 30~50W 의 정격 출력을 갖는 독립형 태양광 시스템으로 , 전력선의 접근이 어려운 고립지역이나

  리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.05.11

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  LED(Light Emitting Diode)

  발생시키거나, 형광등, 백열등과 같이 열을발생시키는 방법에 비해, 훨씬 안정적인 광을 얻을 수 있다는 장점을 가지고있다.또한 재료에 따라 결정되어지는 에너지갭의 크기에 따라 소비전력이 ... 일반적으로 Al203 이나 SiC 기판이 많이 사용되며, GaN,ZnO, 실리콘 기판 등 다양한 재료들이 사용되고 있다.Light IP+HoleElectronNR -Heat( LED ... 때문이다.LED는 Light Emitting Diode의 약자로 발광소자라고 부르고 있는데 발광소자는 양극과 음극의 에너지갭 차이를 넘어서는 전압을 가하면 도체 성질을 나타내는 반도체소자로

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.12.22

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  LED 표준화 사례 조사

  표준화 배경 및 사례 요약 조명에너지 절약효과 우리나라 조명전력과 절전 잠재량 우리나라 총 발전설비 : 약 6,800 만 kw 조명전력 : 총 발전량의 20% 조명전력의 30% 절감 ... 니치아의 대표기술 - PSS 기술 , 버퍼 , 클레드층 성장 등 루미네드 대표기술 - 패키장 , water bonding 등 크리의 대표기술 - SIC 에피 , chip shaping ... 만 GWh 조명용 소비전력량 30% 절감  33 만 GWh x 0.2 x 0.3x 100 원 / kwh = 1 조 9,800 억원 1-3 LED 조명의 효과1.

  리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.05.01

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  LED 원리와 개발 방향

  초창기엔 ZnSe계나 SiC의 물질도 청색 LED의 원료로 사용되었으나 그 휘도가 너무나 낮았다. ... , 신호등, 자동차 헤드라이트 등 차세대 광원의 자리를 차지하기 위해 하루가 다르게 영역을 넓히는 중이다.LED의 장점은 점광원의 형태란 점으로 설치공간의 제약에서 벗어났으며 소비전력 ... 이후의 연구는 고휘도를 가지면서도 GaN보다 싼, EL 효과를 낼 수 있는 반도체 물질을 찾는 방향으로 이루어지고 있을 것이라 생각된다.

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.10.12

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  장학금 자기소개서 (sop, statement of purpose, 총 1억 이상의 장학금을 수여받음)

  최근 반도체 재료로서 큰 관심을 모으고 있는 실리콘카바이드(SiC)와 갈륨나이트라이드(GaN)는 기존의 실리콘(Si)에 비하여 성능 지수(figure of merit)가 500배나 ... OOO 교수님은 전력전자와 전력시스템에 관한 많은 연구들을 하고 계시며 특히나 신재생에너지와 전력 반도체에 관한 연구들을 중점적으로 진행하고 계십니다. ... 반도체를 연구할 것입니다.

  자기소개서 | 3페이지 | 4,900원 | 등록일 2013.07.12 | 수정일 2017.01.29

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  LED 열화 메커니즘

  LED의 온도(열)에 의한 요인가) 반응을 촉진하는 파라미터로서 온도가 가장 중요한 파라미터임나) LED 칩에 전류를 인가하면 다이오드와 내부저항 각각에 전압이 발생함 → 각각의 전력손실에 ... 이러한 결정의 변형이나 결함에 의해 LED의 발광효율이 저하됨선팽창계수(10{} ^{-6}K{} ^{-1})열전도율(Wm{} ^{-1}K{} ^{-1})Sapphire7.5~8.530SiC ... LED 관련부품에 사용되고 있는 수지, 형광체, 솔더, 전극금속, 반도체결정에 변질이나 기계적 불량을 일으킴5.

  리포트 | 11페이지 | 2,500원 | 등록일 2014.07.02

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  Chip Fabrication Process

  노의 중심 아래쪽 관은 보통 깨끗한 석영으로 만들어지며 SiC와 다결정질Si관도 사용된다. ... 바깥쪽 영역에서는 노의 끝에서 잃게 되는 열을 보상해주기 위해서 더 큰 전력으로 동작된다. 그러므로 비교적 긴 중심영역은 ±1℃의 균일한 온도로 유지되게 된다. ... Chip Fabrication Process앞으로 반도체를 배워나가게 되는데 그에 앞서 미리 반도체의 공정과정에 대하여 알아보도록 할 것이다.

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.02.11

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  MESFET의 특징

  MESFET는 비소화 갈륨, InP, 또는 SiC과 같은 고품질 표면 안정화가 모자란 화합물 반도체 기술들에 대체로 조립되고, 규소 JFET 또는 MOSFET보다 더 빠르고 더 고가입니다 ... compound semiconductor technologies lacking high quality surface passivation such as GaAs, InP, or SiC ... 이렇게 만든 소자를 MESFET이라 하며, 이것은 금속-반도체 접합을 사용하고 있다는 것을 가리킨다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.26

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  특수 목적 다이오드 레포트 & 특수 목적 다이오드의 종류 및 특성

  갈륨 - 알루미늄 - 인 (InGaAlP : 빨강, 노랑, 초록)실리콘 - 카바이드, 갈륨 - 질소 (SiC, GaN : 파랑)인듐 ? ... 전자는 정전압 동작을 목적으로 하며, 합금법 또는 확산법으로 만든 실리콘의 접합 다이오드로, 전압은 3~150V이고 전력은 200㎽~50W의 범위에 사용된다. ... 이 물질의 특성에 따라 빛의 색깔이 달라진다.전력소비가 백열전구의 20%에 불과한데다 수명이 10만 시간(형광등의 100배)에 달해 한번 설치하면 교체나 유지보수가 거의 필요 없다는

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.12.27 | 수정일 2015.06.03

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  중국의 주력산업을 정리한 레포트입니다.

  이는 SIC(중국국가신식센터) 에서 전망한 2020년 승용차 산업수요인 2,500만대를 고려할 때 약 80% 달하는 계획이라 할 수 있다.2. ... -이러한 문제를 해결하기 위해 2010년 하반기‘풍력 발전의 전력시스템 편입에 관한 기술 표준을 공포하였으며, 대규모 해상풍력발전 프로젝트에 대한 사전작업과 건설시공 관련 기술표준 ... 蒙西) 등임.- 2010년 서부대개발 프로젝트에 서부 풍력 발전 기지건설을 포함시켜 진행함과 동시에 중국 연해지역의 대형 풍력발전기지 건설에도 박차를 가함.②인프라 건설을 확대하여 전력망

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.25

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  온도센서

  이 금속쌍을 [그림 1-8](a)에서처럼 절단하면 절단점에서는 온도차에 해당하는 기전력이 발생하는데 이를 열기전력이라 한다. ... 유지하고 다른 접접의 온도와 열기전력 사이의 관계를 조사해 두면, 접점를 미지의 온도환경에 두고 열기전력을 측정함으로써접점의 온도를알 수 있다. ... 우수, 저감도 ,응답속도 빠름IC온도계반도체물성직선성 우수[표1-3]비접촉식 온도센서의 종류한편 온도측정의 정밀도가 높아짐에 따라 온도센서의 종류에 의한 측정온도의 절대값의 차이를

  리포트 | 27페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.04.30 | 수정일 2018.04.26

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  LED발광메커니즘을 전자론적 근거.ELD발광메커니즘을 전자론적

  광출력 제어 가능LED의 주요특성LED의 주요특성 PARAMETERAbsolute Maximum Rating① Power Dissipation(PD): LED가 소비할 수 있는 최대전력 ... LED는 반도체로 이루어져 있기 때문에 고체소자의 형상을 하고 있다. ... 아래와 같다.-1907년의 H.J Round에 의한 금강사의 발견에 의해 LED의 주입형 발광현상 발견함.-1923년에 O.W.Lossew에 의해 SiC의 접촉부에서의 발광이 관측되어

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.10.31

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  LED 레포트 A+

  LED는 P-N접합구조가 아닌 쇼트키다이오드 구조였다.기본적으로 활성 층의 물질은 지금과 같은 질화물계열이 아닌 당시 반도체 소재인 실리콘카바이드(SiC)를 활용했으며, 거의 모든 ... 고효율, 저전력, 장수명 소자네온 형광등 대비 8배 이상의 수명(백열등수명 1000시간, 형광등8000시간,LED 2만 시간)유지보수가 용이하다.저소비전력-백열등 대비 17%-형광등 ... 실제로 입력 전력에 대해 가시광선 에너지의 변환율을 약 10%이고 적외선 방사는 약 70%를 보이고 있다.

  리포트 | 26페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.03.09

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  LED 산업육성을 위한 구체적인 방안

  기술이 실리콘을 중심으로 현저하게 진보되어 저 전력화, 소형화, 집적화가 진척되었고, 이것의 기본적 기술력이 화합물 반도체에도 응 수준을 이루게 되어 AlGaAs 기술을 이용한 고휘도 ... 그러나 SiC는 간접천이 형 물질이고, ZnSe나 GaN는 직접천이 형 반도체로서 SiC는 고휘도 LED 구현에는 적합하지 않은 물질로 판명되었다. Ⅱ-Ⅳ족인 ZnSe는 ZnSe 기판을 ... 이 당시는 SiC의성장이 대단히 어려웠고, 또한 다루기도 쉽지 않았기 때문에 그 후에는 진전되지는 않았다.

  리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.08.05

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  사파이어 웨이퍼

  FZ Silicon Wafer는 파괴 전압이 750 Volt이상 요구되는 반도체 전력 소자 제조에 주로 사용되고, 9,000 - 30,000 Ωㆍ㎝인 FZ Silicon Wafer는 ... 최근 GaN 를 이용한 소자의 응용이 초기의 기대와 달리 발광 및 수광소자분야로 제한되고 내환경 전자소자로의 응용에 있어서는 SiC를 이용하는 방향으로 전개되는 기본적인 이유는 SiC ... 사파이어 단결정에 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체를 증착하는 장비인 MOCVD는 4인치 기판을 양산하기에 적합하도록 되어있다.

  리포트 | 49페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.12

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  발광다이오드 LED 원리 역사 기술동향

  그러나 SiC는 간접천이형 물질이고, ZnSe나 GaN는 직접천이형 반도체로서 SiC는 고휘도 LED 구현에는 적합하지 않은 물질로 판명되었다. Ⅱ-Ⅳ족인 Zn로 사용하고, 여기광을 ... ●LED의 특성에 관한 용어 상식- Power Dissipation(PD)LED가 소비할 수 있는 최대전력(최대허용손실) PD = IF * VFIF (LED에 흘리는 전류 일반적으로 ... 밖에는 안먹게 하는 것이다.점등방식주요 용도장 점Dynamic여러개의 배선에 의한 실내표시장치여러개의 배선에 의한 조광용 광원장치구동용 Tr.등의 수를 줄여서 가격이싸게 먹히고 사용 전력도절감

  리포트 | 32페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.08.26

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  래핑4

  소자(GaAs, AlGaAs, GaN,--AlN)ㆍII-VI(In-P)족 소자ㆍSiGe, SiC 소자ㅇ 기타 비실리콘계ㆍSiGe,SiC,Diamond,ZnO 소자ㆍ양자ㆍ단전자 소자ㆍ스핀소자 ... ㆍ약물표적기술ㆍ임상분석기기 ㆍ인공장기ㆍ진단기기 ----ㆍ미량약물분석ㆍ생체재생 ----ㆍ생화학검사ㆍ항암제ㆍ신의약품ㆍ펩타이드/단백질 개발※ 나노 기술 응용 분야분 야내 용전자/통신ㆍ낮은 전력소모 ... 실험 목표 - 최근 고능률이면서 가공표면의 품위도 동시에 향상 시킬 수 있는 가공(반도체, 정밀 전자 부품, 전기기기, 생체, 광학)기술에 대한 요구가 많아지고 있는 실정이다.

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.09.22

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