"SiC 전력반도체" 검색결과 101-120 / 187건

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  [레포트] 신소재 공학

  Silicon carbide (SiC)는 4/4족 화합물 반도체이며 Si 소재 반도체가 성능 경쟁력이 떨어지는 분야, 일례로 대전력, 고전압 스위칭 소자(GTO, MTO thyristor ... 그러나 Si에 비하여 우수한 물질특성을 보이기는 하나, 아직은 반도체 소재로서는 성숙 단계에 있지 못하다.SiC 기술은 크게 SiC 단결정 성장기술, Epitaxy 성장을 포함하는 ... 따라서 고내열, 고열전도, 고내전압 특성을 고루 갖춘 SiC 반도체를 21세기를 이끌 궁극적 대안의 하나로 제시하고 있다.반도체 소자는 대부분이 Silicon 및 그 산화물로 구성되어

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.07.12

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  LED (발광 다이오드) 완벽정리 ( 동작원리 , 정의, 특징 )

  적색AlGaAs660InGaAlP644주황색GaAsP610InGaAlP612황색GaAsP585InGaAlP590녹색GaPGaP570555InGaAlPInGaN562574 525청색SiC470InGaN450자외선InGaAlN ... 반도체소자를 말한다.전하주입, 이동, 재결합에 의해 무기발광층(공핍층) 에서 빛이 발생하는 자체 발광소자LED는 순방향에 전압을 가했을 때 발광하는 반도체이다. ... 우수한 장점을 지니고 있다.P형, N형 반도체를 접합한 다이오드에 순방향 전압을 인가하면 전자와 정공이 결합하면서 빛이 발광 되는 원리화합물 반도체 단자에 전류를 흘려서 pn접합

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.16

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  고휘도 LED

  발광현상을 관찰할 수 있는데 최초로 반도체에서 발광현상이 관찰된 것은 1923년 간접에너지대를 갖는 SiC 재료에서였다. ... 현재는 가전제품, 리모컨, 전광판, 각종 기기 등에 사용되는데, 다른 발광체에 비해 수명이 길며, 낮은 전압을 사용하는 동시에 소비전력이 적은 장점이 존재한다. ... 그러나 간접에너지대를 갖는 SiC는 효율이 매우 낮아 겨우 발광현상만을 관찰 할 수 있을 정도였으며 실용적인 최초의 LED는 1962년 GE에서 개발된 GaAsP를 사용한 적색 LED이고

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.05.28 | 수정일 2018.04.26

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  LED란 무엇인가: LED/OLED/AMOLED

  삼성의 LED식 46인치 UN46B600은 예를 들어 연간 전력소모비가 18.73 달러밖에 들지 않는다. 플립자료). ... LED 후광이 전력사용을 절감시킬 수 있다는 것은 명백히 사실이며, 일부 LED 후광의 LCD들이 인치 크기별로 가장 효율적인 플랫 패널을 제공하고 있다. ... .* LED (발광 다이오드, 위키백과)발광 다이오드(發光diode)는 순방향으로 전압을 가했을 때 발광하는 반도체 소자이다.

  리포트 | 24페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.10.25

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  LED(Light Emitting Diode)와 광효율 개선

  소비전력은 백열등의 1/7수준이나 수명은 5만 시간 이상으로 백열등의 100배, 형광등의 10배가 넘는다. ... 기존 광원과 비교하여 전력비가 적게 들고 교체 횟수가 적어 유지비 절감도 가능하다.둘째, 친환경 광원이다. ... 사파이어 기판과 ZnO 기판, GaN 기판 및 SiC 기판의 소재와 특징에 대해서 알아보고 형광체 및 에피 웨이퍼에서 각기 다른 방출 파장을 내는 소재들에 대하여 알아보았다.

  리포트 | 44페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.05.21

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  Light Emitting Diode (LED) 발광다이오드

  널리 쓰이고 있다.LED는 발광효율이 높고, 응답속도가 빠르며, 수명도 반영구적인 고체광원이기 때문에 궁극의 광원이라고 불리 운다.LED는 기존에 쓰이고 있는 전구와 비교하였을 때 전력 ... SiC는 간접천이형(indirect band gap)의 구조를 하고 있기 때문에 발광재료로서 적당하지 못하나 p형이 쉽게 만들어지기 때문에 p-n 접합을 이용한 제품화가 임박해 있었다 ... 대부분은, 백열전구에 filter를 붙여 적, 황, 청의 삼색을 내고 있으나 이를 LED로 교체할 경우 비용이 대폭 절약될 수 있다.때문에 새로운 발광체로 주목 받고 있으며 낮은 소비전력에서

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.20

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  LED 특성과 기존 조명 기구 특성 조사

  발광현상을 관찰할 수 있는데 최초로 반도체에서 발광현상이 관찰된 것은 1923년 간접에너지대를 갖는 SiC 재료에서였다. ... 적색 LED의 조명효율이 적색 필터를 쓴 백열전구에 비하여 20배 이상 높음을 알 수 있는데, 이는 교통신호등에 위와 같은 InGaAlP 적색 LED를 사용하면 전력소모를 20분의 ... 반도체의 이종접합 구조를 가진다.

  리포트 | 21페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.06.13 | 수정일 2018.04.26

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  [디스플레이 공학] LED

  1923년 탄화규소(SiC) 재료에서 직류전류를 흘렀을 때에 발광했던 최초의 물질로 보고되어 있다.?1952년 Si-Ge 반도체 p-n 접합에서 발광이 처음 보고.? ... , 전력량도 적어서 효율적이다.조명용 LED제어 방법저항 조정 전류제어 방식스위칭 레귤레이션 전류제어방식장점- 구조가 간단함- 비용 저렴- 저 전압 구동가능- 고 효율단점- 저 효율 ... 발광 효과를 내도록 하는 장치로써 비 소화 갈륨(GaAs), 인화갈륨(GaP), 갈륨-비소-인, 갈륨-알미늄-비소, 인화인듐, 인듐갈륨-인 등 화합물 반도체를 사용한다.이 현상은

  리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.09

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  LED란

  서론1920년대에 SiC 재료에서 발광 현상이 처음 발견된 이래로 60대에 LED가 개발되었지만 지금과 같은 주목을 받지는 못했다. 1990년대에 와서 고휘도 적색 LED와 질화물계 ... Light Emitting Diode의 약자로 발광 다이오드를 뜻하며 이는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선 또는 빛으로 변환시켜 신호를 보내고 받는 데 사용되는 반도체의 ... 일종이다.발광다이오드는 1923년 반도체에 전압을 가할 때 생기는 발광현상을 관측하면서 세상에나오게 되었다.

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.30

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  LED의 응용 분야

  기술이 실리콘을 중심으로 현저하게 진보되어 저 전력화, 소형화, 집적화가 진척되었고, 이것의 기본적 기술력이 화합물 반도체에도 응용전개 된 결과, LED 관련 기술을 약진시키는 원동력으로 ... 이러한 LED의 시조는 1923년에 탄화규소(SiC)재료에서 직류전류를 흘렸을 때에 발광전구에 비해 필라멘트가 없고, 내진동성이 우수하고, 신뢰성이 매우 높은 점, 또 작은 전류로 ... LED의 기본 구조고휘도 LED는 질화물 반도체와 P계열의 반도체(Al,Ga,In)를 이용하여 액상 증착이나 MOCVD,혹은 진공 중에서 반도체를 성장시키는 진공 증착법으로 제조 되는

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.25 | 수정일 2018.04.26

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  LED(발광다이오드)

  그러니 이 당시는 SiC의 성장이 대단히 어려웠고, 또한 다루기도 쉽지 않았기 때문에 그 후에는 진전되지는 않았다. ... 이러한 LED의 시조는 1923년에 탄화규소(SiC)재료에서 직류전류를 흘렸을 때에 발광했던 최초의 물질로 보고 되고 있다. ... 저전력형 조명이므로 발전소 전체 에너지의 20%를 조명기구가 소비하고 있는 현재 LED 사용시 전력 소비가 줄어들어 화석연료 사용이 감소되어 CO,NO,SO배출량 감소된다.(3) 안전성

  리포트 | 11페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.01.08

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  [A+] LED 광소자용 고 굴절률 접합소재 기술동향과 전망에 관하여

  진행하고 있는 그룹들이 형광등의 조도에 맞춰서 각 기업에서 경쟁하고 있다.청색 LED를 이용한 백색 LED의 패키지 방법의 예를 보면, 밴드 갭이 34eV인 GaN를 사파이어 기판이나 SiC ... LED 광소자용 고 굴절률 접합소재 기술동향과 전망발광다이오드(LED)는 고속응답, 저소비 전력, 장수명, 소형화, 경량 등의 우수한 특징을 지녀 많은 용도에서 이용되고 있다. ... 여러 노력들과 고굴절률의 접합소재를 이용한 기술동향을 알아본다.LED(Light Emitting Diode: 발광 다이오드)는 고효율, 고속응답, 장수명, 소형화, 경량, 저소비 전력에

  리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.10.30

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  나노기술에 대해서 조사한 자료

  ㆍIII-V족 소자(GaAs, AlGaAs, GaN, Ain) ㆍII-VI(In-P)족 소자 ㆍSiGe, SiC 소자 ㅇ 기타 비실리콘계 ㆍSiGe,SiC,Diamond,ZnO 소자 ... 분야핵심기술 및 소자구 분나노기술의 분류나노기술의 응용분야ㆍ저전력, 항방사능을 갖는 고성능 컴퓨터 ㆍ마이크로 우주선을 위한 나노기기 ㆍ나노구조 센서, 나노전자공학을 이용한 항공전자공학 ... 세라믹 ㆍ분자단위에서 설계된 고강도의 소재, 고성능의 촉매 ㆍ뛰어난 색감을 갖는 나노입자를 이용한 인쇄 ㆍ절삭공구나 전기적, 화학적, 구조적 응용을 위한 나노코팅재료/제조ㆍ낮은 전력소모

  리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.06.25

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  LED(Light Emitting Diode)란?

  LED는 반도체라는 특성으로 인해 처리속도, 전력소모, 수명 등의 제반사항에서 큰 장점을 보여 각종 전자제품의 전자표시 부품으로 각광받고 있다.현재 대부분와 고휘도 LED 는 그림 ... 이와 같이 활성층에 쌓인 전자와 정공은 서로 활발하게 재결합(recombination)하면서 광자 등을 발생시키게 된다.SiC 이료LED의 재료는 집적천이형(direct transition ... LED가 무 수은으로 환경친화적이고, 초경량이며 전력 절감이 탁월하여 기존 조명기기의 대체가 가능하고 장수명, 고 신뢰성으로 간단한 구동회로와 R/G/B 색상 제어가 용이하므로 앞으로

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.06.13 | 수정일 2018.04.26

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  전기도금과 무전해도금

  전자 부품 산업 →커넥터, 세라믹패키지, 저항체 등 전자 OA 부품 →하드디스크, 프린터, 스핀들 등 산업 기계 →펌프, 밸브, 반응 조, 열 교환기 등 기타 →버튼 류, 열 기전력 ... →치과용 드림, 공구용 연마줄, 반도체 웨이퍼 캇트 등무전해 도금의 최신동향에너지 소모가 줄어든 무전해 니켈 도금 법 개발 1983년부터 무전해 니켈 도금이 서서히 증가시작 1990년 ... 연장 PTFE 복합도금 →자기 윤활성, 비점착성, 발수성, 발 유성 등 고 경도 피막 도금 →SiC 복합도금으로 400도 열처리에 최고 MVH 1500에 도달 다이아몬드 복합 도금

  리포트 | 25페이지 | 3,500원 | 등록일 2010.06.20

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  화합물반도체

  Cds, ZnS, CdSe, ZnSe 등 기타 화합물 반도체⇒ SiC, SnO2, PbS 등결 정 면 결정구조 융점 [℃] 밀도 [g/㎤] 비유전율 금지대폭 이동도 [㎠/V · s ... 화합물 반도체의 재료 및 특성 전력 소비가 적고 고온에서 동작 가능함 이종 접합 기술이 가능하여 Bipolar TR, HEMT, and Laser Diode 등 에 이용 가능함Ⅰ. ... 화합물 반도체의 소자와 이용나노기술의 세계시장 전망 고기능성 신소재 산업 , 소형 고속 저 소비전력의 전자정보 산업 기술 집약적인 새로운 산업 창출과 인력 시장 구조의 고도화 전혀

  리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.23

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  기초전자회로실험/남춘우/2001년/실험7. 발광 다이오드 및 제너 다이오드 예비보고서.

  갈륨 인 (AlGaInP) - 오랜지색, 노란색, 녹색- 다이아몬드(C) - 자외선- 산화 아연(ZnO) - 근 자외선 (개발중)- 아래는 기판으로 사용되고 있다.- 탄화 규소(SiC ... 제너다이오드의 소비전력 Pz는 Pz = Vz * Iz 로 표현되는데 이 값이 최대치이하인 경우는 제너다이오드가 파손되지 않고 원상복귀된다. ... 고출력 제품은 5V 전후인것도 있다.발광할 때 소비 전류는 표시등 용도에서는 수 mA ~ 50 mA정도이지만, 조명 용도에서는 소비 전력이 수W단위의 대출력 발광 다이오드도 판매되고

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.30

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  LED의 개념과 원리

  만일 2020년까지 반도체 LED 조명이 일반 광원의 50%정도를 대체한다면 세계 총 소비전력의 25% 정도가 절약될 것으로 예상된다. ... 기술이 실리콘을 중심으로 현저하게 진보되어 저전력화, 소형화, 집적화가 진척되었고, 이것이 기본적 기술력이 화합물 반도체에도 응용전개 된 결과, LED 관련 기술을 약진시키는 원동력으로 ... 그러니 이 당시는 SiC의 성장이 대단히 어려웠고, 또한 다루기도 쉽지 않았기 때문에 그 후에는 진전되지는 않았다.

  리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.10.04

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  cvd pvd

  이유는 박막이 반도체의 제조에 중요하기 때문이다. ... 실현하고 있다. - Novellas System은 Lok-k막(CORAL)이UMC의 양산 Line에 채용한 실적을 보유, 반사 방지막(PARAL)을 개발하고, Each Stop SIC의 ... 그러나, 이 방법들은 대면적 증착에 심각한 문제점을 나타내기 때문에 산업화와 연계되지는 못하고 있으며, 단지 반도체 증착의 기초 연구에만 활용되고 있는 실정이다.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.07.17 | 수정일 2015.11.03

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  LED의 역사, 이론, 용도, 장단점, 추세

  LEDElectronic Circuit ProjectHistory of LEDElectronic Circuit Project최초 - Light Emitting Diode 1923년 탄화규소(SiC ... 발견 1950년대 1955년 GnP에서 오렌지 발광을 관측 1960년대 1962년 GE에서 현재 LED를 개발 1968년 적색 LED가 미국에서 상용화 내진동성우수, 신뢰성, 저 전력 ... 내시경Uses of LEDElectronic Circuit Project군사용 LED적외선 추적 센서Uses of LEDElectronic Circuit ProjectLED의 장점-저전력소비

  리포트 | 45페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.02.17

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