"DC-bias 측정" 검색결과 61-80 / 613건

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  전자전기컴퓨터설계실험3 - 예비레포트 - 실험08-Diode Circuit (Rectifier Circuit Design) (A+)

  Essential Backgrounds (Required theory) for this Lab(1) RectifierRectifier는 교류 AC를 직류 전류 DC 한 방향으로만 흐르게 ... )일 때 Diode는 Forward Bias 가 되어 이고, 일 때 Diode는 Reverse Bias가 되어 이다. ... D2는 Forward Bias이고, D3, D4는 Reverse Bias이므로 왼쪽 그림과 같으므로 임을 알 수 있다.

  리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.11.26 | 수정일 2020.11.29

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  diode와 transistor의 측정 및 분석

  가장 많이 쓰는 다이오드는 p-n접합 다이오드로 반도체의 전자회로를 구성하는 기본적인 소자이다.Bias 전압이 걸려있지 않을 때 평형상태에 있는 p-n접합 다이오드, 파란색 선과 빨간색 ... 다이오드는 전류를 한 쪽으로만 흘리기 때문에 교류(AC)를 직류(DC)로 변환하는데 쓰인다. ... 실험목적다이오드의 순방향 전압과 역방향 전압에 따른 전류를 측정함으로써 다이오드의 동작원리와 특성을 알 수 있다.

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.03.14

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  실험8 에미터 공통 증폭기회로 특성- 결과레포트

  1:3)을 이룰 것임을 예측할 수 있다.실험은 진폭 50㎷부터 신호증폭기의 진폭 값을 높여가면서 진행하였고, DC bias가 VCC에 더 가까운 값이기 때문에 상한선에 먼저 파형이 ... 이때 set된 출력 DC bias가 7V정도 되기 때문에, 출력파형에서 상하한을 모두 관찰 할 수 있을 때 양(positive)의 반파에서의 최대진폭 값과 음(negative)의 반파에서의 ... 에미터 공통 증폭기회로의 대신호 증폭VX [Ｖ]VOUT [Ｖ]VE [Ｖ]IC [㎃]IE [㎃]계산값2.4686.9691.768-2.030측정값2.3526.9261.6652.031-오

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.04.15

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  Oscillator 설계 예비보고서

  목적R _{L} =100 ohm `,`R _{bias} =1k ohm `,`V _{CC} =12V인 경우, Push-pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone 과 Crossover ... 제외하고 부하저항을 100ohm 으로 놓고, Simulation Profile에서 Analysis type을 DC Sweep으로 설정하고서 DC 전압원의 값을 -12 V에서 +12 ... 이에 대해 Simulation Profile에서 Analysis type을 DC Sweep으로 설정하고서 DC 전압원의 값을 -12 V에서 +12V까지 0.001 V의 증분으로 증가시킴에

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.01.21

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  전자전기컴퓨터설계실험3 - 결과레포트 - 실험12 - BJT(BJT Amplifier Circuit) (A+)

  회로를 분석하기 위해 Bias Simulation과 Small Signal Analysis을 수행한다.Base에 인가된 DC전압의 크기에 따라 BJT가 Cut off, Saturation ... 먼저 Emitter(n-type)와 Base(p-type)에서는 Forward Bias이고 Base(p-type)와 Collector(n-type)에서는 Reverse Bias이므로 ... 그리고 Mid-Band Gain에서 -3dB가 되는 를 측정해 , Capacitor를 납땜해 그림 3과 같이 Common-Emitter Amplifier를 설계한다.

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.11.26 | 수정일 2020.11.29

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  MOSFET I-V Characteristics결과보고서[인하대 기초실험2 전자과]

  divider biasing 회로는 저항의 전압 분배를 통해 DC Biasing을 수행하는 회로이다.여기서Biasing이란 트랜지스터의 동작점을 잡는 것을 의미한다. ... 12주차 MOSFET I-V Characteristics결과보고서전자공학과1. 실험 제목MOSFET I-V Characteristics 실습2. ... Channel length modulation은 가 증가함에 따라 pinch-off 지점이 Source 쪽으로 가까워지면서 채널의 길이가 줄어드는 현상으로 채널 길이가 짧아지면 채널

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.08.27

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  전기회로설계실습 예비보고서 6 계측장비 및 교류전원의 접지상태의 측정방법설계

  그래프로 그릴 때에는 같은양, 즉, 최대값은 최대값과, 실효값은 실효값과 비교해야 한다.)-> Function Generator의 DC offset을 off했으므로, DC bias는 ... 설계실습 계획서3.1 (a) DMM을 사용하여 두 개의 실험실 교류전원(220V, 110V) 콘센트의 접지 사이의 저항을 측정하는 방법을 설계하여 제출하라.-> DMM을 저항측정 모드로 ... (ㄷ) 그리고 (ㄴ)과(ㄷ) 사이의 전압을 측정하여 기록한다.3.2 Function Generator출력 파형을 정현파(sinusoidal wave)로, FG DC offset를 off또는

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.09.02 | 수정일 2021.09.23

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  전자공학실험 20장 차동 증폭기 심화 실험 A+ 예비보고서

  이 실험에서는 능동 부하를 사용한 차동 증폭기(differential amplifier)를 구성하여, 전압 이득과 CMRR을 측정하고자 한다.2 실험 기자재 및 부품ㅊ-DC 파워 서플라이 ... 전압을 [표 21-3]에 기록하시오.저항값(R})I_REFV_bias1k4.67mA1.870[표 21-3] 공통 모드 전압 이득을 계산하기 위한 측정 결과5정전류원I_SS의V_DS전압V_CS를 ... [그림 21-2] 는 공통 모드 전압 이득을 계산하기 위한 공통 모드 반회로이다.v_icm이 소신호라는 가정 하에서, DC 전압원V_DD는 0V로 붙이고 꼬리 전류 원의 출력 저항은

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.04.11

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  A+ 연세대학교 기초아날로그실험 2주차 결과레포트

  forward bias 전압을 측정하였다. ... .1.1.1 Sine 파형 확인우선 주파수 2kHz, peak-to-peak 진폭(이하 진폭) 1Vpp, 오프셋 0V의 Sine 파형을 출력하고 확인하였다. ... 또한 각 노드에서의 DC 바이어스를 확인하여 우리가 시뮬레이션 하고자 하는 회로를 정확히 구현할 수 있음을 알게 되었다.2.1.2 DC simulation그림 SEQ 그림 \* ARABIC

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.07.03

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  전자회로실험1 2주차예보

  신호 발생기의 DC전압을 과정 4,5와 같이 변화시키며 측정하여 기록9. ... 이때, 사용한 bias point에 비해 상대적으로 매우 작은 변동을 분석하기 위해, 미분을 사용한 근사를 이용하는 방법이 대신호/소신호 모델을 이용한 분석방법이다.- 증폭도(amplification ... 입력V _{IN}에 전원 공급기의 가변 전류 정전압원의 DC전압을 0.1V부터 1.3V까지 200mV간격으로 증가시키며 인가하면서,V _{OUT}의 DC전압을 측정, 기록3.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.07.29

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  Common-Emitter Amplifier결과보고서[인하대 기초실험2 전자과]

  결론 및 고찰: 이번 실험을 통해 Common-Emitter의 DC Transfer 특성, 증폭 특성, Degeneration에 대해 알 수 있었다.Lab 1에서 가 증가할 때, 은 ... CE Stage DC Transfer 특성1) 회로 구현2) =10V로 고정하고 전압을 0~6V(이 급격히 변하는 구간에서 촘촘한 간격으로)로 바꾸면서 를 측정하고 표로 정리00101000100.20.2109.800100.40.4109.600100.60.6109.400.0003100.80.8109.20.002380.697100.850.85109.150.01654.84100.8510.8510.133 ... 그리고 의 크기도 감소하여 온도나 bias current가 Voltage Gain에 미치는 영향을 줄여 안정적인 Voltage Gain값을 얻을 수 있게 됨을 알 수 있었다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.08.27

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  서울시립대학교 전전설3 11주차 결과레포트(설계 성공적, A+, 코로나로 인한 시뮬레이션 실험, 하지만 이론 주석 깔끔)

  DC Bias Point 특성이때, active 모드 동작을 위해서, 당연히 는 컬렉터에 필요한 신호 스윙을 허용하는 양만큼()보다 더 커야한다.- 컬렉터 전류와 트랜스컨덕턴스에 대응하여 ... result실제 측정 결과 , , 이다. [2-1]의 결과와 비교해보자. ... 또한, 라 가정하자.이제, 분석은 아래 그림을 적용할 것인데, 이를 적용하기 위해 ,의 값을 측정해주었다.BJT equivalent-circuit model측정 결과 , , 이다.이제

  리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.03.20

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  Patterning and treatment of SiO2 thin films 결과보고서 인하대학교 A+

  Journals/ Vol.519(20)/2011/ pp.6673-6677](a):700W, 70% CH3OH/Ar, dc-bias voltage of 300 V and gas pressure ... of 5 mTorr,(b):800W, 70% CH3OH/Ar, dc-bias voltage of 300 V and gas pressure of 5 mTorr(c):900W, 70% ... CH3OH/Ar, dc-bias voltage of 300 V and gas pressure of 5 mTorr[(d)는 다룰 것이 아니므로 논외]위 사진은 a,b,c의 RF power에

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.01.02

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  3주차-실험2 예비 - BJT DC 특성

  실험 목적BJT(Bipolar Junction Transistor)의 DC 특성인beta _{F} -I _{C},I _{C} -V _{CE} 특성을 측정하고 주요 SPICE 변수들을 ... BJT DC 특성 - 예비보고서제출일 : 2016. 03. 18. 금요일실험제목 : BJT DC 특성- 1 -1. ... (Forward bias)를걸어주고, C-B에는 역방향 전압(Reverse bias)를 걸어주어야 합니다.일단 NPN TR이다 보니 전류의 주된 원인은 전자 입니다.

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.10.02

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  전자회로실험2 19결보

  당연히 bias는 동일하기에 결론적으로 DC전압은 완전 동일하게 나왔습니다. ... 먼저 sin파를 가했을때 각 node에서의 DC전압과 Vp-p를 측정해서 DC와 AC전압을 측정해보았고 sin파가 없을때의 DC전압을 측정했습니다. sin파를 가하던, 가하지 않던 ... [표19-3]고정점 측정2.피스파이스 결과- 상보대칭 증폭기신호가 있을때의 회로시험점DC,V신호, Vp-pQ2와 Q3의 전류,mA신호가 있을때신호가 없을때Vcc15V15V9.523mV신호가

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.07.29

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  6주차_5장_예비보고서_클리퍼회로

  검사 기능을 통해 Si다이오드의 문턱전압을 측정한 측정값과 이론값을 비교한다.병렬 클리퍼1.5V는 회로 결선. 1.5V는 DC전원 또는 배터리 사용. ... 다이오드의 음극이 이미 양의 값 VBIAS로 바이어스 되어있고 입력파형이 항상 음의 값이기 떄문에 D1은 항상 OFF를 유지하기 때문에 R1 0.9 V 일 때 : reverse Bias ... 그림 5-6의 회로를 구성하라. 저항값을 측정하고 기록하라.

  리포트 | 20페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.11.30

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  충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 예비보고서 실험 2.3 BJT DC 특성

  실험 목적BJT(Bipolar Junction Transistor)의 DC 특성인beta _{F} -I _{C},I _{C} -V _{CE} 특성을 측정하고 주요 SPICE 변수들을 ... (Forward bias)를걸어주고, C-B에는 역방향 전압(Reverse bias)를 걸어주어야 합니다.일단 NPN TR이다 보니 전류의 주된 원인은 전자 입니다. ... _{F} -I _{C} 특성을 측정한다.2) BJT의log(I _{c} ) vsV _{BE} 특성에서 포화전류 IS를 구한다.3) BJT의I _{C} -V _{CE} 특성을 측정하고

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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  아주대학교 전자회로2 / 전회2 / 설계과제 2

  Verification with SPICE1) Plot circuit schematic and DC biasing point (operating point simulation)Check ... 이에A _{CM}을 유도하기 위해 V_in1으로 잠깐 입력을 합치고 0V에서 1.8V까지 0.1V씩 DC -Sweep하여 변화를 살펴봤다.앞서 확인한 V_cm과 V_out의 앞뒤의 ... Point에 대해 전압을 측정하니 위와 같았고, 다시 한번 모두 Saturation 영역에서 작동하고 있음을 확인할 수 있었다.

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.08.18

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  전자회로실험 21장 - 다단 증폭기 with PSPICE

  } over {4.025-1.871-2.1} =0.0231s=23.1ms위의 결과 1단 부분과 2단 부분의 bias와g _{m}이 같은 것을 볼 수 있는데 이는 1단과 2단의 저항값이 ... 같고 1단과 2단 사이의 캐패시터가 DC blocking을 해주기 때문입니다.다음으로R _{vd1} ,R _{vd2} 저항 대신R _{x} =1kΩ을 연결하여 입력 전압을 측정합니다.시뮬레이션 ... 각단에서의 bias값을 이용해 트랜스컨덕턴스를 구합니다.V _{GS _{1}} =4.025-1.871=2.154VI _{D _{1}} =0.624mAg _{m _{1}} = {2I

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.02.10

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  전자전기컴퓨터설계실험3 - 결과레포트 - 실험10 - MOSFET(CMOS Inverter) (A+)

  (가) 주어진 회로와 구하고자 하는 데이터입력 를 0V에서 5V로 변화시키면서 (0.25V Step) 출력 값을 측정하여 DC 전달 함수 그래프를 구하고 입력 에 0V – ”를 위한 ... 그리고 이러한 이유 때문에 두번째 실험에서 NMOS Bias Current 측정 결과가 다르게 나온다.그림 SEQ 그림 \* ARABIC 12 - 2N7000 Datasheet그림 ... Results of Lab 2.(1) NMOS Bias Circuit그림 SEQ 그림 \* ARABIC 9 - NMOS Bias Circuit그림 9와 같이 NMOS Bias Circuit을

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.11.26 | 수정일 2020.11.29

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