"SiC박막 증착" 검색결과 61-80 / 80건

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  디스플레이 장치의 종류및 구동원리 특징 향후 전망

  패널 개발(ELD)1963년 텅스턴 산화물의 EC 현상 발견(ECD)1965년 문자표시 전자관 VFD 발명 (VFD)1966년 메모리형 AC 구동 PDP 발표(PDP)1968년 증착박막형 ... 디스플레이 역사1887년 CRT : 브라운관 발명1888년 오스트레일리아 F· 라이닛처스가 액정을 발견1923년 SiC 주입형 발광현상 발견(LED)1935년 세계 최초 TV 방송 ... AC 구동 ELD 실용화(ELD)1979년 LED, VFD TV 제작(LED/VFD)1980년 ALE 박막형 AC구동 ELD(ELD)1982년 ECD 시계의 상품화(ECD)빔 가이드식

  리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.29

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  HFET에 대해서(AlGaN/GaN)

  HFET의 Sub로 사용되는 물질은 사파이어, 실리콘 카바이드(SiC)가 기존에 사용되었는데 이는 결함이 적은 우수한 GaN층을 Sub 위에 성장시키기 위해서 이다. ... 따라서 현재는 도핑 없이 반절연성 GaN를 증착하는 연구가 진행되어 지고 있다.Wide Bandgap semiconductor의 특징GaN와 같은 넓은 밴드갭 반도체로 인한 소자제작의 ... 그러나 이러한 방법으로 성장된 반절연성 GaN 박막은 도핑물질에 대한 활성화 제어가 어려우며 표면의 거칠기가 크고 심지어 균열이 발생하기도 한다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.01.10

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  [반도체] Investigation of GaN (질화 갈륨의 특성 조사)

  Properties of GaN on Sapphire (from [4]).일반적으로 GaN의 경우 위에 증착시키는 층과의 결정구조가 잘 맞지 않아서 증착이 제대로 되지 않는 어려움이 ... 등 wide-bandgap 반도체는 아직 실제 소자박막에 적용 시 혼동의 소지가 많다. ... , 4H-SiC and GaN (from [3]).2.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.09.21

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  [공학]SEM sample 제작법

  코팅을 하는 방법은 진공증착법과 Ion sputter법이 있다. 이중 진공증착법은 10?⁴~10?? ... 재조정하여 영상의 질을 향상시킬 수 있다.Surface Cleaning시편의 파단면(fractured surface)를 관찰하든지 혹은 diamond blade등으로 절단한 다음 SiC ... 박막 박판의 경우는 종이, 섬유 sheet-필름등의 고분자 재료 시료는 시료대위에 올려 놓을 수 있는 크기로 잘라내어 시료대위에 붙인 양면 테이프 혹은 은, 탄소 페이스트에 직접 고정시킨다

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.04.27

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  반도체란 무엇인가?

  CVD(Chemical Vapor Deposition; 화학기상증착)은 반응기에 주입된 기체들이 가열된 기판위에서 화학반응을 통해 박막을 형성하는 공정으로 반도체(Si,GaAs,SiC ... 화학기상 증착( CVD )-개요:CVD란? ... ), 절연막(SiO2,Si3N4), 금속박막(W,Al), 유기박막 등의 박막을 형성하는 대표적인 방법이다.*) CVD 반응의 종류- 열분해 / 환원 / 산화 / 질화 / 탄화 / 합성반응

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.07.23

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  [전자공학]유기EL 원리와 기술

  lattice와의 coupling에의해 형성된 polaron들임이 특징적이다.(2) 유기 EL 제작 공정유기EL 소자의 제작을 위한 공정은 크게 순서에 따라 Pattern 형성공정, 박막증착 ... 일으키는 source에 따라 다음과 같이 분류되어진다.기존에 주로 사용되었던 Inorganic electroluminescence display device로는 GaN, ZnS 및 SiC와 ... Panel을 제작하는데 있어서 중요한 것은 유기EL에 적합한 photolithograpy 기술, 재료의 박막화 기술과 유기, 무기, 산화 막의 박막간 hybrid화 기술 등이다.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.04.11

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  [재료공학]AAO (Anodic Aluminum Oxide)에 대하여

  미세접촉인쇄를 통해 종래에 찾아볼 수 없던 간편한 박막 제조기술을 개발하고 여러 소자를 졸-젤 과 화학증착을 통해 집적화 하여 화학 실험실과 같은 접근이 용이한 환경에서 회로를 얻을 ... 그림에서 나타난대로 양극산화된 알루미나의 세공배열을 매우 규칙적인데, 이러한 규칙성은 dry etching과 Nanolithography 방법으로 제조된 SiC 몰드를 이용 알루미늄판에 ... 회로 수준의 양질의 박막(4-6 인치 정도의 기판에 균질한 박막)을 단일전구체로 부터 얻을 수 있으면 전자기 소자를 실용화하는 데 크게 기여할 수 있다.(4)PDP 패널용 후면 유리기판의

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.02.26

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  [실험 수강]나노분말 합성, 제조 실험

  제조할 수 있을 뿐만 아니라, 입자의 응집을 방지할 수 있어 장래 산업화를 위한 유망한 나노금속분말 제조법으로 각광을 받고 있다.2.1.1 증발­응축법에 의한 나노분말제조통상의 진공증착과 ... 것이 큰 장점이다.2.1.2 기상합성법에 의한 나노입자 제조기상합성법에 의한 나노입자 제조 원리는 CVD 공정의 precursor/carrier 가스의 반응에 의한 금속 및 세라믹 박막 ... Cannon에 의해 형성된 플라즈마 내에 precursor/carrier가스를 통과시켜 나노크기의 Si3N4, SiC 등의 산화물, 질화물, 붕화물 분말들을 제조하였으며, 20nm

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.06.19

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  [신소재공학] LED

  GaN의 경우에는 동종 기판이 없기 때문에 주로 사파이어나 SiC 위에 성장된다. ... 이 열처리를 통하여 농도가 2∼3 1017cm3인 p형 박막을 얻는다. ... 하지만, 추후에 InGaN 박막성장이 성공함에 따라 고휘도 청색 및 녹색 LED 구현이 가능하게 되었다.

  리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2005.01.27

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  [박막공학] CVD의 모든것

  +2H_2 (g){B_2 H_6 (g) &->& B(s) +3H_2 (g){N i(CO)_4 (g) & -> & N i(s)+4CO(g){Si(CH_3 )Cl_3 (g) &-> &SiC ... 아래 결과는 저온 열화학 증착법으로 제조한 TiN 박막의 증착속도 변화에 따른 우선방위의 변화에 대해서 간단히 소개하였다.각각의 박막의 증착속도는 오른쪽과 같다. ... 박막은 물리기상증착(Physical Vapor Deposition)과 화학기상증착(Chamical Vapor Deposition)등의 다양한 방법으로 성장되며, 일단 형성된 박막은

  리포트 | 12페이지 | 4,000원 | 등록일 2002.07.20

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  반도체 공정

  Deposition(박막증착기술)-반도체 소자에 박막을 증착시키는 공정3. Oxidation(산화공정)-산화막을 만드는 공정4. ... Deposition(박막증착기술)- 반도체 소자나 집적회로의 제작에는 많은 종류의 박막(Thin film)이 증착.- 박막을 증착시키기 위한 방법으로는 Evaporation, Sputtering과 ... ·순수한 모래를 실리콘으로 정제할 때의 화학반응SiC(solid) ~+~ SiO_2 (solid) ~-> ~Si(solid) ~+~SiO(gas) ~+~ Co(gas)1) 위 과정에서

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.09.06

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  [박막 공정] 박막공정(스퍼터링, CVD)

  the substrate alone inductively or by radiation2 the susceptor, which for APCVD or LPCVD is made of SiC ... 기타 화합물 형성반응3 확산계면 : 피막과 모재 사이에 상호 고용도에 의한 확산4 의확산 계면 : 모재 표면 원자의 스퍼터링으로 피막과 혼합▶ Epitaxial Growth : 증착되는 ... 완전히 표면을 덮고 그 dln에 증착층이 cluster 혀성하여 성장▶rmal energy- resistance heating- RF heating- infrared radiation2

  시험자료 | 5페이지 | 6,900원 | 등록일 2004.06.15 | 수정일 2014.06.30

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  LED-발광다이오드

  GaN의 경우에는 동종 기판이 없기 때문에 주로 사파이어나 SiC 위에 성장된다. ... 이 열처리를 통하여 농도가 2～3ⅹ1017cm3인 p형 박막을 얻는다. ... 식각이 끝난 후photolithography를 이용하여 패턴을 형성하고 전자빔 증착법을 사용하여 Ti/Al을 증착하여 n형 전극을 형성한다. p형 전극 형성 전단계로서 Ni/Au 투명전극을

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.21

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  금속의 표면처리

  금속의 부식을 방지 시키고 금속 표면의 색조와 광택을 좋게 할 목적으로 여러 가지로 금속 또는 고분자 표면 위에 박막형태의 물질을 증착 시키거나 금속 산화물을 형성 시킴으로써 금속표면의 ... (PVD) 진공증착(스퍼터링, 이온플레팅 등)용융도금무 전해도금전기도금박막형태표면처리기술분류1.5 금속표면처리 과정탈지 공정수세제청작업화성피막처리 공정2.1 도금의 과정2.2 전기도금이란 ... 분산제로 한 복합도금은 금형의 수명을 연장 PTFE 복합도금-자기 윤활성, 비점착성, 발수성, 발 유성 등 고 경도 피막 도금- SiC 복합도금으로 400도 열처리에 최고 MVH

  리포트 | 27페이지 | 3,000원 | 등록일 2002.09.10

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  [조명용 LED기술]질화물 반도체를 이용한 차세대 조명용 백색 LED 기술

  GaN의 경우에는 동종 기판이 없기 때문에 주로 사파이어나 SiC 위에 성장된다. ... 하지만, 추후에 InGaN 박막성장이 성공함에 따라 고휘도 청색 및 녹색 LED 구현이 가능하게 되었다. ... 이 부분에서는 질화물 반도체 청색 및 UV LED의 성장에 관해 소개하고자 한다.질화물계 반도체를 이용한 LED 구조는 주로 유기금속 화학 기상 증착법 (metalorganic chemical

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.11.29

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  [재료금송공학] 전기아연도금

  금속의 부식을 방지 시키고 금속 표면의 색조와 광택을 좋게 할 목적으로 여러 가지로 금속 또는 고분자 표면 위에 박막형태의 물질을 증착 시키거나 금속 산화물을 형성 시킴으로써 금속표면의 ... , 도장, 라이닝, 코팅, 표면경화 등이 있다.@ 목적 @① 부식 방지(방식)② 장식성(색채 및 광택 향상)③ 기능 부여(경도, 내마모성 및 내열성 향상) - TIN, TICN, SIC ... 전기도금금속, 고분자 및 세라믹 기판 물질 위에 단일금속, 합금, 금속-고분자 또는 금속-세라믹간의 화합물 박막을 전기 에너지를 용하여 형성하는 방법.전류를 이용하여 전기화학 반응을

  리포트 | 15페이지 | 4,000원 | 등록일 2003.05.02

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  나노입자 제조방법

  여기서는 각각의 공정의 특징을 개괄적으로 살펴보고 이들의 장단점에 대해 살펴보고자 한다.1) 증발-응축법에 의한 나노입자 제조법통상의 진공 증착과 달리 진공 배기한 후 용기내의 압력을 ... 반사율이 높은 재료는 그 효율이 떨어지는 단점이 있다.2) 기상합성법에 의한 나노입자 제조법원리는 CVD 공정의 precursor/carrier가스의 반응에 의한 금속 및 세라믹 박막 ... 가스와 고에너지/고밀도 레이저에 의해 형성된 플라즈마 내에 precursor/carrier가스를 통과시켜 나노크기의 Si3N4, SiC 등의 산화물, 질화물, 붕화물 분말들을 제조하였으며

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.03.31

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  센서

  있다.Sic박막서미스터는 측정온도범위가 넓고 고정밀도 및 고속인 특징을 갖고 있다.또한 실리콘 IC센서는 온도이외에 광, 압력, 위치, 자장등을 측정할 수 있는 다기능의 집적화센서로서 ... 있다.서미스터의 기술개발동향은 고정밀의 서미스터를 개발하는데 있다.벌크형 서미스터의 경우 세라믹칩형 및 DHT(double heatsink thermistor)형이 있으며 형으로는 SiC박막서미스터가 ... 후막, 소굘체로 구분되며 재료별로는 전해질체, 셀룰로즈나 폴리이미드같은 유기고분자재료의 진수성이나 팽윤을 이용한 유기재료계, 물의 흡탈착현상을 이용한 Se, Ge, Si의 반도체증착막

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.07.13

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  [나노기술] 나노의 특성과 공정

  형성 공정을 응용한 것으로 19켜 나노크기의 Si3N4, SiC 등의 산화물, 질화물, 붕화물 분말들을 제조하였으며, 20nm이하의 입자가 상호 응집된 분말을 얻을 수 있었다. ... 입자를 제조할 수 있을 뿐만 아니라, 입자의 응집을 방지할 수 있어 장래 산업화를 위한 유망한 나노분말 제조법으로 각광을 받고 있다.① 증발-응축법에 의한 나노분말 제조통상의 진공증착과 ... 고융점 재료을 제조할 수 있다②기상합성법에 의한 나노입자 제조기상합성법에 의한 나노입자 제조 원리는 CVD 공정의 precursor/carrier가스의 반응에 의한 금속 및 세라믹 박막

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.15

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  [저항기] 전자재료

  열팽창계수가 박막 저항체와 동일 할 것5. 고유저항이 높고 절연내력이 클 것 6. ... SiC 발열체- 단자 부분의 고열을 받으면 산화가 되어 접촉불량이 날 우려가 있어 양쪽 모양을 넓게 만든다(온도 변화)- 가운데는 고저항이며 양단에는 저항값을 줄이기 위해 Si를 침수시킴3 ... 금속피막저항기금속피막저항기 : 금, 은으로 된 도전도료가 도포된 자기위에 진공증착, 스퍼터링,환원등의 방법으로금속저항막을 부착시킨다.- 재료 : Ni-Cr, Ta-Cr, 백금, 금,

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.06.07

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