"SiC Sputter" 검색결과 1-11 / 11건

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  SiC박막 증착(RF Sputtering)

  Time(hour) Substrate Temperate( ℃) Substrate RF Sputtering 3 00 4 Ar(50sccm) 3 4 00 Si - XRD - SiC SiC ... Time(hour) Substrate Temperate( ℃) Substrate RF Sputtering 3 00 4 Ar(50sccm) 3 1 00 Si - XRD - SiC SiC ... RF Sputtering 을 이용한 SiC 박막 증착INDEX 1. Research Background 3. Results 4. Summary and conclusion 2 .

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.12.21

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  (특집) 증착공정 심화 정리5편. CVD, PVD

  (SiON, SiH, SIC 등)따라서 요즘은 Precursor 상태의 gas를 주입시킨다.(에너지가 적어도 되고 불순물도 안생기므로)?4. ... [ PVD : Physical Vapor Deposition ]PVD 반응 과정(렛유인 참고)PVD장비는 Sputter라고 부릅니다.?1.

  리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.11.02

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  SPUTTER

  : TaN, TiN, AlN, Si3N4 - Carbides : TiC, WC, SiC - Sulfides : CdS, CuS, ZnS - Oxycarbides and oxynitrides ... = 직류 전원을 이용한 Sputtering 2. ... Oxide (Advanced Energy Industry)Sputtering 박막에 미치는 변수Inline DC Sputtering 설비에서 Process Parameter 따른

  리포트 | 27페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.07

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  연소 화학 기상 증착법(Combustion Chemical Vapor Deposition)

  균일한 deposition합금NiCo,NbGe,Al2O3,Cr2O3비금속In2O3,SiO2,TaO5,TiO2 VO2,BaTiO3,WO3화합물ZnO,AlN,TiN,Si3N4,ZrN SiC ... coating에 적합하다산화물In2O3,ZnO,Al2O3,Cr2O3 SiO2,TiO2질화물TiN,TaN,ZrN,CrN,BN, SiN4,InN탄화물TiC,ZrC,HfC,NbC,TaC,SiC합금AlCr ... PVD CVD CCVD CCVD 장점 Summary박막제조기술PVDCVD정의물리적인 힘에 의해 대상 물질을 기판에 증착하는 방법반응 기체의 화학적 반응에 의해 기판에 증착하는 방법종류Sputter

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.17

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  RF-magnetron sputtering 기법을 이용한 박막형 강유전체의 특성평가

  between adsorbants④ desorption of Product gas⑤ diffusion of products to gas streamex) SiCl4 + CH4 → SiC ... RF sputtering : 교류전지에서 플라즈마를 이용하여 Sputtering을 하는 방법으로 금속 target뿐만 아니라 절연체나 반도체도 target으로 사용가능하며 이것을 ... 종류① DC sputtering : 직류전지에서 플라즈마를 이용하여 Sputtering을 하는 방법으로 주로 금속 target을 이용하여 substrate에 박막을 입히는 것이다.②

  리포트 | 13페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.01.25

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  반도체 공정

  Mg : 1s22s22p63s2 원자가 = 2반도체 재료 및 결정구조SiC:Silicon carbon GaN:Gallium nitride InP:Indium phosphide InSb ... 저온공정 Step Coverage 문제(Evaporation)진공상태에서 형성하고자 하는 금속물질을 증발시켜 웨이퍼 위에 증착(Electron-Beam Evaporation)PVD-Sputtering저압에서 ... Barrier Metal 사용(확산 방지를 위해 Tin 등 사용),ElectromigrationSHORTPVD-Evaporation생성하고자 하는 막을 물리적인 방법으로 웨이퍼 위에 증착 Sputtering법

  리포트 | 50페이지 | 5,500원 | 등록일 2011.03.31

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  [물리학]전자물성,반도체기초

  How about GaAs, GaN, SiC, AlxGa1-x As, etc. ? ... FormationChemical Vapor Deposition (CVD) Oxidation Photolithography Etching Diffusion Evaporation, Sputtering ... Microelectronic FabricationA Historical Perspective Semiconductor Materials Elemental : Si, Ge Compound : SiC

  리포트 | 26페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.03.30

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  TEM Sample 제조 방법

  sample : 취급 용이성을 위해 투명 슬라이드 유리에 부착(∵polishing 도중에 Epoxy의 접착 정도를 관찰) - Polishing machine 이용 - Grit 600의 SiC ... (Sputtering에 의한) Sputtering rate은 다음 요인에 의하여 결정되어진다. Sputtttering rate은 연마 속도를 결정한다. 그림1. ... Sputtering rate-이온 E : 이온 E 크면 수율증가 또한 Ar+ Kr+ mass가 크기 때문에 수율이 더 크다.

  리포트 | 13페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.01.27 | 수정일 2017.11.04

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  기상증착법, 물리증착PVD와 화학증착CVD에 관하여

  환경이 필요하다.2.물리증착PVD(Physical Vapor Deposition)1증착시키려는 물질이 기판에 증착될 때 기체상태가 고체상태로 바뀌는 과정이 물리적 변화이다.2스퍼터링(Sputtering ... 만드는 경우로서 이들을 수행하는 과정에서 여러 가지 화학 반응 적용예를 들면, 수소화합물인 GeH4와 SiH4를 광분해시켜 순수한 Ge와 Si막을 얻는 것, 그 외의 방법은 염화물, SiC4나

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.25

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  [박막 공정] 박막공정(스퍼터링, CVD)

  the substrate alone inductively or by radiation2 the susceptor, which for APCVD or LPCVD is made of SiC ... space로 되돌아와서 negative glow region에 진입되어 전자가 부가되는 에너지에 의해 cathode discharge에 의해 glow discharge를 유지▶ Sputtering의 ... planar sputtering의 단점1 낮은 음극 전류 밀도 및 도금 속도2 높은 작업 압력으로 인한 이온 에너지 손실3 모재와 플라즈마 접촉으로 모재 온도 상승▶ Triode Sputtering1

  시험자료 | 5페이지 | 6,900원 | 등록일 2004.06.15 | 수정일 2014.06.30

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  반도체 공정

  ·순수한 모래를 실리콘으로 정제할 때의 화학반응SiC(solid) ~+~ SiO_2 (solid) ~-> ~Si(solid) ~+~SiO(gas) ~+~ Co(gas)1) 위 과정에서 ... #에피택시(Epitaxy)crystalline substrate 위에 얇은 crystalline 층을 성장시키는 것.주로 CVD를 사용2.2 Sputtering전계에 의해 가속된 Ar ... Deposition(박막증착기술)- 반도체 소자나 집적회로의 제작에는 많은 종류의 박막(Thin film)이 증착.- 박막을 증착시키기 위한 방법으로는 Evaporation, Sputtering과

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.09.06

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