"VDS" 검색결과 61-80 / 795건

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  전자공학실험 9장 MOSFET 기본 특성 A+ 예비보고서

  같은 VDS 전압에 대해서도V_GS가 증가되면 전류도 증가한다는 사실을 알 수 있다. ... VDS 전압이 작은 경우에는V_GS 전압과V_GD 전압이 거의 비슷하므로, 채널이 균일하게 분포되어 있다. ... 증가해서V_GD =V_GS -V_DS < Vth가 되면 드레인 쪽의 채널이 사라지는 핀치오프 pinch-off 현상이 발생한다.이와 같이 핀치오프가 발생하면 드레인 쪽 채널이 사라지게 되므로 VDS

  리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.04.09

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  서강대학교 고급전자회로실험 3주차 예비/결과레포트 (A+자료)

  또한, 데이터시트에서 찾은 0.8V의 문턱전압은 VDS = VGS이고, ID = 1mA일 때를 가정했을 때 최소값이다. ... Channel Length Modulation은 소자의 특성 중 하나인 Channel Length가 VDS의 값에 비례하게 증가하는 것이다. ... 실험1의 전류미러 측정에서, 전류미러 MOS의 VDS가 증가할수록, channel-length modulation 효과에 의해 전류가 조금씩 증가함을 확인했다.

  리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.09.02

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  전기전자재료 금현성 과제4 솔루션

  Assuming anabrupt pn junction and VDS = 0, show that when the gate to source voltage is −VP the channel

  시험자료 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.11.09

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  2019학년도 3학년 1학기 중앙대 전자회로설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정 예비

  VDS(ON)=0.14 V가 1V보다 훨씬 낮기 때문에 Drain과 Source가 거의 short 되었다고 볼 수 있고, Triode 영역에서 iD=kn(vGS-Vt)vDS 이며, ... 이를 통해 kn=ID/(VGS-Vt)/VDS(ON)을 도출할 수 있다. ... 39 mA 이고 VDS=5 V이므로 MOSFET은 Saturation region에서 동작한다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.09.21

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  홍익대학교 전자회로(2) 최종 프로젝트 보고서

  이 TR들은 VDS에 따른 전류 변화가 크지 않아야 한다. L값이 너무 작을 경우Channel Length Modulation이 심해져 VDS에 따른 전류 변화가 크게 된다.

  리포트 | 16페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.01.16 | 수정일 2023.09.20

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  아주대학교 반도체실험 MOSFET 결과보고서,측정데이터(A+학점인증)

  [수식3]위의 식에서 Id가 드레인-소스 전압 Vds에 종속인 것을 확인할 수 있고, 실제 측정 결과에서도 마찬가지로 Vds가 증가함에 따라 전류 Id가 미세하게 증가하는 것을 확인할 ... 3.2 NMOS 트랜지스터의 전류-전압 특성 측정3.2.1 전류-전압 측정 그래프 - 전류-전압 특성을 측정하기 위하여 드레인-소스 전압 Vds- 가 증가함에 따라 드레인

  리포트 | 27페이지 | 5,000원 | 등록일 2020.10.11

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  현대자동차 품질 직무 첨삭자소서

  [교정문][10년 후, 현대자동차의 VDS 5위 진입에 앞장서자!]한국신뢰성협회에서 주관하는 실무교육을 들으면서 제품수명에 대한 역량을 쌓았습니다. ... 현대자동차는 JD파워의 상품성만족도와 신차품질조사는 순위가 높았으나 내구품질조사(VDS)와 컨슈머리포트의 연례자동차신뢰도평가가 상대적으로 순위가 낮았습니다. ... 교육을 들으며 역량을 하나하나 쌓아서 업무를 수행할 발판을 만들었습니다.적합한 수명을 가진 좋은 양품을 만들어 완성차의 품질향상에 이바지하고 싶습니다.[ 10년 후 현대자동차의 VDS

  자기소개서 | 12페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.02.03

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  전자회로실험 A+ 13주차 결과보고서(MOSFET common source amplifier)

  VDS가 커지면 L의 값이 변하기 때문에 ID가 증가하는 것이다. ... 분석 및 토의-이론위 그림은 VDS의 변화에 따라 ID를 나타낸 것이다. ... Triode region에서는 VDS가 증가함에 따라 ID도 증가하지만, Saturation mode에서는 일정한 값을 갖는다는 것을 알 수 있다.실제 실험에서는 Saturation

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.07.02 | 수정일 2023.07.25

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  [중앙대전자회로설계실습]_A+_예비보고서8_MOSFET Current Mirror 설계

  VDS(ON)=0.14 V≪1V이므로 Drain과 Source는 short상태 라고 봐도 무방하다. ... (Gate Threshold Voltage와 On-Stage Drain Current이용) Data Sheet를 참고해, VGS=4.5V, ID=75mA일 경우에 VDS(ON)=0.14

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.07

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  설계실습 8. MOSFET Current Mirror 설계 결과보고서

  VCC와 VDD 에 10 V를 인가하고 M1 ,M2의 VGS , VDS를 측정,기록한다. ... 또한 각 저항 사이의 전압을 이용하여 IREF와 IO를 계산, 기록한다.측정값simulation측정값simulationVGS12.54V2.34VDS13.4V4.96VGS22.54V2.34VDS22.54V2.34IREF10mA10.1IO12.02mA10.1IREF ... = {VDD`-VDS1} over {R1} = {10-3.4} over {750} =IREF`=`10mAIO= {6V} over {500 OMEGA } =12.02mA(B) IREF

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.09.14

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  전자공학응용실험 - 공통소스 증폭기 결과레포트

  이를 통해 각각 Av를 구하였을 때 Av=6.909V/V (Vo 기준), Av=9.44V/V (VDS 기준)이 측정되어 이론 값과 약간의 오차가 있음을 알 수 있었다. ... V9.7KΩ이론적으로 gm=2ID/Vov, ro=Vo/io을 통해서 Av=Vo/VI=-gm(ro||RD||RL)으로 계산(2) 실험회로2, 10KHz, 0.01Vpp[Vo 기준][VDS ... 입력 크기입력 주파수출력 크기출력 주파수전압이득전압이득(dB scale)23.3mV10KHz161mV(Vo기준)10KHz6.909(V/V)16.78dB23.3mV10KHz220mV(VDS기준

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.12.20

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  중앙대 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서(실험4)

  경우에는 iD-vDS특성이 거의 직선이 되며 다음 식으로 근사할 수 있다.3.2 MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 (OrCAD PSPICE)(A) OrCAD를 이용하여 그림 ... 또한, Data Sheet에서 구한 kn을 이용하여 VOV=0.6V인 경우, gm의 값을 구하여라.VDS가 1 V보다 훨씬 낮은 경우, 즉 Drain과 Source가 거의 short된 ... (B) 측정한 데이터를 이용하여 MOSFET의 iD-vDS특성곡선을 구하여라.(C) VGS=VT+0.6V인 경우, ro를 구하여라. 구하는 수식 및 수치를 자세히 서술하여라.5.

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.08.18

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  전자회로설계실습 4번 예비보고서

  (E) PSPICE를 이용하여 iD-vDS 특성곡선을 제출하여라.참고: [Current Marker: Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type→DC Sweep ... (VDS=5V를 이용하여 측정)참고: [Current Marker: Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→DC Sweep, Sweep variable→Voltage

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.08.16

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  A+ 전자회로설계실습_MOSFET 소자 특성 측정

  (VDS=5V를 이용하여 측정) 참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→ DC Sweep, Sweep variable→ ... 상태에서 이므로, 이다.따라서 이다.3.1의 (A)의 값인 223mA/V^2와 gm값인 133.8mA/V보다 약간 큰 값을 가짐을 확인할 수 있었다.PSPICE를 이용하여 iD-vDS

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.08.21

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  Common-Gate & Common-Drain Amplifiers 12주차 결과보고서(점수 10+2/10)

  하지만 아래의 그림을 보자.일정 값(VOV) 이상인 부분에 대해서는 모든 VDS는 Saturation영역에 속한다. ... 그렇다면 Small Signal을 인가할 때 변화하는 VDS의 값은 VOV보다 작아져 Triode 영역을 침범할 수도 있다. ... 하지만, Vsig를 증가시키다 보면, Vsig가 최솟값을 가질 때 VDS가 Triode영역을 침범하게 될 수 있다. 이 때가 왜곡을 발생하는 지점이 된다.

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.04.04 | 수정일 2020.04.23

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  홍익대 실험 프로젝트 <Two Stage Amplifer 회로설계> 입니다. mosfet를 사용한 회로이며, pspice에서 2N7000/FAI 소자를 사용했습니다.

  그 후 Vds > Vgs-Vth 되면 Saturaion모드로 Vds전압에 상관없이 오직 Vgs전압에 따라 전류가 변하게 된다. ... Vds = Vgs-Vth가 되는 순간 전류는 더 이상 증가하지 않고 일정한 값을 가지게 된다. ... 원하는 gain이 나와도 Vg, Vgs, Vds 값들로 계산한 결과가 gain과는 맞지 않다는 것을 알게되었다.

  리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.06.26 | 수정일 2023.03.14

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  MOSFET 증폭기 아날로그 실험 결과 레포트 (A+)

  드레인 전류는 게이트 전압(VGS)와 드레인 전압(VDS) 모두에 의해 영향을 받는다.Saturation 모드- 게이트의 전압은 문턱전압보다 큰 값을 갖는다. ... MOSFET이 동작하지 않는 상태이기 때문에, VDS전압을 아무리 높여 주어도 ID는 흐르지 못한다.Triod 모드 - Triod 영역은 게이트의 전압은 문턱전압의 이상을 가지고 있다 ... 포화영역에 들어서면 드레인 전압(VDS)이 증가하더라도 ID는 일정해진다.2.Saturation영역과 triode 영역에서의 drain 전류를 수식으로 표현할 때 “square-law

  리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.02.05

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  [A+]전자회로설계실습 실습 8 결과보고서

  VCC와 VDD 에 10 V를인가하고 M1 ,M2의 VGS , VDS를 측정, 기록한다. 또한 각 저항 사이의 전압을 이용하여 IREF와 IO를계산, 기록한다.5.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.02.17 | 수정일 2024.02.21

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  공통소스증폭기의설계(Common Source Amplifier Design)

  소자 특성투시도 단면도VDS 전압이 작게 유지될 때 ID-VDS 특성 VDS의 증가에 따른 트랜지스터의 동작트랜지스터 전류 ID대 전압 VDS포화영역에서의 ID-VDS 특성 포화영역에서의 ... Vov = 0.3v와 Vds =Vdd / 3하면, MOSFET은여기서Step2: Rd값은 요구 전압 이득에 근거하여 계산된다.여기서따라서, 출력 바이어스 전압 Vo=Vdd-IvRd=

  리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.11.09

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  [A+] 전자회로설계실습 4차 예비보고서

  (D) PSPICE를 이용하여 iD-vDS 특성곡선을 제출하여라.참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type→DC Sweep ... (VDS=5V를 이용하여 측정)참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→DC Sweep, Sweep variable→Voltage

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.06.21 | 수정일 2023.06.23

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