"VDS" 검색결과 81-100 / 795건

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  서울시립대 전전설3 12주차 예비 보고서 MOSFET3

  (vsig는 크기가 100 mV이고 주파수가 5 kHz인 sine wave입니다.)c) b) 항목의 회로에 대하여, 동작점에서의 ID, VDS, VGS 값을 LTspice의 op command를

  시험자료 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.07.15 | 수정일 2024.07.17

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  9주차 결과보고서- 공통게이트증폭기

  VGS를 일정하게 고정시켜놓고 VDS를 증가시키면 VDS가 핀치오프 전압(VP)으로 증가할 때까지 ID가 증가하게 된다. ... 그리고 VDS가 0V여도 VDS가 작으면 트레인에 전류가 거의 흐르지 않게 된다.③I _{D}가 변화할 때r' _{S}는 일정하게 남아 있는가, 또는 변화하는가? ... VDS=VD-VS=5.17-(-2.15)=7.32[V]?VGS=VG-GS=0-(-2.15)=2.15[V]?

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.01.02 | 수정일 2020.09.21

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  9주차 결과보고서- 공통 게이트 증폭기

  VGS를 일정하게 고정시켜놓고 VDS를 증가시키면 VDS가 핀치오프 전압(VP)으로 증가할 때까지 ID가 증가하게 된다. ... 그리고 VDS가 0V여도 VDS가 작으면 트레인에 전류가 거의 흐르지 않게 된다.③I _{D}가 변화할 때r' _{S}는 일정하게 남아 있는가, 또는 변화하는가? ... VDS=VD-VS=5.17-(-2.15)=7.32[V]?VGS=VG-GS=0-(-2.15)=2.15[V]?

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.01.02 | 수정일 2020.09.21

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  A+ 전자회로설계실습_BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로

  따라서 의 typ값은 1.8Ohm이다.MOSFET의 Triode영역에 대한 ID와 VDS의 관계식을 이용하여 kn을 구한다.MOSFET의 Triode 영역에 대한 값은 으로 구할 수 ... 위의 Data Sheet에서 2N7000의 는 0.14V로 작기 때문에 위의 식을 로 생각하고 풀 수 있다.따라서ID =IF 일 때 VDS를 구하고 RD를 구한다.이므로,이고,이다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.08.21

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  [A+] 중앙대 전자회로설계실습 예비보고서 4주차 MOSFET 소자 특성 측정

  VDS(ON)=0.14 V가 1V보다 훨씬 낮기 때문에 Drain과 Source가 거의 short 되었다고 볼 수 있고, Triode 영역에서i` _{D} ``=`k _{n} `(V ... 이는 Saturation 영역에서 MOSFET은 Drain 전류가 vDS와 전혀 사완이 없고 vGS가 변함에 따라 iD가 변하는 current source로 동작됨을 알 수 있다. ... (VDS=5V를 이용하여 측정)참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type->DC Sweep, Sweep variable->

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.07 | 수정일 2021.04.16

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  T-CAD를 이용한 NMOS의 특성향상

  Vds -Id, Vgs -Id 특성 분석 2. Reference model 의 특성과 상호 비교하여 Vd =5V 일 때 Vth 최소화 3. ... Reference model 의 특성과 상호 비교하여 Vg=5V 일 때 saturation(@ Vds =5V) 영역에서 Id 값을 최대화 설계 내용 1.

  리포트 | 24페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.12.02 | 수정일 2021.02.23

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  4. MOSFET 소자 특성 측정 예비보고서 - [2021년도 전자회로설계실습 A+ 자료]

  (E) PSPICE를 이용하여 iD-vDS 특성곡선을 제출하여라. ... VDS(ON)=0.14 V가 1V보다 낮기 때문에 Drain과 Source가 거의 short가 되었다고 볼수 있고, Triode 영역에서i _{D}-v _{DS}특성이 거의 직선이 ... 0.6V 인 경우,g _{m}의 값을 구하여라.Date Sheet를 참고하면, VT=2.1 V(Typ)를 알수 있고, 2N7000(Type)에서 VGS=4.5V, ID=75mA일 때 VDS

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.05 | 수정일 2022.03.14

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  JFET 특성 및 바이어스 결과 레포트

  실험 결과값표시값470Ω1kΩ1.2kΩ10kΩ75kΩ330kΩ10MΩ측정값468Ω0.984Ω1.17Ω10.01Ω74.4Ω327.1Ω9.92Ω표12-1 VGS의 변화에 대하여 ID와 VDS ... 특성VGS 표시값VGS = 0VGS = -1VGS = -2VGS = -3VGS = -4VGS = -5VGS = -6VDS (V)ID(mA)ID(mA)ID(mA)ID(mA)ID(mA ... 마지막으로 이번 실험을 측정값과 쇼클리 방정식을 이용하여 특성 곡선의 형태를 알아보고, ID=0mA를 초래하는 VGS 값은 VP에 가까운 값이라는 이론적 내용과 VDS가 특성곡선에

  리포트 | 1페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.04.08

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  홍익대학교 전자회로실험 실험3 JFET의 직류특성 & 바이어스 예비보고서

  낮은 VDS에서는 곡선부분이 선형성을 띄게 된다. 이것은 i-v 관계가 선형인 것으로 마치 저항과 같은데 VDS에 따라서 그 값이 변하므로 가변저항으로 생각할 수 있다.

  리포트 | 15페이지 | 6,000원 | 등록일 2020.01.06

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  Semiconductor Device and Design - 6,

  : VDS VGS-Vth, VGS Vth2. ... Operation Principle of Fet NMOS Cut off mode: VGS Vth Triode mode: VDS VGS-Vth, VGS Vth Saturation mode

  리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.06.22

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  전자공학실험 13장 공통 게이트 증폭기 A+ 결과보고서

  NMOS에서 VGS>=Vth이면서 VDS>=VGS-Vth인 경우에 포화 영역인데, VGS=VG-VS=1.5086[V]이고 VDS=VD-VS=1.589[V]이 된다. ... 동작 영역은 VGS>=Vth이면서 VDS>=VGS-Vth인 경우에 포화 영역, VGS>Vth이면서 VDSVGS-Vth가 성립하기 때문에 포화 영역에서 동작함을 알 수 있다. ... MOSFET은 Vth가 0.4V이상이고 VGS와 VDS의 차이는 약 0.3V이므로 위의 두 조건이 모두 성립하게 되고, 따라서 VGS>Vth가 성립하기 때문에 위의 회로는 주어진 조건에서

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.05.13

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  중서부태평양 한국 다랑어 선망어선의 조업실태 분석

  한국수산해양기술학회(구 한국어업기술학회) 박용예, 이유원, 이대재

  논문 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.04.05

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  전자응용실험 14장 결과 [MOSFET 특성 시뮬레이션]

  원하는 데로 도핑이 되었는지, 그리고 소스 접합 위치를 확인하라.(5) VDS=0.1V에서 ID vs VGS 그래프를 그리고 문턱 전압을 구하라.>> 문턱전압 = 약 0.8V(7) ... VGS=3.0V, VDS=0.1 -> 3.0V 까지 올리고 각 바이어스 점에서 solution file을 저장한다.solve v1=0.1 nsteps=29 vstep=0.1 elec ... 문턱 전압 추출(1) 초기 조건에서 출력 파일을 저장한다.symbolic newton carriers=1 electronsolve init outfile=mosfet.sol0(2) VDS

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15

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  (22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 8. MOSFET Current Mirror 설계

  RL값이 줄어들어도 상관없는지 설명하라.M1이 Saturation 영역에서 동작하기 위해선 VDS1이 VOV보다 크거나 같아야한다. ... M1의 Source는 ground에 접지되어있고 Drain에선 출력을 뽑아내고 있으므로 VDS1=VO이 VOV보다 크거나 같아야한다. 따라서 RL의 최댓값은 =956Ω이다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.02.12

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  [전자공학응용실험] 공통 소오스 증폭기 예비레포트

  Related theories위 좌측은 기본적인 공통 소오스 증폭기이다. v1은 입력으로 vGS이고, 출력은 vo으로 vDS를 나타낸다.

  리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.12.19

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  전자재료물성 실험 및 설계2 하()()교수님 A+ 예비 및 결과레포트

  Vgs를 각각 고정시켜 Vgs의 변화로 인한 Id값, Vds의 변화로 인한 Id의 변화를 실험하였다. ... 이론적으로 생각했을 때 Id-Vds의 그래프는 linear적으로 그래프를 시작하여 Vsat에 도달하면 일정하게 유지되어지는 그래프를 보이고, Id-Vgs의 그래프는 Vth의 값을 기준으로 ... 아닌 경우 또는 source, drain의 도핑의 정도를 약하게 한 경우가 아닐까 예상해볼 수 있다.두 번째 실험에서는 Vgs=0.8V, 1.2V, 1.6V, 2V로 고정시키고 Vds를

  리포트 | 55페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.12.21

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  중앙대 전자회로설계실습 (예비) 4. MOSFET 소자 특성 측정 A+

  (E) PSPICE를 이용하여 iD-vDS 특성곡선을 제출하여라.참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type→DC Sweep ... (VDS=5V를 이용하여 측정)참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→DC Sweep, Sweep variable→Voltage

  리포트 | 4페이지 | 2,500원 (10%↓) 2250원 | 등록일 2022.04.09

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  전자회로 실험 결과 보고서 실험9. MOSFET의 특성

  [V]VGS [V]iD [mA]R [Ω]556.77962.810558.7제어 특성[표 9-6] MOS 전압-전류 특성VDS [V]VGS [V]ID [mA]VDS [V]VGS [V] ... 설명한대로 선형 그래프가 나타난다.트랜지스터가 triode 영역에서 동작하므로 선형 그래프가 나타난 것은 실험결과가 이론에 부합한다고 볼 수 있다.출력저항[표 9-4] MOS 출력 저항VDS ... 510.061019.0351.10.12101.18.8851.20.18101.28.7851.30.28101.38.6751.50.51101.58.4852.01.28102.08.0952.52.20102.57.8553.03.18103.07.6754.56.04104.57.04556.891056.75VDS를

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.09.21

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  Boost 컨버터 실험 예비보고서

  관련이론전력용 MOSFET이 실험에서 스위칭 소자로 그림2.2와 같은 전력용 MOSFET인 IRF540이 사용되었다. 100V의 Vds 정격을 가지고 있으며 Rds는 약 26.5mΩ이다 ... data sheet를 참고하여 최대전류, 최대전압, 도통 시 전압이 얼마인지 조사하라.IRF540의 경우에는 room temperature에서 최대전류 ID는 28A이고, 최대전압 VDS는 ... MOSFET의 gate와 source사이 양단 전압) 파형을 관찰하라.(3) 위의 조건에서 파워 서플라이를 사용하여 10V의 Vin을 인가하고 출력 전압이 충분히 안정된 뒤, Vgs와 Vds를

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.02.21

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  충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 결과보고서 실험 8, 10. MOSFET

  이동도, “on" 저항 Ron에 대해 알아보는 실험이었습니다.Ron 저항이란 Turn on이 되었을 때 Drain과 Source간에 ON저항을 의미하고 Ron 저항의 역수는 ID-VDS ... =1/ mu _{n} C _{ox} {W} over {L} (V _{GS} -V _{TH} )의 공식에 의해V _{GS}가 커질수록 Ron의 크기는 작아지고 역수를 취하면 ID-VDS

  리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

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