"reactive ion beam" 검색결과 61-80 / 82건

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  [공학기술]공명터널링 다이오드

  Ion Etching) 11번 층(AuGe/Ni)이 마스크 역할을 함.게이트 적층 '전자빔 적층'을 이용하여 기판의 윗면에 크롬 적층 (12번 층) 폴리이미드를 이용하여 식각된 면을 ... 전자의 에너지 준위 ＝ 출력단 영역 내 전자의 에너지 준위 공명투과 현상 발생(O) ► 출력단으로 전자 유출 따라서, 전류는 다이오드 통과공명 터널링 다이오드MBE(Molecular Beam ... 리소그래피 기판의 윗면에 AuGe, Ni 층을 적층 (11번 층 ) 리소그래피를 통해 AuGe/Ni 점을 형성 (OHMIC LIFT-OFF)공명 터널링 다이오드식각 비등방 RIE (Reactive

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.02

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  MEMS 개론 정리

  - Isotropic Etching- Etching Mechanism④ Reactive Ion Etching (RIE)- A combination of physical/chemical ... species(atoms, radicals, or ions) .ⅱ) Features- No ion bombardment >> No damage to underlying material ... E-beam Lithography? Stereo Lithography- Etching? Wet etching? Dry etching? ICP RIE- Deposition?

  리포트 | 46페이지 | 5,000원 | 등록일 2006.11.01

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  [재료공학]Ion Plating ( 이온플레이팅 )

  Ion plating의 종류1. Electron beam gun systema) 열전자방사총 이용열전자총을 이용하여 이온화율을 높인다. ... 의해 지배되는 증착법‘이라고 풀이하였다.이온플레이팅도 스퍼터링과 비슷하게 플라즈마를 사용한 증착공정이지만 스퍼터링과는 달리 보통 증착하고자 하는 물질을 증발 법으로 기상화한 뒤 reactive ... (저항가열, e-beam, 유도가 열, sputter, magnetron 등)7) 오염물, 유독성 용액을 사용하지 않고 해로운 부산물을 만들지 않는다.8) 순수한 물질을 source로

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.11.06

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  lithography

  profiles obtained with (a) isotropic wet chemical etching and (b) dry anisotropic etching in a plasma or reactive-ion ... 때 입사광에 대해 기울어진 방향에서 보면 빛의 통로가 흐릿하게 보이는 현상2.6.2 Scanning Electron Microscopy Low-energy (0.5~40keV) beam ... 300,000 magnifications 10,000에서 2~4㎛의 depth of field electrical charge-up of the sample by the electron beam

  리포트 | 33페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.01.18

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  [반도체] PVD 리소그라피

  특히 dry etching의 경우 ion 가속만을 이용하는 IBE(ion beam etching)나 sputtering과 같이 magnetron을 이용하는 sputtering etching이 ... 비 선택적 etching이며, ion 가속에 반응성 gas(reactive gas)를 사용하는 RIE(rea(registration)에 대한 기술, 그리고 스텝퍼 디자인에서 지금까지 ... ■E-Beam evaporation 그림 도가니의 저항에 의한 열로 시료를 녹여 증착하는 방식이 아님 E-Beam으로시료를 때려 증착시키는 방식이다.3.Sputtering고체의 표면에

  리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.06.18

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  [화학공학] [실험보고서]박막의표면처리 및 식각 보고서

  비선택적 etching이며, ion 가속에 반응성 gas(reactive gas)를 사용하는 RIE(reactive ion etching)는 선택적 etching이다.이상과 같은 ... 특히 dry etching의 경우 ion 가속만을 이용하는 IBE(ion beam etching)나 sputtering과 같이 magnetron을 이용하는 sputtering etching이 ... 가장 널리 사용되는 실리콘 산화막 (silicon oxide; SiO2) 박막을 적절한 식각가스를 선택하여 반응성 이온 식각장치(reactive ion etcher; RIE)를 이용하여

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.06.14

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  [디스플레이]전자종이

  대부분의 경우는 이 residual layer를 제거하여야 하는데 이를 위해서는 추가적인 RIE (reactive ion etching) 공정이 필요하다print 공정의 조율에 의해 ... Photo-lithography에 비E-beam 레지스트와 Cr이 도포된 마스크를 E-beam을 사용하여 패턴을 전사한 후 E-beam 레지스트를 현상하고 Cr층을 에칭 한 후 잔여 ... Imprint용 스탬프 제작Imprint용 스탬프는 quartz, Cr/quartz 두 종류를 e-beam writing 및 plasma etching 방법을 이용하여 제작가능 하다

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.06.12

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  [반도체공학]박막 재료의 표면처리 및 식각 실험

  실 험 내 용가장 널리 사용되는 실리콘 산화막 (silicon oxide; SiO2) 박막을 적절한 식각가스를 선택하여 반응성 이온 식각장치(reactive ion etcher; RIE ... Top-Down방식에는 photography, EBL, Ion Beam Lithography가 있고, Bottom-up방식에는 Nano lithography, DPN, Micro contact ... (Com-puter Aided Design)시스템을 사용하 여 전자회로와 실제 웨이 퍼 위에 그려질 회로패턴을 설계한다.5단계 : MASK(RETICLE)제작설계된 회로패턴을 E-beam

  리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.02.27

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  [에칭공정]에칭(etching)의 이해 및 공정

  Ion Etching, RIE, 그리고 Reactive Ion Beam Etching, RIBE)을 포함하고 있음을 알 수 있다.먼저 부각된 것은 스퍼터링(Sputtering)이라는 ... 또한 그림 3을 보면 여러 종류의 식각 메카니즘은 물리적인 기초(Glow-Discharge Sputtering)와 화학적인 기초(플라즈마 에칭), 혹은 두 가지의 조합(Reactive

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.07

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  [공학]박막재료의 표면 처리 및 PR제거

  실험내용가장 널리 사용되는 실리콘 산화막 (silicon oxide; SiO2) 박막을 적절한 식각가스를 선택하여 반응성 이온 식각장치 (reactive ion etcher; RIE ... beam lithography가 있고, bottom-up방식에는 nano lithography, DPN, micro contact printing등이 있다.5.2.1 Photo LithographyPhoto ... 기술을 말한다. nanolithography는 nano scale의 폭을 가지는 pattern을 제작하는 필수적 기술이다. top-down방식에는 photography, EBL, ion

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.09.06

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  [공업화학실험]박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거

  .■ 실험내용가장 널리 사용되는 실리콘 산화막 (silicon oxide; SiO2) 박막을 적절한 식각가스를 선택하여 반응성 이온식각장치(reactive ion etcher; RIE ... beam) 식각(혹은 이온빔 밀링(milling)), 스퍼터(sputter) 식각, 그리고 RF(radio-frequency) 식각 등이 있다.한편 화학적 건식 식각은 플라즈마에서 ... 식각은 이온들이 식각 대상 물질을 향하여 전계(electric field)에 의해 가속된 후 충돌할 때의 운동량 이전에 의해 표면마멸 현상이 일어나는 것으로서, 여기에는 이온빔(ion

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.06.25

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  [반도체공정]Photo lithography

  비선택적 etching이며, ion 가속에 반응성 gas(reactive gas)를 사용하는 RIE(reactive ion etching)는 선택적 etching이다. ... 특히 dry etching의 경우 ion 가속만을 이용하는 IBE(ion beam etching)나 sputtering과 같이 magnetron을 이용하는 sputtering etching이

  리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.07.22

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  [고체및재료실험]표면관찰

  따라서 후자의 장치를 반응성 이온장치(reactive ion etching, RIE) 라 부른다. ... 그림 7과 같은 이온빔 샤워(ion beam shower)형의 장치외에 이온빔을 XY방향으로 주사(또는 이온빔은 정지하고 기판이 기계적리이다. ... 그러나 이온빔(ion beam)을 이용한 스퍼터링(sputtering)법과 같은 물리적 에칭을 이용하면 그 단면형상은 그림 1(b)와 같이 된다.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.10.06

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  박막증착

  XMrgl PVD는 CVD에비해 작업조건이 깨끗하고, 진공상태에서 저항열이나 전자beam, laser beam 또는 plasma를 이용하여 고체상태의 물질을 기체상태로 만들어 기판에 ... O2, N2등의 reactive sputter로 산화물, 질화물 박막의 형성이 가능하다.(단점)-. 성막속도가 낮다.( ... Sputteringsputtering전계에 의해 가속된 Ar+ ions에 의해 film source 물질을 때려 떨어져 나온 물질이 wafer위에 증착되게 하는 기술.

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.10.24 | 수정일 2017.07.17

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  [반도체공학]박막증착

  Example of a sacrificial etch-release for a cantilever beam. ... Vertical and horizontal access channels used in sacrificial etching of cavities{(b){그림 7 (a)Examples of reactive ... )노광X선노광박막가공(patterning)습식식각건식식각-플라즈마식각스퍼터 식각반응성 이온 식각(RIE)박막처리(pre/post processing)이온주입(ion implantation

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.23

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  [증착법] 증착법

  진공관 제작, CRT(cathode ray tube), 이온주입(ion implantation), 증착(evaporation), 전자현미경 등이 이 영역의 진공대에서 운용되고 있다.3 ... }∼{{ 10}^{-6 }Torr- Ar 기체 압력 결정- Input power 결정- Reflected power를 0 으로 setting- 기판과 target사이 거리 결정- Reactive ... Target 냉각이 가능, 큰 target 사용 가능하다.- 기판의 sputter etching으로 pre-cleaning이 가능하다.- {{ O}_{2 } , { N}_{2 }등의 reactive

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.10.07

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  [화학공학]각막의 처리 - 박막 재료의 표면처리 및 식각 실험

  실험내용 : 가장 널리 사용되는 실리콘 산화막 (silicon oxide; SiO2) 박막을 적절한 식각가스를 선택하여 반응성 이온식각장치(reactive ion etcher; RIE ... 마스크서브콜렉트 확산에피층 적층에피er Aided Design)시스템을 사용하여 전자회로와 실제 웨이퍼 위에 그려질 회로패턴을 설계한다5)MASK(RETICLE)제작설계된 회로패턴을 E-beam설비로 ... 회로패턴을 형성시켜 주기 위해 화학물질이나 반응성 GAS를 사용하여 필요없는 부분을 선택적으로 제거시키는 공정이러한 패턴형성과정은 각 패턴층에 대해 계속적으로 반복됨11)이온주입(ION

  리포트 | 20페이지 | 10,000원 | 등록일 2005.10.31

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  강유전체 원리와 응용

  현재 강유전체 박막형성방법으로서 실용화되고 있거나 개발되고 있는 성막법으로는 전자빔(electron beam) 증착법, 레이저 용발법[13-15], 스퍼터링법, 이온주입 (ion implant ... 그렇지만 백금은 동시에 화학적으로 매우 안정하여, 반응성 건식 식각 (reactive dryetching)등 산에 적합한 화학적 미세가공기술을 현재 확립되어 있지 않다. ... 당분간은 이온 밀링 (ion milling)등 물리적 가공방법으로 대응할 수 있겠지만 미세가공에 적합한 새로운 전극재료 또는 새로운 가공기술 등에 의한 조속한 해결이 필요하다.

  리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2005.03.02

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  [박막 증착] PVD의 원리와 종류

  진공증착(vaccum evaporati많이 이용되고 있지만 도가니에 의해서 오염되기 쉽고 녹는점이 2200℃ 이상인 시료는 박막제작이 불가능하다는 단점이 있다.MBEMolecular Beam ... stoichiometry, film properties, 기체 혼입 가능성에 큰 영향을 미 친다.불활성 기체로 Ar이 탁월 - 값이 싸고, 무거워서 sputtering yield가 높다.② reactive ... 물질의 원자간 결합에너지 보다 큰 운동에너지로 충돌할 경우 이 ion 충격에 의해 물질의 격자간 원자가 다른 위치로 밀리게 되며, 원자의 표면 탈출이 발생하게 되는 현상을 물리학에서

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.01.18

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  식각 공정

  실험내용가장 널리 사용되는 실리콘 산화막 (silicon oxide; SiO2) 박막을 적절한 식각가스를 선택하여 반응성 이온 식각장치 (reactive ion etcher; RIE ... 등▷ Electrons, Electrically charged ion 전달. 그 외에도 열적, micro-wave에 의해서도 가능하다.) ... 회로 설계CAD(Computer Aided Design)시스템을 사용하여 전자회로와 실제 웨이퍼 위에 그려질 회로패 턴을 설계함.5.MASK(RETICLE)제작설계된 회로패턴을 E-beam

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.07.03

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